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掺镁铌酸锂晶体抗光折变微观机理研究 被引量:13
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作者 孔勇发 李兵 +11 位作者 陈云琳 黄自恒 陈绍林 张玲 刘士国 许京军 阎文博 刘宏德 王岩 谢翔 张万林 张光寅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期40-44,共5页
研究了掺镁掺铁铌酸锂晶体的紫外、可见及红外光谱 ,首次发现当掺镁量超过通常所说的阈值 (第一阀值 )时 ,Fe3+ 离子和部分Fe2 + 离子的晶格占位由锂位变为铌位 ,但仍有部分Fe2 + 离子留在锂位 .晶体缺陷化学分析表明 ,继续增加掺镁量 ... 研究了掺镁掺铁铌酸锂晶体的紫外、可见及红外光谱 ,首次发现当掺镁量超过通常所说的阈值 (第一阀值 )时 ,Fe3+ 离子和部分Fe2 + 离子的晶格占位由锂位变为铌位 ,但仍有部分Fe2 + 离子留在锂位 .晶体缺陷化学分析表明 ,继续增加掺镁量 ,占锂位的Fe2 + 离子数将逐渐减少 ;当掺镁量达到另一个适当的值 (第二阀值 )时 ,全部Fe2 + 都占铌位 ,晶体的抗光折变能力空前提高 ,这种现象称作双阈值效应 . 展开更多
关键词 掺镁 铌酸锂晶体 抗光折变 微观机理 吸收光谱 双阈值效应
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