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抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计
被引量：
1
1
作者
苏梦瑶
陈旭斌
+6 位作者
邱仅朋
王志宇
刘家瑞
陈华
尚永衡
刘东栋
郁发新
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期792-798,共7页
为了提高传统移位寄存器的可靠性和耐辐射性,提出抗单粒子翻转(SEU)的高可靠移位寄存器.该设计基于TSMC 0.18μm 1.8V1P5M工艺,利用双边复位、位线分离和三模冗余技术,设计双边上电复位(POR)和SEU加固双互锁存储单元(DICE)结构.从原理...
为了提高传统移位寄存器的可靠性和耐辐射性,提出抗单粒子翻转(SEU)的高可靠移位寄存器.该设计基于TSMC 0.18μm 1.8V1P5M工艺,利用双边复位、位线分离和三模冗余技术,设计双边上电复位(POR)和SEU加固双互锁存储单元(DICE)结构.从原理图和版图两个层面,对传统移位寄存器结构进行全面SEU加固.为了模拟单粒子效应,在电路敏感节点注入不同线性能量传输(LET)的瞬态电流脉冲,利用Spectre仿真器及BSIM3v3物理模型,结合瞬态电路分析理论,对所设计的移位寄存器进行抗单粒子翻转性能仿真验证.仿真结果表明,提出的双边复位POR和SEU加固DICE电路在LET为100MeV·cm2/mg时不发生翻转.与传统的移位寄存器相比,设计的移位寄存器的抗单粒子翻转能力有显著的提高,具备高可靠性和辐射耐受性,可以用于航天领域的CMOS芯片设计.
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关键词
单粒子翻转
双边上电复位
位线分离
三模冗余
双互锁存储单元
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职称材料
题名
抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计
被引量：
1
1
作者
苏梦瑶
陈旭斌
邱仅朋
王志宇
刘家瑞
陈华
尚永衡
刘东栋
郁发新
机构
浙江大学航空航天学院
出处
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期792-798,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61401395)
中央高校基本科研业务费专项资助项目(2014QNA4033)
文摘
为了提高传统移位寄存器的可靠性和耐辐射性,提出抗单粒子翻转(SEU)的高可靠移位寄存器.该设计基于TSMC 0.18μm 1.8V1P5M工艺,利用双边复位、位线分离和三模冗余技术,设计双边上电复位(POR)和SEU加固双互锁存储单元(DICE)结构.从原理图和版图两个层面,对传统移位寄存器结构进行全面SEU加固.为了模拟单粒子效应,在电路敏感节点注入不同线性能量传输(LET)的瞬态电流脉冲,利用Spectre仿真器及BSIM3v3物理模型,结合瞬态电路分析理论,对所设计的移位寄存器进行抗单粒子翻转性能仿真验证.仿真结果表明,提出的双边复位POR和SEU加固DICE电路在LET为100MeV·cm2/mg时不发生翻转.与传统的移位寄存器相比,设计的移位寄存器的抗单粒子翻转能力有显著的提高,具备高可靠性和辐射耐受性,可以用于航天领域的CMOS芯片设计.
关键词
单粒子翻转
双边上电复位
位线分离
三模冗余
双互锁存储单元
Keywords
single event upset
bilateral power on reset
bit-line segregation
tri-mode redundancy
dual interlocked storage cell
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计
苏梦瑶
陈旭斌
邱仅朋
王志宇
刘家瑞
陈华
尚永衡
刘东栋
郁发新
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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