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激光束诱导电流在HgCdTe双色探测器工艺检测中的应用 被引量:6
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作者 叶振华 胡晓宁 +4 位作者 蔡炜颖 陈贵宾 廖清君 张海燕 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期459-462,共4页
报道了激光束诱导电流(LB IC)在碲镉汞(HgCdTe)红外双色探测器工艺检测中的应用.通过LB IC测试,发现p型HgCdTe材料由B+离子注入损伤形成的n区面积大于其注入面积,并获得n区横向的精确分布.同时,运用LB IC,获得了p型HgCdTe材料因不同能... 报道了激光束诱导电流(LB IC)在碲镉汞(HgCdTe)红外双色探测器工艺检测中的应用.通过LB IC测试,发现p型HgCdTe材料由B+离子注入损伤形成的n区面积大于其注入面积,并获得n区横向的精确分布.同时,运用LB IC,获得了p型HgCdTe材料因不同能量的等离子体干法刻蚀诱导的刻蚀台面侧壁工艺损伤形成的n区横向分布,并得到了n区横向宽度与等离子体能量的关系. 展开更多
关键词 激光束诱导电流 HGCDTE 干法刻蚀 双色探测器
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GaN/BST单片集成紫外红外双色探测器的研制 被引量:4
2
作者 李献杰 赵永林 +5 位作者 齐丽芳 尹顺政 蔡道民 吴传贵 张万里 李言荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期238-240,共3页
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上生长宽带隙半导体GaN和磁控溅射BST热释电薄膜,实现了一种单片集成紫外红外双色探测器。紫外探测部分采用GaN系金属-半导体-金属(MSM)器件结构,红外探测采用钛酸锶钡(BST)热释电电容结构,... 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上生长宽带隙半导体GaN和磁控溅射BST热释电薄膜,实现了一种单片集成紫外红外双色探测器。紫外探测部分采用GaN系金属-半导体-金属(MSM)器件结构,红外探测采用钛酸锶钡(BST)热释电电容结构,二者用多孔SiO2实现热隔离。制作了紫外红外双色集成探测器测试单元和1×32和1×64线列线列器件。测试单元器件紫外和红外有源区面积均为500μm×500μm,紫外探测部分峰值波长360nm,截止波长370nm,响应度0.08A/W;BST薄膜热释电系数为1×10-6C.cm-2K-1,红外热释电探测部分电压响应率为9.14V/W,黑体探测率D为4.37×105cm.Hz1/2.W-1。 展开更多
关键词 紫外 红外 双色探测器 热释电 氮化镓 钛酸锶钡
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AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器 被引量:4
3
作者 齐利芳 李献杰 +2 位作者 唐卓睿 尹顺政 赵永林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期575-578,共4页
采用分子束外延(MBE)技术在蓝宝石衬底上依次生长n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层和n+GaN发射极层,并通过半导体微细加工技术,制作了AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器。该器件利用不同的探测机理,同时实现了红外光和紫外... 采用分子束外延(MBE)技术在蓝宝石衬底上依次生长n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层和n+GaN发射极层,并通过半导体微细加工技术,制作了AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器。该器件利用不同的探测机理,同时实现了红外光和紫外光探测,拓展了响应光谱的范围。红外光探测是通过AlGaN/GaN异质结界面自由电子吸收和功函数内部光致发射效应完成的,紫外光探测是通过AlxGa1-xN势垒层带间吸收完成的。对单元器件的暗电流特性、紫外及红外光谱特性进行了测试。测试结果表明,紫外响应截止波长356 nm,响应度180 mA/W,红外响应峰值波长14.5μm,响应度49 mA/W。 展开更多
关键词 紫外 红外 双色探测器 异质结 ALGAN GAN
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InAs/GaSb超晶格中短波双色探测器新型钝化方法研究
4
作者 张利学 鲁星 +1 位作者 朱旭波 姚官生 《航空兵器》 CSCD 北大核心 2021年第5期110-113,共4页
由于InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料有较高的表面态密度,易在表面生成导电氧化层,在将其制备成红外器件的过程中,首先要解决钝化问题。钝化效果和覆盖膜层质量对红外器件的表面漏电和噪声有很大影响。使用阳极氟化加硫化锌的方法,对中短波双... 由于InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料有较高的表面态密度,易在表面生成导电氧化层,在将其制备成红外器件的过程中,首先要解决钝化问题。钝化效果和覆盖膜层质量对红外器件的表面漏电和噪声有很大影响。使用阳极氟化加硫化锌的方法,对中短波双色InAs/GaSb超晶格进行钝化,使用俄歇电子能谱测试证实了阳极氟化的可靠性,使用77 K下的J-V测试结果,对比证实了氟化的钝化效果和对漏电流密度的改善效果。结果表明,阳极氟化加硫化锌的钝化方法可以有效抑制漏电。 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 MBE 表面钝化 双色探测器 阳极氟化
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双色探测器的集成焦平面技术
5
作者 叶振华 《红外》 CAS 2002年第5期1-9,共9页
本文总结了国外双色探测器近10年来的发展,包括各种双色探测器的优点和发展趋势。主要是各种类型的碲镉汞(HgCdTe)光二极管集成式双色探测器的结构、关键工艺和性能,简略地介绍了量子阱红外光探测(QWIP)的双色探测器结构和性能。
关键词 双色探测器 集成焦平面技术 发展趋势 结构 制造工艺 量子阱红外光探测器
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基于近红外双色探测器的信号采集系统设计 被引量:2
6
作者 吴威 韩顺利 +2 位作者 侯喜报 刘磊 项国庆 《红外》 CAS 2017年第6期1-7,共7页
针对近红外双色探测器在两种不同工作波段的光谱响应曲线及暗电流,设计了一种基于近红外双色探测器的信号采集系统及采集方法。该系统具有多种电流转电压档位、电压放大档位和滤波电路带宽档位,能够快速进行信号放大和带宽控制;同时通... 针对近红外双色探测器在两种不同工作波段的光谱响应曲线及暗电流,设计了一种基于近红外双色探测器的信号采集系统及采集方法。该系统具有多种电流转电压档位、电压放大档位和滤波电路带宽档位,能够快速进行信号放大和带宽控制;同时通过数字/模拟转换器(D/A)为四级放大电路提供模拟调零信号,可有效消除由光学系统的杂散光和探测器自身的暗电流引起的噪声。该系统具有速率快、噪声低和分辨率高等特点。通过使用这种信号采集系统,光学系统的信噪比、动态范围、最小可测功率等指标参数都能得到提高。 展开更多
关键词 近红外 双色探测器 信号采集 光谱响应
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双色碲镉汞红外焦平面探测器发展现状 被引量:9
7
作者 王成刚 孙浩 +1 位作者 李敬国 朱西安 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期367-371,共5页
主要介绍了双色碲镉汞红外焦平面阵列的应用需求和国外发展现状,对其工作模式、器件结构、器件制备的关键工艺技术、双色读出电结构进行了阐述说明。
关键词 碲镉汞 红外焦平面阵列 双色探测器 分子束外延 台面刻蚀
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紫外-红外双色集成探测器的发展与现状 被引量:3
8
作者 李淑萍 何涛 +4 位作者 付凯 于国浩 张晓东 熊敏 张宝顺 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第11期1033-1041,共9页
随着军事和民用对高集成度、多色化光电探测的不断需求,在近几十年内,紫外-红外(UV-IR)双色集成探测器从无到有,从彼此独立的紫外和红外探测器的简单集成发展到如今量子阱结构、键合结构等新型集成技术,但不同的光敏材料或系统带来较大... 随着军事和民用对高集成度、多色化光电探测的不断需求,在近几十年内,紫外-红外(UV-IR)双色集成探测器从无到有,从彼此独立的紫外和红外探测器的简单集成发展到如今量子阱结构、键合结构等新型集成技术,但不同的光敏材料或系统带来较大的晶格失配问题仍然限制了其发展与应用。本文阐述了紫外-红外双色集成探测技术在发展过程中的主要问题,并以时间和紫外探测技术为线索简述了紫外-红外双色集成探测器的发展历史及研究现状。 展开更多
关键词 双色探测器 紫外-红外 氧化物 Ⅲ族氮化物
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双色红外探测器的现状与发展 被引量:6
9
作者 蔡毅 《红外技术》 CSCD 北大核心 1997年第5期1-4,共4页
双色红外探测器是红外探测器发展的方向之一,现已有多种双色红外探测器投入使用。本文简要综述了国内外研制双色红外探测器的技术途径、现状和发展方向。从探测器材料看,多数采用HgCdTe或HgCdTe+InSb。从探测器光敏元的排列方式看,... 双色红外探测器是红外探测器发展的方向之一,现已有多种双色红外探测器投入使用。本文简要综述了国内外研制双色红外探测器的技术途径、现状和发展方向。从探测器材料看,多数采用HgCdTe或HgCdTe+InSb。从探测器光敏元的排列方式看,多数采用并列和上下重叠结构。从探测器的工作原理看,多数以光导和光伏模式工作。今后,双色红外探测器将继续向集成化、焦平面、大列阵、小型化和多色化等方向发展并获得更为广泛的应用。 展开更多
关键词 红外探测器 双色探测器 结构 材料
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4×128双色线列红外探测器成像电路设计 被引量:5
10
作者 秦金明 陈宝国 +1 位作者 李丽娟 赵亮 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第2期78-82,共5页
介绍了针对4×128双色线列探测器而设计的成像电路系统,其硬件电路主要包括探测器适配电路、视频模拟信号调理电路、模数转换电路、图像预处理电路、数字图像输出接口电路等。探测器驱动时序、一维扫描成像时序、AD采样时序和接口... 介绍了针对4×128双色线列探测器而设计的成像电路系统,其硬件电路主要包括探测器适配电路、视频模拟信号调理电路、模数转换电路、图像预处理电路、数字图像输出接口电路等。探测器驱动时序、一维扫描成像时序、AD采样时序和接口时序由FPGA来实现,采用VHDL语言完成时序设计。 展开更多
关键词 双色红外线列探测器 一维扫描成像 FPGA 非均匀校正 电路设计
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128×128元双色红外探测器成像电路设计 被引量:1
11
作者 秦金明 李丽娟 赵亮 《红外》 CAS 2012年第11期14-19,38,共7页
介绍了针对128×128元双色碲镉汞红外焦平面探测器而设计的一种探测成像系统。该探测成像系统包括探测器适配、视频模拟信号调理、模数转换、非均匀校正以及数字图像输出模块等功能模块。结合光学系统和上位机图像记录软件,对该探... 介绍了针对128×128元双色碲镉汞红外焦平面探测器而设计的一种探测成像系统。该探测成像系统包括探测器适配、视频模拟信号调理、模数转换、非均匀校正以及数字图像输出模块等功能模块。结合光学系统和上位机图像记录软件,对该探测成像系统进行了相关成像试验及性能测试。目前,该探测成像系统已成功应用于红外导引系统。 展开更多
关键词 双色红外焦平面探测器 脉冲驱动时序 FPGA 非均匀校正
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双色红外探测器在红外水分仪中的应用 被引量:1
12
作者 张勇 王子成 《郑州轻工业学院学报》 2000年第4期111-112,共2页
对传统红外水分仪进行了改进,即将其中的单元探测器改为二元双色探测器,红外 探测器窗口改用带宽仅为0.4 μm的窄带滤光片.改进后仪器的抗干扰能力大大提高,更适 用于测试快速运动物料的水分.
关键词 红外探测器 红外水分仪 双色探测器 改进
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工作在中红外波段的集成双色HgCdTe探测器性能和分子束外延生长
13
作者 R.D.RAJAVEL 贡树行 《红外》 CAS 1999年第6期8-15,共8页
第一次报导了HgCdTe双色探测器的性能和它的分子束外延生长材料,这种器件能同时探测4.1μm和4.5μm的辐射。在原位进行掺杂的器件具有n-p-n结构,是由分子束外延技术在(211)BCdZnTe衬底上生长出来的。在X射线摆动曲线极大值的半高处、具... 第一次报导了HgCdTe双色探测器的性能和它的分子束外延生长材料,这种器件能同时探测4.1μm和4.5μm的辐射。在原位进行掺杂的器件具有n-p-n结构,是由分子束外延技术在(211)BCdZnTe衬底上生长出来的。在X射线摆动曲线极大值的半高处、具有全宽度所显示出来的代表性结构是40-60arc-s。在这些结构中,典型的近表面腐蚀坑密度是(4-7)×10~6cm^(-2)。器件是以台面二极管的形式制作的,电极做到两个n型外延层和一个p型外延层上,以便使两个p-n结能同时工作。这种器件的光谱响应特性在两个波段能突然开启和关闭,77K的R_oA>5×~5Ωcm^2。探测器在两个波段的量子效率均>70%。 展开更多
关键词 红外探测器 分子束外延 汞镉碲 双色探测器
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双色线列红外探测器非均匀性校正的数字化设计 被引量:1
14
作者 徐丹旸 梁雪驰 +1 位作者 陈宝国 于海勋 《弹箭与制导学报》 CSCD 北大核心 2005年第S4期339-342,共4页
文中介绍了双色线列红外探测器非均匀性校正的数字系统设计。针对双色线列红外探测器的特点,采取软硬件相结合的方法,来实现提高系统处理速率的目的。
关键词 双色线列红外探测器 焦平面阵列 非均匀性校正 两点校正法 实时性
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锑化物超晶格红外探测器的研究进展 被引量:4
15
作者 李彦波 刘超 +2 位作者 张杨 赵杰 曾一平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期11-17,共7页
InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广... InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广阔的应用前景。 展开更多
关键词 第三代红外探测器 砷化铟/铟镓锑 Ⅱ类超晶格 双色探测器
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Ⅱ类超晶格探测器芯片背增技术研究
16
作者 任秀娟 崔戈 +5 位作者 李春领 冯晓宇 李海燕 宁提 祁娇娇 刘铭 《红外》 CAS 2021年第12期15-20,共6页
主要介绍了Ⅱ类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺。该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波段(3~5μm及7~9μm)对红外光的反射率,增强芯片的光响应率,从而提高芯片性能。研究并解决了背增膜在设计... 主要介绍了Ⅱ类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺。该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波段(3~5μm及7~9μm)对红外光的反射率,增强芯片的光响应率,从而提高芯片性能。研究并解决了背增膜在设计与制备工艺中的主要技术问题。根据探测器的使用环境对薄膜进行了相应的牢固性实验及测试。结果表明,此薄膜的光谱响应率和牢固度能充分满足探测器的要求。目前这项背增透薄膜制备工艺已是Ⅱ类超晶格探测器生产中不可缺少的工艺步骤,应用前景良好。 展开更多
关键词 双色红外探测器 Ⅱ类超晶格 锑化镓 背增膜
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空空导弹双色红外成像制导关键技术分析 被引量:16
17
作者 李丽娟 白晓东 刘珂 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1036-1039,共4页
新型干扰技术的发展使单波段红外成像武器系统面临巨大的挑战,双色红外成像制导技术可增强导弹的抗干扰能力,是红外导弹发展的方向之一。首先分析了国外空空导弹双色红外成像制导技术发展的现状,之后对空空导弹双色红外成像导引头的关... 新型干扰技术的发展使单波段红外成像武器系统面临巨大的挑战,双色红外成像制导技术可增强导弹的抗干扰能力,是红外导弹发展的方向之一。首先分析了国外空空导弹双色红外成像制导技术发展的现状,之后对空空导弹双色红外成像导引头的关键技术进行了分析,针对实现双色成像的方式和双色信息利用等问题,着重分析了双色波段选择、双色探测器和成像预处理、双色共口径光学系统及双色图像抗干扰等技术的实现途径,最后提出了深化研究的措施和建议。 展开更多
关键词 双色红外成像 抗干扰 双色探测器 空空导弹
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复合反射镜减小双色导引头色差的研究
18
作者 张艺瀚 张洪建 +1 位作者 方斌 李伟仁 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期122-124,共3页
解决双色导引头光学系统的色差问题是发展双色导引的一个关键问题。本文在综合双反射系统的牛顿系统和卡塞格伦系统基础上,提出的利用分色滤光片制成的复合反射镜能有效地减小光学系统色差。同时提供一种卡塞格伦系统双曲线的近似计算... 解决双色导引头光学系统的色差问题是发展双色导引的一个关键问题。本文在综合双反射系统的牛顿系统和卡塞格伦系统基础上,提出的利用分色滤光片制成的复合反射镜能有效地减小光学系统色差。同时提供一种卡塞格伦系统双曲线的近似计算的方法。 展开更多
关键词 双色导引头 色差 复合反射镜 红外制导 导弹 双色红外探测器
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德国AIM公司的第三代焦平面列阵红外探测组件(下)
19
作者 顾聚兴 《红外》 CAS 2003年第4期37-42,共6页
3双色HgCdTe 图4对双色探测器的特殊优点作了简单的解释。导弹逼近告警(MAW)系统,例如使用中波红外器件的MAW系统,通常会受到由植被或者海洋反射的太阳光引起的大量虚警的困扰,
关键词 德国AIM公司 第三代焦平面列阵红外探测组件 红外探测器 双色探测器 量子阱红外光电探测器
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对系统影响最小的GOES成象器的改进设计
20
作者 D.Cousins 顾聚兴 《红外》 CAS 1998年第3期9-20,共12页
美国国家海洋与大气管理局正在考虑改进GOES-N/Q系列成象器的工程设计。这种改进包括增加三个分辨率为4km的新的红外通道,并且让成象器覆盖地球的速率提高一倍。为了把这种改进对传感器的光学和机械结构、电子线路盒的分布、数据通信链... 美国国家海洋与大气管理局正在考虑改进GOES-N/Q系列成象器的工程设计。这种改进包括增加三个分辨率为4km的新的红外通道,并且让成象器覆盖地球的速率提高一倍。为了把这种改进对传感器的光学和机械结构、电子线路盒的分布、数据通信链路以及地面系统的影响减至最小程度,新的设计方法引进了先进技术。通过操作目前探测器列阵的备用部分并且研制双倍速率的信号处理器,扫描伺服系统和电子组件大部分被保留下来。为了增加通道同时保留现有的中继光学系统和辐射致冷器的配置,使用了双色探测器和光学涂料。为了保存传感器的数据和经过处理的中继通信键路,使用了可见光图象的有损数据压缩技术和红外图象的无损数据压缩技术。本文还涉及到系统的噪声等效温差(NEDT)和信噪比(SNR)性能以及新技术的执行问题。 展开更多
关键词 红外设计 双色探测器 数据压缩 红外成象器
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