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双膜桥微波MEMS开关被引量：6: 1; 作者朱健郁元卫 +2 位作者陆乐贾世星张龙《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期382-384,共3页; 介绍了一种双膜桥微波MEMS开关 ,给出了开关的设计与优化方法 ,建立了开关的仿真模型 ,使用硅表面微机械工艺制造了双膜桥开关样品 ,其主要结构为硅衬底上制作CPW金属传输线电极和介质层 ,然后制作具有微电感结构的金属膜桥 ,提高了开... 展开更多; 关键词双膜桥微波mems开关微机电系统射频开关高隔离度微电感结构开关隔离度; 在线阅读下载PDF 职称材料

高隔离度宽频带MEMS双膜桥开关: 2; 作者蔡洁廖小平朱健《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期290-294,共5页; 利用一种新型双边加直流驱动电极的电容耦合式MEMS并联膜开关与直接接触式并联膜开关进行级联,形成MEMS双膜开关。通过对其尺寸和结构的优化,降低开关阈值电压,Coventor软件模拟表明,开关的阈值电压小于20V;通过对其匹配设计改善开关的... 展开更多; 关键词 mems 双膜桥阈值电压插入损耗反射损耗隔离度; 在线阅读下载PDF 职称材料

高隔离度S波段MEMS膜桥开关被引量：5: 3; 作者朱健周百令 +3 位作者郁元卫陆乐贾世星张龙《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期64-67,共4页; 常规的 MEMS膜桥开关在 1 0 GHz以上频段才具有低插损、高隔离度 (>2 0 d B)的优点。文中介绍了一种应用于微波低频段—— S波段的高隔离 MEMS膜桥开关 ,给出了开关的设计与优化方法 ,建立了开关的等效电路模型。通过双膜桥结构、选... 展开更多; 关键词 mems 膜桥开关隔离度 S波段双膜桥结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于砷化镓衬底的RF MEMS膜开关被引量：1: 4; 作者郑惟彬黄庆安李拂晓《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期248-248,共1页; 关键词砷化镓 mems 膜开关射频微机械毫米波电路微波电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

X-波段MEMS单刀双掷开关的研究被引量：2: 5; 作者严捷廖小平朱健《电子器件》 EI CAS 2006年第1期92-94,共3页; 利用X波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X波段MEMS单刀双掷膜开关,其模拟结果为:阈值电压为19V左右,工作频率为8～12GHz,在中心频率(10GHz)处,导通开关的插入损耗为-0.2dB,截止开关的隔离度为-21dB,开关的回波损耗为-... 展开更多; 关键词 mems 单刀双掷开关 mems 膜开关插入损耗隔离度回波损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双膜桥微波MEMS开关被引量：6: 1; 作者朱健郁元卫陆乐贾世星张龙; 机构东南大学仪器科学与工程系南京电子器件研究所; 出处《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期382-384,共3页; 文摘介绍了一种双膜桥微波MEMS开关 ,给出了开关的设计与优化方法 ,建立了开关的仿真模型 ,使用硅表面微机械工艺制造了双膜桥开关样品 ,其主要结构为硅衬底上制作CPW金属传输线电极和介质层 ,然后制作具有微电感结构的金属膜桥 ,提高了开关隔离度。利用HFSS软件仿真的结果表明 ,该开关在微波低频段 (3～ 6GHz)有着很好的隔离性能。研制的开关样品在片测试的电性能指标为 :插损小于 0 .3dB ,隔离度大于 4 0dB ,驱动电压小于 2 4V。; 关键词双膜桥微波mems开关微机电系统射频开关高隔离度微电感结构开关隔离度; Keywords mems RF switch high isolation; 分类号 TM564 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高隔离度宽频带MEMS双膜桥开关: 2; 作者蔡洁廖小平朱健; 机构东南大学MEMS教育部重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期290-294,共5页; 文摘利用一种新型双边加直流驱动电极的电容耦合式MEMS并联膜开关与直接接触式并联膜开关进行级联,形成MEMS双膜开关。通过对其尺寸和结构的优化,降低开关阈值电压,Coventor软件模拟表明,开关的阈值电压小于20V;通过对其匹配设计改善开关的高频性能,HFSS软件模拟的结果表明,在DC～20GHz整个频带内,开关的插入损耗优于-0.1dB,反射损耗低于-30dB,隔离度低于-20dB,在谐振点处隔离度能达到-40dB。; 关键词 mems 双膜桥阈值电压插入损耗反射损耗隔离度; Keywords mems double membranes pull-in voltage insertion loss return loss isolation; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高隔离度S波段MEMS膜桥开关被引量：5: 3; 作者朱健周百令郁元卫陆乐贾世星张龙; 机构东南大学仪器科学与工程系南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期64-67,共4页; 基金江苏省自然科学基金资助项目 (BK2 0 0 1192 ); 文摘常规的 MEMS膜桥开关在 1 0 GHz以上频段才具有低插损、高隔离度 (>2 0 d B)的优点。文中介绍了一种应用于微波低频段—— S波段的高隔离 MEMS膜桥开关 ,给出了开关的设计与优化方法 ,建立了开关的等效电路模型。通过双膜桥结构、选择高介电常数的介质膜、微电感结构膜桥这些措施 ,达到提高开关隔离度的目的。利用 HFSS软件仿真的结果表明 ,该开关在微波低频段 (3～ 6GHz)有着很好的隔离性能。开关样品在片测试的电性能指标 :插损 <0 .3 d B,隔离度 >40 d B,驱动电压 <2 0; 关键词 mems 膜桥开关隔离度 S波段双膜桥结构; Keywords mems RF switch high-isolation; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学] TH-39 [机械工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于砷化镓衬底的RF MEMS膜开关被引量：1: 4; 作者郑惟彬黄庆安李拂晓; 机构东南大学MEMS教育部重点实验室南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期248-248,共1页; 关键词砷化镓 mems 膜开关射频微机械毫米波电路微波电路; 分类号 TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名X-波段MEMS单刀双掷开关的研究被引量：2: 5; 作者严捷廖小平朱健; 机构东南大学MEMS教育部重点实验室南京电子器件研究所; 出处《电子器件》 EI CAS 2006年第1期92-94,共3页; 文摘利用X波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X波段MEMS单刀双掷膜开关,其模拟结果为:阈值电压为19V左右,工作频率为8～12GHz,在中心频率(10GHz)处,导通开关的插入损耗为-0.2dB,截止开关的隔离度为-21dB,开关的回波损耗为-43dB。; 关键词 mems 单刀双掷开关 mems 膜开关插入损耗隔离度回波损耗; Keywords mems single-pole-double-throw （SPDT） switch mems membrane switch insertion loss isolation reflection loss; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双膜桥微波MEMS开关	朱健郁元卫陆乐贾世星张龙	《微纳电子技术》 CAS	2003	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高隔离度宽频带MEMS双膜桥开关	蔡洁廖小平朱健	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高隔离度S波段MEMS膜桥开关	朱健周百令郁元卫陆乐贾世星张龙	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2004	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于砷化镓衬底的RF MEMS膜开关	郑惟彬黄庆安李拂晓	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	X-波段MEMS单刀双掷开关的研究	严捷廖小平朱健	《电子器件》 EI CAS	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料