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微观晶界特性对氧化锌压敏电阻宏观电气性能的影响机制
被引量：
1
1
作者
孟鹏飞
郭敬科
+4 位作者
雷潇
王磊
张兵兵
缪奎
胡军
《工程科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期98-105,共8页
ZnO压敏电阻具有优良的非线性伏安特性与良好的通流能力,可以在电力系统发生过电压时吸收冲击能量从而实现对电力设备的保护,在电力设备的过电压保护中得到广泛应用。ZnO压敏电阻的非线性特性起源与其晶界特殊的双肖特基势垒结构有关,...
ZnO压敏电阻具有优良的非线性伏安特性与良好的通流能力,可以在电力系统发生过电压时吸收冲击能量从而实现对电力设备的保护,在电力设备的过电压保护中得到广泛应用。ZnO压敏电阻的非线性特性起源与其晶界特殊的双肖特基势垒结构有关,微观晶界参数对ZnO压敏电阻的宏观电气性能参数起到决定性作用,而目前对于微观晶界特性对ZnO压敏电阻宏观电气性能的影响机制研究较少。本文基于Voronoi网络及改进的晶界分区模型,通过材料计算的方法研究了ZnO压敏电阻晶粒施主密度、晶界表面态密度、晶界分区参数等微观晶界特性对其宏观电气性能的影响规律。本文将高性能ZnO压敏电阻的研制过程视为多变量、多目标问题,并依据任意优化变量对优化目标的影响是否相同、优化变量对两类优化目标的作用效果是否相同对优化目标和优化变量进行分类,揭示了微观晶界对电气性能的影响机制。通过优化变量、优化目标的合理分类,将复杂的多变量、多目标问题有效简化,并依据分类变量和分类目标的特征制定分步优化策略,从微观物理层面对ZnO压敏电阻性能进行改善,对高性能ZnO压敏电阻的研制有重要意义。
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关键词
ZNO压敏电阻
材料计算
双肖特基势垒
晶界分区
影响机制
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职称材料
低压ZnO变阻器的研究
被引量：
4
2
作者
周亚栋
杨燕玫
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
1994年第1期111-117,共7页
研究了掺杂物对ＺｎＯ变阻器电学性能（标称电压Ｖ１ｍＡ和非线性系数α）的影响，用双肖特基势垒模型和隧道效应解释了其微量观机制，获得了Ｖ１ｍＡ＜２０Ｖ，α＞２０的低压ＺｎＯ变阻器。
关键词
变阻器
氧化锌
双肖特基势垒
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职称材料
Bi掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜的制备及压敏性能
被引量：
1
3
作者
孙春莲
王彬彬
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2018年第9期19-23,共5页
以溶胶-凝胶法在Si(100)基底上制备了Ca_(1-3x/2)Bi_xCu_3Ti_4O_(12)(CBCTO)薄膜。XRD结果表明,于900℃退火1 h可形成多晶CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)相。SEM显示Bi离子掺杂使CCTO晶粒异常生长。通过压敏电阻测试仪分析了CBCTO薄膜的压敏电...
以溶胶-凝胶法在Si(100)基底上制备了Ca_(1-3x/2)Bi_xCu_3Ti_4O_(12)(CBCTO)薄膜。XRD结果表明,于900℃退火1 h可形成多晶CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)相。SEM显示Bi离子掺杂使CCTO晶粒异常生长。通过压敏电阻测试仪分析了CBCTO薄膜的压敏电阻特性,所有样品均呈现明显的非线性特性,用双肖特基势垒模型进行了充分说明。Ca_(0.925)Bi_(0.05)Cu_3Ti_4O_(12)(x=0.050)薄膜具有最小的电位梯度与最小的漏电流,可良好应用在低压压敏电阻开关等领域。
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关键词
溶胶-凝胶
CCTO
非线性
双肖特基势垒
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职称材料
题名
微观晶界特性对氧化锌压敏电阻宏观电气性能的影响机制
被引量：
1
1
作者
孟鹏飞
郭敬科
雷潇
王磊
张兵兵
缪奎
胡军
机构
四川大学电气工程学院
国网四川省电力有限公司电力科学研究院
国网黑龙江省电力有限公司电力科学研究院
中科天际科技股份有限公司
西安西电避雷器有限责任公司
清华大学电机系
出处
《工程科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期98-105,共8页
基金
国家自然科学青年基金项目(52107158)。
文摘
ZnO压敏电阻具有优良的非线性伏安特性与良好的通流能力,可以在电力系统发生过电压时吸收冲击能量从而实现对电力设备的保护,在电力设备的过电压保护中得到广泛应用。ZnO压敏电阻的非线性特性起源与其晶界特殊的双肖特基势垒结构有关,微观晶界参数对ZnO压敏电阻的宏观电气性能参数起到决定性作用,而目前对于微观晶界特性对ZnO压敏电阻宏观电气性能的影响机制研究较少。本文基于Voronoi网络及改进的晶界分区模型,通过材料计算的方法研究了ZnO压敏电阻晶粒施主密度、晶界表面态密度、晶界分区参数等微观晶界特性对其宏观电气性能的影响规律。本文将高性能ZnO压敏电阻的研制过程视为多变量、多目标问题,并依据任意优化变量对优化目标的影响是否相同、优化变量对两类优化目标的作用效果是否相同对优化目标和优化变量进行分类,揭示了微观晶界对电气性能的影响机制。通过优化变量、优化目标的合理分类,将复杂的多变量、多目标问题有效简化,并依据分类变量和分类目标的特征制定分步优化策略,从微观物理层面对ZnO压敏电阻性能进行改善,对高性能ZnO压敏电阻的研制有重要意义。
关键词
ZNO压敏电阻
材料计算
双肖特基势垒
晶界分区
影响机制
Keywords
ZnO varistor
materials computation
double Schottky barrier
grain boundary partitioning
influence mechanism
分类号
TM54 [电气工程—电器]
在线阅读
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职称材料
题名
低压ZnO变阻器的研究
被引量：
4
2
作者
周亚栋
杨燕玫
机构
北京工业大学化学与环境工程学系
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
1994年第1期111-117,共7页
文摘
研究了掺杂物对ＺｎＯ变阻器电学性能（标称电压Ｖ１ｍＡ和非线性系数α）的影响，用双肖特基势垒模型和隧道效应解释了其微量观机制，获得了Ｖ１ｍＡ＜２０Ｖ，α＞２０的低压ＺｎＯ变阻器。
关键词
变阻器
氧化锌
双肖特基势垒
Keywords
varistor, zinc oxide, double shottky potentical barrier
分类号
TM546 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
Bi掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜的制备及压敏性能
被引量：
1
3
作者
孙春莲
王彬彬
机构
新乡职业技术学院
江苏大学材料科学与工程学院
出处
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2018年第9期19-23,共5页
文摘
以溶胶-凝胶法在Si(100)基底上制备了Ca_(1-3x/2)Bi_xCu_3Ti_4O_(12)(CBCTO)薄膜。XRD结果表明,于900℃退火1 h可形成多晶CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)相。SEM显示Bi离子掺杂使CCTO晶粒异常生长。通过压敏电阻测试仪分析了CBCTO薄膜的压敏电阻特性,所有样品均呈现明显的非线性特性,用双肖特基势垒模型进行了充分说明。Ca_(0.925)Bi_(0.05)Cu_3Ti_4O_(12)(x=0.050)薄膜具有最小的电位梯度与最小的漏电流,可良好应用在低压压敏电阻开关等领域。
关键词
溶胶-凝胶
CCTO
非线性
双肖特基势垒
Keywords
sol-gel
CCTO
nonlinearity
double schottky barrier
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微观晶界特性对氧化锌压敏电阻宏观电气性能的影响机制
孟鹏飞
郭敬科
雷潇
王磊
张兵兵
缪奎
胡军
《工程科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
低压ZnO变阻器的研究
周亚栋
杨燕玫
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
1994
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Bi掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜的制备及压敏性能
孙春莲
王彬彬
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2018
1
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职称材料
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