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一种基于40nm CMOS体硅工艺的抗单粒子翻转触发器设计
1
作者
王海滨
侍言
+1 位作者
郭刚
韩光洁
《小型微型计算机系统》
CSCD
北大核心
2023年第12期2851-2857,共7页
随着集成电路尺寸的不断减小,触发器受到单粒子打击时,电荷共享效应会使触发器电路的多个节点同时翻转.基于此,提出了一种新的触发器结构,即Rectangle DFF,可以有效过滤输入上的单粒子瞬态、并对三节点翻转免疫.该触发器由时钟晶体管堆...
随着集成电路尺寸的不断减小,触发器受到单粒子打击时,电荷共享效应会使触发器电路的多个节点同时翻转.基于此,提出了一种新的触发器结构,即Rectangle DFF,可以有效过滤输入上的单粒子瞬态、并对三节点翻转免疫.该触发器由时钟晶体管堆栈架构和一个抗三节点翻转的锁存器组成,锁存器部分由12个交叉耦合的反相器和3个二输入的C单元结构组成.通过时钟晶体管堆栈结构可以屏蔽单粒子瞬态,由于3个C单元的输入不会同时翻转,能够有效屏蔽电路中的软错误.在40nm CMOS体硅工艺下的SPECTRE仿真表明,与基准的三模冗余触发器相比,面积开销降低15%,延迟降低44%,功率延迟积降低2%.
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关键词
触发器设计
单粒子三节点翻转
抗辐照加固
双联锁存储单元
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职称材料
题名
一种基于40nm CMOS体硅工艺的抗单粒子翻转触发器设计
1
作者
王海滨
侍言
郭刚
韩光洁
机构
河海大学信息科学与工程学院
中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心
出处
《小型微型计算机系统》
CSCD
北大核心
2023年第12期2851-2857,共7页
基金
国防科工局抗辐照应用技术创新基金重点项目(KFZC2020010401)资助
航天九院772所“同芯计划”高校专项科研计划项目(TX-P21-01)资助。
文摘
随着集成电路尺寸的不断减小,触发器受到单粒子打击时,电荷共享效应会使触发器电路的多个节点同时翻转.基于此,提出了一种新的触发器结构,即Rectangle DFF,可以有效过滤输入上的单粒子瞬态、并对三节点翻转免疫.该触发器由时钟晶体管堆栈架构和一个抗三节点翻转的锁存器组成,锁存器部分由12个交叉耦合的反相器和3个二输入的C单元结构组成.通过时钟晶体管堆栈结构可以屏蔽单粒子瞬态,由于3个C单元的输入不会同时翻转,能够有效屏蔽电路中的软错误.在40nm CMOS体硅工艺下的SPECTRE仿真表明,与基准的三模冗余触发器相比,面积开销降低15%,延迟降低44%,功率延迟积降低2%.
关键词
触发器设计
单粒子三节点翻转
抗辐照加固
双联锁存储单元
Keywords
flip-flop
triple node upset
radiation hardening
dual interlocked storage cell
分类号
TP391 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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作者
出处
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被引量
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1
一种基于40nm CMOS体硅工艺的抗单粒子翻转触发器设计
王海滨
侍言
郭刚
韩光洁
《小型微型计算机系统》
CSCD
北大核心
2023
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