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GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构
被引量：
1
1
作者
刘义族
于福聚
《天津师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2001年第3期39-42,共4页
用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg T...
用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与
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关键词
分子束外延法
Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格
CdTe/ZnTe/GaAs异质结
双缓冲层生长
晶格结构
晶格
生长
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职称材料
题名
GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构
被引量：
1
1
作者
刘义族
于福聚
机构
天津师范大学物理与电子信息学院
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《天津师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2001年第3期39-42,共4页
文摘
用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与
关键词
分子束外延法
Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格
CdTe/ZnTe/GaAs异质结
双缓冲层生长
晶格结构
晶格
生长
Keywords
MBE
Hg 1 x Cd x Te HgTe superlattice
CdTe/ZnTe/GaAs heterojunctions
X ray diffraction
TEM
分类号
O781 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构
刘义族
于福聚
《天津师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2001
1
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参考文献
引证文献
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