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基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器
被引量：
2
1
作者
施朝霞
朱大中
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期153-157,共5页
基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm&...
基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/(lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。
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关键词
荧光传感器
双结深光电二极管
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职称材料
题名
基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器
被引量：
2
1
作者
施朝霞
朱大中
机构
浙江工业大学信息学院
浙江大学信息学院微电子与光电子研究所
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期153-157,共5页
基金
国家自然科学基金项目(61306090)
浙江省级公益性技术应用研究计划项目(2013C31069)
文摘
基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/(lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。
关键词
荧光传感器
双结深光电二极管
Keywords
CMOS
CTIA
fluorescence sensor
double-junction photodiode
CMOS
CTIA
分类号
TN491 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP211 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器
施朝霞
朱大中
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
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