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晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池
1
作者
蒋卓宇
李娟
+2 位作者
孔祥力
代盼
孙强健
《半导体技术》
北大核心
2025年第4期365-371,共7页
为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起...
为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起,制备了晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池。测试结果显示,通过晶圆键合技术制备的双结太阳电池具有较低的电损耗,在聚光下获得了超过31.7%的光电转换效率。双结太阳电池的晶圆键合技术改善了常规直接材料生长方法因晶格失配造成的位错问题,可以更灵活地实现双结太阳电池的优化设计。
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关键词
分子束外延(MBE)
INGAAS
GAAS
晶圆键合
双结太阳电池
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职称材料
题名
晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池
1
作者
蒋卓宇
李娟
孔祥力
代盼
孙强健
机构
三峡电能有限公司
中国长江电力股份有限公司
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第4期365-371,共7页
基金
中国长江电力股份有限公司、三峡电能有限公司科研项目(Z152302052/Z612302016)。
文摘
为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起,制备了晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池。测试结果显示,通过晶圆键合技术制备的双结太阳电池具有较低的电损耗,在聚光下获得了超过31.7%的光电转换效率。双结太阳电池的晶圆键合技术改善了常规直接材料生长方法因晶格失配造成的位错问题,可以更灵活地实现双结太阳电池的优化设计。
关键词
分子束外延(MBE)
INGAAS
GAAS
晶圆键合
双结太阳电池
Keywords
molecular beam epitaxy(MBE)
InGaAs
GaAs
wafer bonding
dual-junction solar cell
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池
蒋卓宇
李娟
孔祥力
代盼
孙强健
《半导体技术》
北大核心
2025
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