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题名基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究
被引量：1
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作者
赵全斌
焦继伟
杨恒
林梓鑫
李铁
张颖
王跃林
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机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1705-1708,共4页
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基金
973项目资助(2006CB00403)
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文摘
我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原子结构则保持原掺杂结构,在梁厚度方向形成非对称掺杂,表现出压阻特性.利用该局部压阻,我们首次完成了对双端固支硅纳米梁的谐振特性的测量,其共振频率为400kHz;同时,我们对获得的低Q值进行了初步讨论.
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关键词
双端固支硅纳米梁
压阻检测
Ar离子轰击
谐振特性
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Keywords
double-clamped silicon nano beam
piezorestive effect
Ar ions bombardment
resonant response
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分类号
TP212.12
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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