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基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究
被引量:
1
1
作者
赵全斌
焦继伟
+4 位作者
杨恒
林梓鑫
李铁
张颖
王跃林
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1705-1708,共4页
我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原...
我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原子结构则保持原掺杂结构,在梁厚度方向形成非对称掺杂,表现出压阻特性.利用该局部压阻,我们首次完成了对双端固支硅纳米梁的谐振特性的测量,其共振频率为400kHz;同时,我们对获得的低Q值进行了初步讨论.
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关键词
双端固
支
硅
纳米
梁
压阻检测
Ar离子轰击
谐振
特性
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职称材料
基于柔性衬底的双端固支梁RF MEMS开关相位特性研究
2
作者
隋东辰
陈立军
韩磊
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期853-858,共6页
本文针对衬底弯曲对柔性RF MEMS开关相位特性的影响,提出了一种基于LCP柔性衬底的双端固支梁RF MEMS开关相位特性模型,并从软件仿真和实验验证方面对不同曲率条件下开关的相位偏移进行了深入研究,揭示了柔性衬底弯曲对相位偏移量的影响...
本文针对衬底弯曲对柔性RF MEMS开关相位特性的影响,提出了一种基于LCP柔性衬底的双端固支梁RF MEMS开关相位特性模型,并从软件仿真和实验验证方面对不同曲率条件下开关的相位偏移进行了深入研究,揭示了柔性衬底弯曲对相位偏移量的影响规律。实验结果表明,当柔性衬底弯曲曲率从0增大到28.6 m^(-1)时,RF MEMS开关的相位偏移量绝对值不断增大,中心频率10 GHz处相位偏移由0°变化到-2.72°,8 GHz~12 GHz频率范围内实测值和仿真值误差小于9.5%,实测值和模型计算值误差小于10.9%,三者显现出良好的一致性。
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关键词
RF
mem
S
双端固
支
梁
相位偏移量
衬底弯曲
相位特性
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职称材料
微机电硅谐振器动态建模及同步控制
3
作者
常淑俊
孙佳伟
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第3期475-480,共6页
由于微机电(MEM)硅谐振器高能量输出下的周期性振荡、分岔、混沌等非线性因素,使其振荡频率控制精度有限。针对双端固支梁微机电硅谐振器,提出了一种输出反馈同步控制方法,通过振荡器同步以提高其振荡频率控制性能。首先,对双端固支梁ME...
由于微机电(MEM)硅谐振器高能量输出下的周期性振荡、分岔、混沌等非线性因素,使其振荡频率控制精度有限。针对双端固支梁微机电硅谐振器,提出了一种输出反馈同步控制方法,通过振荡器同步以提高其振荡频率控制性能。首先,对双端固支梁MEM硅谐振器系统结构及非线特性进行了分析,并建立了充分考虑系统非线性特性的动态模型;在此基础上,设计了基于同步误差的输出反馈同步控制器,实现了多MEM硅谐振器同步控制,并使得相应的同步误差渐近收敛到零。最后,通过仿真实验证明了所提出方法的有效性。
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关键词
动态模型
微机电
同步控制
双端固支梁mem硅谐振器
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职称材料
几种基于MEMS的纳米梁制作方法研究
被引量:
5
4
作者
许科峰
于海涛
+3 位作者
杨永亮
杨恒
李昕欣
王跃林
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期1971-1976,共6页
特征尺度在纳米量级的梁结构是多种纳机电器件的基本结构.提出了几种基于MEMS技术的纳米梁制作方法,通过利用MEMS技术中材料与工艺的特性实现单晶硅纳米梁的制作.在普通(111)硅片上,利用各向异性湿法腐蚀对(111)面腐蚀速率极低的特性,...
特征尺度在纳米量级的梁结构是多种纳机电器件的基本结构.提出了几种基于MEMS技术的纳米梁制作方法,通过利用MEMS技术中材料与工艺的特性实现单晶硅纳米梁的制作.在普通(111)硅片上,利用各向异性湿法腐蚀对(111)面腐蚀速率极低的特性,通过干法与湿法腐蚀相结合制成厚度在100nm以下的纳米梁.该方法不使用SOI硅片,有效控制了成本.在(100)SOI硅片上,通过氧化减薄的方法得到厚度在100nm以下的多种纳米梁,由于热氧化的精度高,一致性好,该方法重复性与一致性均较好.在(110)SOI硅片上,利用硅的各向异性腐蚀特性以及(110)硅片的晶向特点,制作宽度在100nm以下的纳米梁,梁的两个侧面是(111)面.
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关键词
mem
S
纳米
梁
各向异性腐蚀
硅
纳米
谐振器
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职称材料
题名
基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究
被引量:
1
1
作者
赵全斌
焦继伟
杨恒
林梓鑫
李铁
张颖
王跃林
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1705-1708,共4页
基金
973项目资助(2006CB00403)
文摘
我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原子结构则保持原掺杂结构,在梁厚度方向形成非对称掺杂,表现出压阻特性.利用该局部压阻,我们首次完成了对双端固支硅纳米梁的谐振特性的测量,其共振频率为400kHz;同时,我们对获得的低Q值进行了初步讨论.
关键词
双端固
支
硅
纳米
梁
压阻检测
Ar离子轰击
谐振
特性
Keywords
double-clamped silicon nano beam
piezorestive effect
Ar ions bombardment
resonant response
分类号
TP212.12 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
基于柔性衬底的双端固支梁RF MEMS开关相位特性研究
2
作者
隋东辰
陈立军
韩磊
机构
东南大学电子科学与工程学院
东南大学MEMS教育部重点实验室
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期853-858,共6页
基金
国家自然科学基金项目(61774032)
省级大学生创新创业训练计划项目(202010286051Y)。
文摘
本文针对衬底弯曲对柔性RF MEMS开关相位特性的影响,提出了一种基于LCP柔性衬底的双端固支梁RF MEMS开关相位特性模型,并从软件仿真和实验验证方面对不同曲率条件下开关的相位偏移进行了深入研究,揭示了柔性衬底弯曲对相位偏移量的影响规律。实验结果表明,当柔性衬底弯曲曲率从0增大到28.6 m^(-1)时,RF MEMS开关的相位偏移量绝对值不断增大,中心频率10 GHz处相位偏移由0°变化到-2.72°,8 GHz~12 GHz频率范围内实测值和仿真值误差小于9.5%,实测值和模型计算值误差小于10.9%,三者显现出良好的一致性。
关键词
RF
mem
S
双端固
支
梁
相位偏移量
衬底弯曲
相位特性
Keywords
RF
mem
S
double-clamped beam
phase shift
substrate bending
phase characteristics
分类号
TP211.4 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
微机电硅谐振器动态建模及同步控制
3
作者
常淑俊
孙佳伟
机构
电子科技大学中山学院
电子科技大学自动化工程学院
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第3期475-480,共6页
基金
四川省科技计划资助项目(2020YFH0027)。
文摘
由于微机电(MEM)硅谐振器高能量输出下的周期性振荡、分岔、混沌等非线性因素,使其振荡频率控制精度有限。针对双端固支梁微机电硅谐振器,提出了一种输出反馈同步控制方法,通过振荡器同步以提高其振荡频率控制性能。首先,对双端固支梁MEM硅谐振器系统结构及非线特性进行了分析,并建立了充分考虑系统非线性特性的动态模型;在此基础上,设计了基于同步误差的输出反馈同步控制器,实现了多MEM硅谐振器同步控制,并使得相应的同步误差渐近收敛到零。最后,通过仿真实验证明了所提出方法的有效性。
关键词
动态模型
微机电
同步控制
双端固支梁mem硅谐振器
Keywords
dynamics model
mem
synchronization control
silicon resonator
分类号
TP271 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
几种基于MEMS的纳米梁制作方法研究
被引量:
5
4
作者
许科峰
于海涛
杨永亮
杨恒
李昕欣
王跃林
机构
中国科学院研究生院
上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期1971-1976,共6页
文摘
特征尺度在纳米量级的梁结构是多种纳机电器件的基本结构.提出了几种基于MEMS技术的纳米梁制作方法,通过利用MEMS技术中材料与工艺的特性实现单晶硅纳米梁的制作.在普通(111)硅片上,利用各向异性湿法腐蚀对(111)面腐蚀速率极低的特性,通过干法与湿法腐蚀相结合制成厚度在100nm以下的纳米梁.该方法不使用SOI硅片,有效控制了成本.在(100)SOI硅片上,通过氧化减薄的方法得到厚度在100nm以下的多种纳米梁,由于热氧化的精度高,一致性好,该方法重复性与一致性均较好.在(110)SOI硅片上,利用硅的各向异性腐蚀特性以及(110)硅片的晶向特点,制作宽度在100nm以下的纳米梁,梁的两个侧面是(111)面.
关键词
mem
S
纳米
梁
各向异性腐蚀
硅
纳米
谐振器
Keywords
mem
S
Nano-beam
Anisotropic etching
Si
Nano-resonator
分类号
TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究
赵全斌
焦继伟
杨恒
林梓鑫
李铁
张颖
王跃林
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
在线阅读
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职称材料
2
基于柔性衬底的双端固支梁RF MEMS开关相位特性研究
隋东辰
陈立军
韩磊
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
微机电硅谐振器动态建模及同步控制
常淑俊
孙佳伟
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
几种基于MEMS的纳米梁制作方法研究
许科峰
于海涛
杨永亮
杨恒
李昕欣
王跃林
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007
5
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