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基于双端口随机存储器IDT7133的多处理器系统中数据共享的研究被引量：6: 1; 作者严晓方马钧华《电子器件》 EI CAS 2005年第4期863-866,共4页; 介绍了双端口随机存储器(以下简称“DPRAM”)芯片IDT7133的外部管脚功能及其芯片特点。针对多处理器系统中的数据存储与共享问题,着重阐述了基于普通单口RAM和基于DPRAM芯片IDT7133两种不同的多处理器系统应用方案。通过对两个方案的比... 展开更多; 关键词双端口随机存储器单口RAM 可编程逻辑器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于双端口RAM的高速伽玛脉冲幅度分析电路设计被引量：1: 2; 作者焦仓文陆士立 +2 位作者邓明袁明马艳芳《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期706-708,740,共4页; 在伽玛能谱测井中,减小死时间是在单位时间内提高伽玛脉冲计数统计精度的有效途径之一,论本文从系统角度提出了提高测井数据采集速度的基于双端口RAM加双CPU结构的方案设计,包括线性放大、成形、采集保持、A/D转换以及数据存储等,使能... 展开更多; 关键词 1024道γ能谱双端口随机存储器高速采集; 在线阅读下载PDF 职称材料

双端口SRAM抗写干扰结构的优化设计被引量：2: 3; 作者李学瑞秋小强刘兴辉《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期617-623,共7页; 针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平... 展开更多; 关键词双端口静态随机存储器(SRAM) 位线电平复制写干扰控制逻辑数据写入时间; 在线阅读下载PDF 职称材料

FIFO技术在SDH数字交叉连接芯片设计中的应用: 4; 作者刘钊远《电讯技术》 2006年第3期28-32,共5页; 首先介绍了数字交叉设备中SDH数字交叉连接芯片的位置及作用,简要介绍了SDH数字交叉芯片的基本结构,并讨论了采用FIFO技术来解决该结构中多条高速链路之间交叉所面临的问题,对FIFO基本电路给予描述,重点讨论了FIFO技术在SDH数字交叉连... 展开更多; 关键词先进先出队列数字交叉连接帧定位双端口随机存储器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于双端口随机存储器IDT7133的多处理器系统中数据共享的研究被引量：6: 1; 作者严晓方马钧华; 机构浙江大学电气工程学院; 出处《电子器件》 EI CAS 2005年第4期863-866,共4页; 文摘介绍了双端口随机存储器(以下简称“DPRAM”)芯片IDT7133的外部管脚功能及其芯片特点。针对多处理器系统中的数据存储与共享问题,着重阐述了基于普通单口RAM和基于DPRAM芯片IDT7133两种不同的多处理器系统应用方案。通过对两个方案的比较,认识到基于DPRAM芯片IDT7133的应用方案在数据共享及数据传输中的显著优势。最后还谈到了IDT7133芯片内部的数据存储方式,为该方案在现实中的合理运用提供了保证。; 关键词双端口随机存储器单口RAM 可编程逻辑器件; Keywords dual-port random access memory（DPRAM） single-port random access memory programmablelogic device （PLD）; 分类号 TP368 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于双端口RAM的高速伽玛脉冲幅度分析电路设计被引量：1: 2; 作者焦仓文陆士立邓明袁明马艳芳; 机构中国地质大学(北京)地球物理与信息技术学院中核集团铀资源勘查与评价技术重点实验室; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期706-708,740,共4页; 文摘在伽玛能谱测井中,减小死时间是在单位时间内提高伽玛脉冲计数统计精度的有效途径之一,论本文从系统角度提出了提高测井数据采集速度的基于双端口RAM加双CPU结构的方案设计,包括线性放大、成形、采集保持、A/D转换以及数据存储等,使能谱数据吞吐率达到333 k/s;同时指出影响能谱线性的因素及应注意的问题。; 关键词 1024道γ能谱双端口随机存储器高速采集; Keywords 1 024-channel γ spectrometry dual port RAM high speed acquisition; 分类号 TL812 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双端口SRAM抗写干扰结构的优化设计被引量：2: 3; 作者李学瑞秋小强刘兴辉; 机构辽宁大学物理学院山东芯慧微电子科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期617-623,共7页; 基金辽宁省自然科学基金资助项目(2021-MS-148)。; 文摘针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平复制操作的开启时间,提高了数据写入SRAM的速度,使设计的SRAM可在更高频率下正常工作,同时降低了动态功耗。仿真结果显示,在0.9 V工作电压下,相对于经典位线电平复制结构,采用新结构设计的SRAM的写入时间缩短了约27.4%,动态功耗降低了约48.1%,抗干扰能力得到显著提升。; 关键词双端口静态随机存储器(SRAM) 位线电平复制写干扰控制逻辑数据写入时间; Keywords dual-port static random access memory(SRAM) bit line level replication write interference control logic data write time; 分类号 TN791 [电子电信—电路与系统] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FIFO技术在SDH数字交叉连接芯片设计中的应用: 4; 作者刘钊远; 机构西安邮电学院专用集成电路设计中心; 出处《电讯技术》 2006年第3期28-32,共5页; 基金国家"十五"科技攻关计划资助项目(2002BA106B06); 文摘首先介绍了数字交叉设备中SDH数字交叉连接芯片的位置及作用,简要介绍了SDH数字交叉芯片的基本结构,并讨论了采用FIFO技术来解决该结构中多条高速链路之间交叉所面临的问题,对FIFO基本电路给予描述,重点讨论了FIFO技术在SDH数字交叉连接芯片中的应用,最后给出了数字交叉连接芯片中FIFO技术的设计实现。; 关键词先进先出队列数字交叉连接帧定位双端口随机存储器; Keywords FIFO digital cross connection frame align dual port RAM; 分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于双端口随机存储器IDT7133的多处理器系统中数据共享的研究	严晓方马钧华	《电子器件》 EI CAS	2005	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于双端口RAM的高速伽玛脉冲幅度分析电路设计	焦仓文陆士立邓明袁明马艳芳	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	双端口SRAM抗写干扰结构的优化设计	李学瑞秋小强刘兴辉	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	FIFO技术在SDH数字交叉连接芯片设计中的应用	刘钊远	《电讯技术》	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料