热处理对双离子束溅射SiO_2薄膜力学及热力学特性的影响（英文） 被引量：5

1

作者 冷健 季一勤 +2 位作者 刘华松 庄克文 刘丹丹 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第6期186-191,共6页

光学薄膜的力学及热力学特性决定了光学系统性能的优劣。采用双离子束溅射的方法在硅<110>和肖特石英Q1基底上制备了SiO_2薄膜,并对制备的膜层进行退火处理。系统研究了热处理前后SiO_2薄膜的力学及热力学特性。研究结果表明,750... 光学薄膜的力学及热力学特性决定了光学系统性能的优劣。采用双离子束溅射的方法在硅<110>和肖特石英Q1基底上制备了SiO_2薄膜,并对制备的膜层进行退火处理。系统研究了热处理前后SiO_2薄膜的力学及热力学特性。研究结果表明,750℃退火条件下SiO_2薄膜的弹性模量(Er)增加到72 GPa,膜层硬度增加到10 GPa。镀完后未经退火处理的SiO_2薄膜表现为压应力,但是应力值在退火温度达到450℃以上时急剧降低,说明热处理有助于改善SiO_2薄膜内应力。经退火处理的SiO_2薄膜泊松比(vf)为0.18左右。退火前后SiO_2薄膜的杨氏模量(Ef)都要比石英块体材料大,并且750℃退火膜层杨氏模量增加了50 GPa以上。550℃退火的SiO_2薄膜热膨胀系数(αf)从6.78×10^(-7)℃^(-1)降到最小值5.22×10^(-7)℃^(-1)。 展开更多

关键词 双离子束溅射 SIO2薄膜 退火 力学及热力学特性

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双离子束溅射沉积HfO_2光学薄膜的研究 被引量：8

2

作者 张文杰 彭玉峰 +1 位作者 王建成 程祖海 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1543-1546,共4页

用双离子束溅射沉积氧化铪光学薄膜,并对此工艺下制备的氧化铪薄膜进行了光学性质、残余应力、结构特性以及激光损伤特性的研究。实验结果表明,用双离子束溅射沉积的氧化铪薄膜不仅结构均匀,膜层致密,无定形结构,而且具有极低的散射和吸... 用双离子束溅射沉积氧化铪光学薄膜,并对此工艺下制备的氧化铪薄膜进行了光学性质、残余应力、结构特性以及激光损伤特性的研究。实验结果表明,用双离子束溅射沉积的氧化铪薄膜不仅结构均匀,膜层致密,无定形结构,而且具有极低的散射和吸收,均匀的非晶结构,杂质缺陷少,激光损伤阈值高。 展开更多

关键词 双离子束溅射沉积 氧化铪薄膜 激光损伤阈值 残余应力

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双离子束溅射法制备铁氮薄膜 被引量：1

3

作者 甘肇强 罗经国 +2 位作者 诸葛兰剑 吴雪梅 姚伟国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期464-466,共3页

使用双离子束溅射法制得了铁氮薄膜 ,随着基片温度的变化 ,薄膜的成分是ε Fe2～ 3N、γ′ Fe4 N或是二相的混合物 ,薄膜的晶粒尺寸随基片温度的升高而增大。以振动样品磁强计(VSM)测定了薄膜的磁性能。另外 ,研究了在基片温度为 16 0℃... 使用双离子束溅射法制得了铁氮薄膜 ,随着基片温度的变化 ,薄膜的成分是ε Fe2～ 3N、γ′ Fe4 N或是二相的混合物 ,薄膜的晶粒尺寸随基片温度的升高而增大。以振动样品磁强计(VSM)测定了薄膜的磁性能。另外 ,研究了在基片温度为 16 0℃时 ,改变主源中通入N2 展开更多

关键词 铁氮薄膜 磁性能 制备 双离子束溅射法

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时间监控双离子束溅射沉积制备荧光滤光片 被引量：1

4

作者 卜轶坤 朝克夫 +2 位作者 叶子青 郑权 钱龙生 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期968-970,共3页

文章对中心波长为488nm、520nm、560nm和600nm的专用滤光片进行了研制,为保证 通带高透过率的要求和对背景光的高效抑制,采用单基片进行膜系叠加的方法进行了组合带 通滤光片的设计,并采用时间监控膜厚的双离子束溅射沉积薄膜技术进行... 文章对中心波长为488nm、520nm、560nm和600nm的专用滤光片进行了研制,为保证 通带高透过率的要求和对背景光的高效抑制,采用单基片进行膜系叠加的方法进行了组合带 通滤光片的设计,并采用时间监控膜厚的双离子束溅射沉积薄膜技术进行了镀制,成功的制备 出供生化仪使用的一系列荧光栅滤光片。 展开更多

关键词 荧光分析 栅滤光片 时间监控 双离子束溅射

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双离子束溅射淀积DLC膜的结构分析 被引量：1

5

作者 刘贵昂 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 1997年第1期6-10,共5页

用双离子束溅射法在５０℃以下的基底上淀积了类金刚石（ＤＬＣ）膜。对ＤＬＣ膜采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜及拉曼谱仪进行了结构分析。通过对扫描电子显微镜观察，发现在ＤＬＣ膜中存在金刚石微晶。通过透射电子显微镜分析，... 用双离子束溅射法在５０℃以下的基底上淀积了类金刚石（ＤＬＣ）膜。对ＤＬＣ膜采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜及拉曼谱仪进行了结构分析。通过对扫描电子显微镜观察，发现在ＤＬＣ膜中存在金刚石微晶。通过透射电子显微镜分析，确定金刚石微晶具有面心立方结构，计算出的晶格常数与标准值基本相同。通过拉曼光谱分析后，进一步验证了薄膜中金刚石微晶的存在并得出了膜中ＳＰ３Ｃ－Ｃ键所占的比例。 展开更多

关键词 结构分析 类金刚石膜 双离子束溅射法

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时间监控离子束溅射沉积倍频波长分离膜 被引量：2

6

作者 袁宏韬 张贵彦 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期370-372,共3页

采用双离子束溅射技术、时间控厚方式制备波长532nm绿光激光器用倍频波长分离膜。针对制备过程中产生的半波孔现象,在简单分析形成原因的基础上,采用分组厚度优化方式调整膜层厚度,从而制备出无半波孔的高品质倍频波长分离膜。为时间监... 采用双离子束溅射技术、时间控厚方式制备波长532nm绿光激光器用倍频波长分离膜。针对制备过程中产生的半波孔现象,在简单分析形成原因的基础上,采用分组厚度优化方式调整膜层厚度,从而制备出无半波孔的高品质倍频波长分离膜。为时间监控制备非规整膜系的厚度修正提供了一种切实可行的办法。 展开更多

关键词 倍频波长分离膜 时间监控 双离子束溅射 半波孔

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用双束溅射法在不同基片上淀积DLC膜的研究

7

作者 王维洁 王天民 +5 位作者 刘贵昂 黄良甫 罗崇泰 杨一民 刘定权 徐明 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期66-70,共5页

用双离子束溅射法,在单晶硅、玻璃、Mo 及不锈钢表面淀积了类金刚石碳膜.研究了轰击离子源能量、束流及其氢/氩气流量比对薄膜性能的影响.结果表明,淀积膜是一种键参数发生变化、由 sp^2键和 sp^3键混合组成的无序网络结构,其中局域形... 用双离子束溅射法,在单晶硅、玻璃、Mo 及不锈钢表面淀积了类金刚石碳膜.研究了轰击离子源能量、束流及其氢/氩气流量比对薄膜性能的影响.结果表明,淀积膜是一种键参数发生变化、由 sp^2键和 sp^3键混合组成的无序网络结构,其中局域形成立方金刚石微晶.随上述各可变参量的增大,薄膜电阻率及淀积了薄膜的玻璃片在1.5～5.5μm 红外区的相对透过率有一先增大后减小的规律.基体和膜粘结致密、无气孔.对所得结果进行了讨论. 展开更多

关键词 薄膜生长 双离子束溅射 淀积 DLC膜

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ZnO薄膜及其性能研究进展 被引量：21

8

作者 黄焱球 刘梅冬 +1 位作者 曾亦可 刘少波 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期391-397,共7页

ＺｎＯ薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、高频压电转换器、表面声波元件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途．Ｚ... ＺｎＯ薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、高频压电转换器、表面声波元件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途．ＺｎＯ 薄膜的制备方法多样，各具优缺点；而薄膜性质的差异则取决于不同的掺杂组分，并与制备工艺紧密相关．本文综述了ＺｎＯ薄膜的制备及性质特征，并对其发展趋势及前景进行了探讨． 展开更多

关键词 制备 氧化锌薄膜 射频溅射 双离子束溅射沉积 电子束蒸发沉积 CVD SOL-GEL 光电性质

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纳米二氧化钒薄膜的制备及红外光学性能 被引量：19

9

作者 梁继然 胡明 +6 位作者 王晓东 李贵柯 季安 杨富华 刘剑 吴南健 陈弘达 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1523-1529,共7页

采用双离子束溅射方法在Si3N4/SiO2/Si基底表面沉积氧化钒薄膜,在氮气气氛下热处理获得二氧化钒薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了热处理温度对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌和组分的影响,利... 采用双离子束溅射方法在Si3N4/SiO2/Si基底表面沉积氧化钒薄膜,在氮气气氛下热处理获得二氧化钒薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了热处理温度对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌和组分的影响,利用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对二氧化钒薄膜的红外透射性能进行了测试分析.结果表明,所制备的氧化钒薄膜以非晶态V2O5和四方金红石结构VO2为主,经400℃、2h热处理后获得了(011)择优取向的单斜金红石结构纳米VO2薄膜,提高热处理温度至450℃,纳米结构VO2薄膜的晶粒尺寸减小.FT-IR结果显示,纳米VO2薄膜透射率对比因子超过0.99,高温关闭状态下透射率接近0.小晶粒尺寸纳米VO2薄膜更适合在热光开关器件领域应用. 展开更多

关键词 双离子束溅射 纳米二氧化钒薄膜 透射率

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基片及基片温度对Fe_4N薄膜的形成及其特性的影响 被引量：2

10

作者 诸葛兰剑 姚伟国 +1 位作者 吴雪梅 王文宝 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期477-478,481,共3页

以双离子束溅射法在 (111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ′ Fe4 N薄膜 ,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响。结果表明 ,以 (111)硅片为基片 ,可制得无晶粒择优取向的单一γ′ Fe4 N相 ;而以玻璃为基片 ,在基片温度为160℃... 以双离子束溅射法在 (111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ′ Fe4 N薄膜 ,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响。结果表明 ,以 (111)硅片为基片 ,可制得无晶粒择优取向的单一γ′ Fe4 N相 ;而以玻璃为基片 ,在基片温度为160℃时 ,则可制得具有 (10 0 )面晶粒取向的单一γ′ Fe4 N相薄膜 ;与无晶粒择优取向的γ′ Fe4 N相比较 ,具有 (10 0 )面晶粒取向的γ′ Fe4 N相的矫顽力较低 ,易达到磁饱和 ,但二者的饱和磁化强度基本一致。 展开更多

关键词 基片温度 双离子束溅射 基片 γ-Fe4N薄膜 晶粒取向

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高色散系数线性渐变滤光片的研制 被引量：5

11

作者 张建 高劲松 李玉东 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1221-1226,共6页

采用双离子束溅射物理沉积方法,通过修正线性渐变沉积速率制备了高透过率、高色散系数的线性渐变滤光片。在不同材料的膜厚修正过程中,通过匹配高低折射率材料的线性渐变趋势来减小两种材料的失配误差。利用微小光斑测试方法获得了线性... 采用双离子束溅射物理沉积方法,通过修正线性渐变沉积速率制备了高透过率、高色散系数的线性渐变滤光片。在不同材料的膜厚修正过程中,通过匹配高低折射率材料的线性渐变趋势来减小两种材料的失配误差。利用微小光斑测试方法获得了线性渐变滤光片的线性渐变光谱数据,使用扫描电子显微镜表征了滤光片的表面形貌及微观结构。测试结果表明：制备的线性渐变滤光片各个位置的中心波长峰值透过率均达到85%以上,其工作波长为650~1 050nm,中心波长的线性变化率为20nm/mm,线性度误差在5nm以内,带外截止度在0.1%以下。制备的线性渐变滤光片不仅具有好的光谱特性,也具有良好的稳定性,完全满足滤光片在空间应用时对小型化、集成化和稳定性的需求。 展开更多

关键词 线性渐变滤光片 双离子束溅射 色散 透过率 膜厚修正

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一种日夜两用光学低通滤波器的研制 被引量：5

12

作者 袁宏韬 张贵彦 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期570-574,共5页

利用石英晶体的双折射效应和特殊红外截止滤光片设计并实现了一种日夜两用光学低通滤波器。该滤波器置于CCD摄像机传感器前可以有效地降低或消除离散光电探测器对不同空间频率目标成像所产生的拍频效应或条纹混叠现象,并能消除红外光对... 利用石英晶体的双折射效应和特殊红外截止滤光片设计并实现了一种日夜两用光学低通滤波器。该滤波器置于CCD摄像机传感器前可以有效地降低或消除离散光电探测器对不同空间频率目标成像所产生的拍频效应或条纹混叠现象,并能消除红外光对彩色还原的影响,从而提高了CCD摄像机成像的视觉效果。在分析光学低通滤波器原理和红外截止滤光片作用的基础上,设计了一种特殊的红外截止膜系,可使CCD摄像机白天成彩色像,夜晚成黑白像。采用双离子束溅射技术在石英晶体薄片上淀积了该膜系,经测试,光谱特性满足设计要求,成像效果理想。 展开更多

关键词 光学低通滤波器 红外截止膜 双离子束溅射

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高速电光调制器波导测试系统滤光片的研制 被引量：1

13

作者 付秀华 唐昊龙 +2 位作者 刘国军 刘凤娥 张静 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第12期3380-3385,共6页

为了同时实现高双折射高非线性并得到低损耗，设计一种在光纤纤芯附近引入椭圆形空气孔和圆形空气孔组成的新型优化的八边形光子晶体光纤。采用全矢量有限元法结合各向异性完美匹配层，对该光纤的有效面积、非线性、双折射和损耗特性进... 为了同时实现高双折射高非线性并得到低损耗，设计一种在光纤纤芯附近引入椭圆形空气孔和圆形空气孔组成的新型优化的八边形光子晶体光纤。采用全矢量有限元法结合各向异性完美匹配层，对该光纤的有效面积、非线性、双折射和损耗特性进行了模拟分析。数值模拟结果表明，通过选择适当的结构参数，在波长1.55μm处，该光纤具有高双折射高达B=1.68×10-2，比普通光纤高两个数量级，高非线性系数为γ=60 W-1km-1和低损为0.6 dB/km。这种具有高双折射高非线性系数的光纤可用于光通信、偏振敏感的各种设备和产生超连续普等领域。 展开更多

关键词 薄膜 高截止度滤光膜 双离子束溅射 波导测试系统

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Ge-SiO_2与Si-SiO_2薄膜中颗粒形成的对比研究

14

作者 成珏飞 吴雪梅 诸葛兰剑 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期245-248,共4页

以Ge SiO2 和Si SiO2 复合靶作为溅射靶 ,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge SiO2 和Si SiO2 薄膜。然后分别在N2 气氛中经过 6 0 0℃— 10 0 0℃的不同温度的退火。通过X射线衍射 (XRD) ,透射电子显微镜 (TEM) ,光... 以Ge SiO2 和Si SiO2 复合靶作为溅射靶 ,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge SiO2 和Si SiO2 薄膜。然后分别在N2 气氛中经过 6 0 0℃— 10 0 0℃的不同温度的退火。通过X射线衍射 (XRD) ,透射电子显微镜 (TEM) ,光电子能谱 (XPS)分析等测试手段 ,将两种薄膜进行了比较。在Ge SiO2 样品中 ,随退火温度的升高 ,会发生GeOx 的热分解或者与Si发生化学反应 ,引起部分氧原子逸出和Ge原子的扩散和聚集 ,从而形成纳米Ge的晶粒。在Si SiO2 薄膜样品中 ,由于Si的成核长大速率较低 ,因而颗粒长大的速率较慢 ,薄膜内不易形成Si颗粒。只有经 10 0 0℃高温退火后样品中才有少量单质Si颗粒形成。 展开更多

关键词 SIO2薄膜 射频磁控溅射技术 光电子能谱 氧原子 双离子束溅射 颗粒 溅射靶 速率 高温退火 退火温度

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α-SiO_x∶C薄膜的结构与发光特性研究 被引量：1

15

作者 李群 诸葛兰剑 +1 位作者 吴雪梅 项苏留 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期92-94,共3页

采用双离子束共溅射法制备了SiOx∶C薄膜。对样品的XRD和TEM测试结果表明薄膜为非晶结构 ;PL谱图显示有两个发光峰分别位于 4 2 0nm(紫光 )、4 70nm(蓝绿光 )处 ;4 70nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷 (O3 Si- S... 采用双离子束共溅射法制备了SiOx∶C薄膜。对样品的XRD和TEM测试结果表明薄膜为非晶结构 ;PL谱图显示有两个发光峰分别位于 4 2 0nm(紫光 )、4 70nm(蓝绿光 )处 ;4 70nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷 (O3 Si- SiO3 ) ,是由与氧原子配位的二价硅的单态以及三态 单态之间的跃迁所致 ,而与掺碳无关。进一步的XPS测试分析表明 ,4 2 0nm处的PL峰位可能来自于Si、C。 展开更多

关键词 发光特性 双离子束共溅射法 α-SiOx:C薄膜 非晶结构 PL谱图

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镀膜技术及设备

16

《中国光学》 EI CAS 1996年第1期61-62,共2页

TB84.41 96010427四靶双离子束溅射仪制备软x光衍射色散元件=Fabrication of soft X—ray diffraction disper-sive element by a four—target double ionbeam sputtering apparatus[刊,中]/袁利祥,范正修(中科院上海光机所。上海(2018... TB84.41 96010427四靶双离子束溅射仪制备软x光衍射色散元件=Fabrication of soft X—ray diffraction disper-sive element by a four—target double ionbeam sputtering apparatus[刊,中]/袁利祥,范正修(中科院上海光机所。上海(201800)),崔明启(中科院高能物理所。北京(100039))。 展开更多

关键词 金刚石膜 中科院 制备 双离子束溅射 氮化硼薄膜 色散元件 热丝法 凝胶法 上海 膜科学

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