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Cd_xTe薄膜的共蒸发法制备及其表征
1
作者
束青
武莉莉
+5 位作者
冯良桓
王文武
曹五星
张静全
李卫
黎兵
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期1099-1104,共6页
采用Cd Te和Te双源共蒸发的方法,调控Cd Te和Te源的蒸发速率,首次制备出一系列不同x组分的CdxTe二元化合物薄膜,并在N2气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外–可见吸收光谱分析及暗电导率–温度关系对CdxTe薄膜的结构、形貌...
采用Cd Te和Te双源共蒸发的方法,调控Cd Te和Te源的蒸发速率,首次制备出一系列不同x组分的CdxTe二元化合物薄膜,并在N2气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外–可见吸收光谱分析及暗电导率–温度关系对CdxTe薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外–可见吸收光谱分析表明,不同x组分的CdxTe薄膜,其禁带宽度可在0.99～1.46 e V之间变化,随着x值从0.8减小到0.2,吸收边向长波方向移动,而且透过率也显著下降。XRD结果表明,x值小于0.6时,刚沉积的CdxTe薄膜为非晶相;随着x的值逐渐靠近1,刚沉积的薄膜明显结晶,沿Cd Te（111）方向择优生长,退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。CdxTe薄膜的导电类型为p型,其暗电导率随温度的上升而增大,当温度继续升高至临界点时,薄膜暗电导率–温度关系出现反常。这些结果表明,CdxTe薄膜将有望用于Cd Te薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。
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关键词
CdxTe薄膜
双源共蒸发
CDTE太阳电池
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职称材料
题名
Cd_xTe薄膜的共蒸发法制备及其表征
1
作者
束青
武莉莉
冯良桓
王文武
曹五星
张静全
李卫
黎兵
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期1099-1104,共6页
基金
国家973计划项目(2011CBA00708)~~
文摘
采用Cd Te和Te双源共蒸发的方法,调控Cd Te和Te源的蒸发速率,首次制备出一系列不同x组分的CdxTe二元化合物薄膜,并在N2气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外–可见吸收光谱分析及暗电导率–温度关系对CdxTe薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外–可见吸收光谱分析表明,不同x组分的CdxTe薄膜,其禁带宽度可在0.99～1.46 e V之间变化,随着x值从0.8减小到0.2,吸收边向长波方向移动,而且透过率也显著下降。XRD结果表明,x值小于0.6时,刚沉积的CdxTe薄膜为非晶相;随着x的值逐渐靠近1,刚沉积的薄膜明显结晶,沿Cd Te（111）方向择优生长,退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。CdxTe薄膜的导电类型为p型,其暗电导率随温度的上升而增大,当温度继续升高至临界点时,薄膜暗电导率–温度关系出现反常。这些结果表明,CdxTe薄膜将有望用于Cd Te薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。
关键词
CdxTe薄膜
双源共蒸发
CDTE太阳电池
Keywords
CdxTe thin films
co-evaporation
CdTe solar cells
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cd_xTe薄膜的共蒸发法制备及其表征
束青
武莉莉
冯良桓
王文武
曹五星
张静全
李卫
黎兵
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
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