期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
ZnGeAs_2多晶合成与表征
1
作者
钟义凯
赵北君
+5 位作者
何知宇
黄巍
陈宝军
朱世富
杨登辉
冯波
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期393-397,共5页
ZnGeAs_2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs_2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs_2多晶合成方法。以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料...
ZnGeAs_2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs_2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs_2多晶合成方法。以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料,采用双温区合成方法,辅以机械、温度振荡和梯度降温的合成工艺,合成出均匀致密的单相ZnGeAs_2多晶。经XRD和EDS分析表明:合成产物为黄铜矿结构的单相ZnGeAs_2多晶,晶胞常数为a=b=0.56745 nm,c=1.11580 nm,与标准PDF卡片(No.730397)一致;各组成元素的原子比Zn∶Ge∶AS=1.00∶0.98∶1.95,接近理想化学计量比。上述分析结果表明,合成产物可用于ZnGeAs_2单晶生长,为进一步研究ZnGeAs_2晶体的非线性光学性能和应用奠定了较好的基础。
展开更多
关键词
红外非线性光学晶体
砷锗锌
多晶
合成
双温区合成方法
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
ZnGeAs_2多晶合成与表征
1
作者
钟义凯
赵北君
何知宇
黄巍
陈宝军
朱世富
杨登辉
冯波
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期393-397,共5页
文摘
ZnGeAs_2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs_2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs_2多晶合成方法。以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料,采用双温区合成方法,辅以机械、温度振荡和梯度降温的合成工艺,合成出均匀致密的单相ZnGeAs_2多晶。经XRD和EDS分析表明:合成产物为黄铜矿结构的单相ZnGeAs_2多晶,晶胞常数为a=b=0.56745 nm,c=1.11580 nm,与标准PDF卡片(No.730397)一致;各组成元素的原子比Zn∶Ge∶AS=1.00∶0.98∶1.95,接近理想化学计量比。上述分析结果表明,合成产物可用于ZnGeAs_2单晶生长,为进一步研究ZnGeAs_2晶体的非线性光学性能和应用奠定了较好的基础。
关键词
红外非线性光学晶体
砷锗锌
多晶
合成
双温区合成方法
Keywords
infrared nonlinear optical crystal
ZnGeAs2
polycrystal synthesis
two-temperature zone method
分类号
O782 [理学—晶体学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnGeAs_2多晶合成与表征
钟义凯
赵北君
何知宇
黄巍
陈宝军
朱世富
杨登辉
冯波
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
