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ϕ60 mm大尺寸红外非线性BaGa_(4)Se_(7)晶体与器件制备
1
作者
王振友
毛长宇
+3 位作者
陈伟豪
徐俊杰
余学舟
吴海信
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第6期909-911,共3页
硒镓钡(BaGa_(4)Se_(7),BGSe)晶体是一种综合性能优异的新型红外非线性光学晶体。制备大尺寸、高品质BGSe晶体是目前研究的主要目标。本实验室采用双温区合成炉单次实现500 g以上高纯BGSe多晶原料合成;采用改进的布里奇曼法生长出ϕ60 mm...
硒镓钡(BaGa_(4)Se_(7),BGSe)晶体是一种综合性能优异的新型红外非线性光学晶体。制备大尺寸、高品质BGSe晶体是目前研究的主要目标。本实验室采用双温区合成炉单次实现500 g以上高纯BGSe多晶原料合成;采用改进的布里奇曼法生长出ϕ60 mm BGSe晶体棒;通过定向、切割和抛光等加工,制备出10 mm×10 mm×50 mm以上BGSe激光频率转换器件。制备的晶体与器件尺寸均为目前报道的最大值,可为中长波红外激光输出研究提供晶体及器件支撑。
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关键词
BaGa_(4)Se_(7)单晶
双温区合成
改进的布里奇曼法
激光频率转换器件
中长波红外
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职称材料
ZnGeAs_2多晶合成与表征
2
作者
钟义凯
赵北君
+5 位作者
何知宇
黄巍
陈宝军
朱世富
杨登辉
冯波
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期393-397,共5页
ZnGeAs_2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs_2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs_2多晶合成方法。以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料...
ZnGeAs_2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs_2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs_2多晶合成方法。以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料,采用双温区合成方法,辅以机械、温度振荡和梯度降温的合成工艺,合成出均匀致密的单相ZnGeAs_2多晶。经XRD和EDS分析表明:合成产物为黄铜矿结构的单相ZnGeAs_2多晶,晶胞常数为a=b=0.56745 nm,c=1.11580 nm,与标准PDF卡片(No.730397)一致;各组成元素的原子比Zn∶Ge∶AS=1.00∶0.98∶1.95,接近理想化学计量比。上述分析结果表明,合成产物可用于ZnGeAs_2单晶生长,为进一步研究ZnGeAs_2晶体的非线性光学性能和应用奠定了较好的基础。
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关键词
红外非线性光学晶体
砷锗锌
多晶
合成
双温区合成
方法
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职称材料
题名
ϕ60 mm大尺寸红外非线性BaGa_(4)Se_(7)晶体与器件制备
1
作者
王振友
毛长宇
陈伟豪
徐俊杰
余学舟
吴海信
机构
中国科学院合肥物质科学研究院
中国科学技术大学
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第6期909-911,共3页
基金
国家重点研发计划(2021YFB3601503)
国防科工局(JPPT-145-GH-2-024)
国家自然科学基金(52472016)。
文摘
硒镓钡(BaGa_(4)Se_(7),BGSe)晶体是一种综合性能优异的新型红外非线性光学晶体。制备大尺寸、高品质BGSe晶体是目前研究的主要目标。本实验室采用双温区合成炉单次实现500 g以上高纯BGSe多晶原料合成;采用改进的布里奇曼法生长出ϕ60 mm BGSe晶体棒;通过定向、切割和抛光等加工,制备出10 mm×10 mm×50 mm以上BGSe激光频率转换器件。制备的晶体与器件尺寸均为目前报道的最大值,可为中长波红外激光输出研究提供晶体及器件支撑。
关键词
BaGa_(4)Se_(7)单晶
双温区合成
改进的布里奇曼法
激光频率转换器件
中长波红外
Keywords
BaGa_(4)Se_(7)single crystal
two-temperature zone synthesis
modified Bridgman method
laser frequency conversion device
mid-to long-wave infrared
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
ZnGeAs_2多晶合成与表征
2
作者
钟义凯
赵北君
何知宇
黄巍
陈宝军
朱世富
杨登辉
冯波
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期393-397,共5页
文摘
ZnGeAs_2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs_2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs_2多晶合成方法。以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料,采用双温区合成方法,辅以机械、温度振荡和梯度降温的合成工艺,合成出均匀致密的单相ZnGeAs_2多晶。经XRD和EDS分析表明:合成产物为黄铜矿结构的单相ZnGeAs_2多晶,晶胞常数为a=b=0.56745 nm,c=1.11580 nm,与标准PDF卡片(No.730397)一致;各组成元素的原子比Zn∶Ge∶AS=1.00∶0.98∶1.95,接近理想化学计量比。上述分析结果表明,合成产物可用于ZnGeAs_2单晶生长,为进一步研究ZnGeAs_2晶体的非线性光学性能和应用奠定了较好的基础。
关键词
红外非线性光学晶体
砷锗锌
多晶
合成
双温区合成
方法
Keywords
infrared nonlinear optical crystal
ZnGeAs2
polycrystal synthesis
two-temperature zone method
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ϕ60 mm大尺寸红外非线性BaGa_(4)Se_(7)晶体与器件制备
王振友
毛长宇
陈伟豪
徐俊杰
余学舟
吴海信
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
ZnGeAs_2多晶合成与表征
钟义凯
赵北君
何知宇
黄巍
陈宝军
朱世富
杨登辉
冯波
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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