基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(p HEMT)工艺,设计了一款18~40 GHz的无源双平衡混频器。该混频器采用肖特基二极管构成的混频环和3耦合线Marchand巴伦的结构,提高工作带宽的同时也减小了芯片尺寸。当本振(LO)功率为14 d Bm、中...基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(p HEMT)工艺,设计了一款18~40 GHz的无源双平衡混频器。该混频器采用肖特基二极管构成的混频环和3耦合线Marchand巴伦的结构,提高工作带宽的同时也减小了芯片尺寸。当本振(LO)功率为14 d Bm、中频(IF)频率为100 MHz时,常温下流片测试的各项参数典型值为上下变频模式下LO/射频(RF)频段覆盖18~40 GHz,带内变频损耗为-7 d B,1 d B压缩点功率值为10 d Bm,LO到RF端口的隔离度为-25 d B,同时其余各端口之间具有优良的隔离度。中频频率覆盖DC~20 GHz,芯片尺寸为1.63 mm×0.97 mm。展开更多
文章介绍了用于实现LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷)双平衡星型混频器的宽带巴伦设计。该巴伦是基于LTCC技术设计的多层结构巴伦,由2个相同的Marchand巴伦组成,采用宽边耦合线结构,提高了耦合系数,从而增加了巴伦...文章介绍了用于实现LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷)双平衡星型混频器的宽带巴伦设计。该巴伦是基于LTCC技术设计的多层结构巴伦,由2个相同的Marchand巴伦组成,采用宽边耦合线结构,提高了耦合系数,从而增加了巴伦的带宽。设计的巴伦在5.575～6.775 GHz的频率范围内,其幅度不平衡度小于0.1 dB,带内相位差为180±6°,可应用于C频段LTCC双平衡星型混频器。展开更多
文摘基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(p HEMT)工艺,设计了一款18~40 GHz的无源双平衡混频器。该混频器采用肖特基二极管构成的混频环和3耦合线Marchand巴伦的结构,提高工作带宽的同时也减小了芯片尺寸。当本振(LO)功率为14 d Bm、中频(IF)频率为100 MHz时,常温下流片测试的各项参数典型值为上下变频模式下LO/射频(RF)频段覆盖18~40 GHz,带内变频损耗为-7 d B,1 d B压缩点功率值为10 d Bm,LO到RF端口的隔离度为-25 d B,同时其余各端口之间具有优良的隔离度。中频频率覆盖DC~20 GHz,芯片尺寸为1.63 mm×0.97 mm。
