检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能被引量：3: 1; 作者周晓敏马后成高大威《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD 2017年第1期79-86,共8页; 为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流-直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件。基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器... 展开更多; 关键词燃料电池汽车直流-直流(DC-DC)变换器交错式双Boost电路 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电路损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

考虑异质器件混用与输出电平倍增的混合型MMC及其调控方法被引量：6: 2; 作者任鹏涂春鸣 +3 位作者侯玉超郭祺刘海军王鑫《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期128-136,共9页; 首先,为提高模块化多电平换流器(MMC)输出波形质量、降低装置运行损耗,提出一种基于Si和SiC器件组合应用的混合型模块化多电平变换器(HMMC)拓扑结构。该拓扑每个桥臂包含N个Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件的半桥子模块,每相交流侧串联一... 展开更多; 关键词模块化多电平换流器 Si绝缘栅双极晶体管 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管混合调制电压平衡控制效率优化; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响被引量：1: 3; 作者高秀秀柯攀戴小平《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期217-221,236,共6页; 为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175... 展开更多; 关键词 4H-SIC 双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(dimosfet) 界面陷阱沟道迁移率库仑散射温度指数 TCAD仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续) 被引量：3: 4; 作者赵正平《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期249-265,287,共18页; 进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸... 展开更多; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC电力电子学产业化技术的创新发展被引量：3: 5; 作者赵正平《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期161-178,共18页; 进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸... 展开更多; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能被引量：3: 1; 作者周晓敏马后成高大威; 机构北京科技大学机械工程学院清华大学汽车安全与节能国家重点实验室; 出处《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD 2017年第1期79-86,共8页; 基金国家科技支掌计划项目(2015BAG06B01) 汽车安全与节能国家重点实验室开放基金(KF14132); 文摘为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流-直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件。基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件、SiC二极管]、SiC MOSFET和Si二极管的混合器件和全硅Si[绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件、Si二极管]的变换器在电路损耗。结果表明:Si IGBT的开通和关断损耗约是SiC MOSFET的3倍和10倍,在不同工况下,全SiC变换器的转换效率比全Si变换器高1%~3.1%。因而,SiC功率器件在大功率DC-DC变换器的应用中,能够提高功率密度、可靠性和动力系统工作效率。; 关键词燃料电池汽车直流-直流(DC-DC)变换器交错式双Boost电路 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电路损耗; Keywords fuel cell vehicles DC-DC converter interleaved dual Boost circuit SiC MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor） Si IGBT（insulated gate bipolar transistor） circuit loss; 分类号 TM131.3 [电气工程—电工理论与新技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名考虑异质器件混用与输出电平倍增的混合型MMC及其调控方法被引量：6: 2; 作者任鹏涂春鸣侯玉超郭祺刘海军王鑫; 机构国家电能变换与控制工程技术研究中心(湖南大学) 国网智能电网研究院有限公司; 出处《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期128-136,共9页; 基金国家重点研发计划资助项目(2022YFB3604105)。; 文摘首先,为提高模块化多电平换流器(MMC)输出波形质量、降低装置运行损耗,提出一种基于Si和SiC器件组合应用的混合型模块化多电平变换器(HMMC)拓扑结构。该拓扑每个桥臂包含N个Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件的半桥子模块,每相交流侧串联一个直流侧电压为半桥子模块一半的SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)全桥子模块,整体经济性较好。其次,提出一种面向输出电平数倍增的HMMC高、低频混合调制策略,并充分发挥SiC MOSFET开关损耗低的优势,在减小HMMC输出谐波的同时降低整体运行损耗。此外,分析混合调制策略下HMMC异质子模块直流侧能量的波动规律,提出一种高、低频模块直流侧电压稳定控制策略。最后,仿真和实验验证了所提HMMC拓扑结构和调制策略的可行性,并将所提HMMC、基于单一器件MMC和现有HMMC在损耗和成本方面进行综合对比,证明了该方案在降低损耗和减小成本方面优势显著。; 关键词模块化多电平换流器 Si绝缘栅双极晶体管 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管混合调制电压平衡控制效率优化; Keywords modular multilevel converter(MMC) Si IGBT SiC MOSFET hybrid modulation voltage balance control efficiency optimization; 分类号 TM46 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响被引量：1: 3; 作者高秀秀柯攀戴小平; 机构湖南国芯半导体科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期217-221,236,共6页; 基金湖南省科技创新计划项目(2018XK2202)。; 文摘为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175℃下进行了阈值电压和漏源电流的测试,并结合仿真探讨了SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对25℃和175℃结温下阈值电压的影响以及沟道迁移率和库仑散射温度指数对漏源电流的影响。实验和仿真结果表明,随着NO退火温度的降低,漏源电流的温度系数由负转正,且沟道迁移率中库仑散射温度指数增加;高温N_(2)退火对静态电参数没有影响;界面空穴陷阱能级宽度对阈值电压的高温漂移量起主要作用;漏源电流随沟道迁移率的增加呈非线性增长。; 关键词 4H-SIC 双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(dimosfet) 界面陷阱沟道迁移率库仑散射温度指数 TCAD仿真; Keywords 4H-SiC double implanted metal-oxide-semiconductor field effect transistor(dimosfet) interface trap channel mobility Coulomb scattering temperature index TCAD simulation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续) 被引量：3: 4; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期249-265,287,共18页; 文摘进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸SiC单晶,低成本SiC功率器件制造,SiC二极管、SiC MOSFET、SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和SiC门极关断晶闸管(GTO)等功率器件,SiC封装和模块,以及高开关频率SiC器件的应用创新等产业化技术方面的最新进展。其中包含了大尺寸SiC单晶生长技术,基于商用Si CMOS生产线的SiC功率器件制备新工艺,SiC二极管的新结构与新工艺,SiC MOSFET的超级结结构、FinFET结构、高k介质栅与可靠性技术,SiC IGBT和SiC GTO的n沟道新器件及载流子寿命增强新工艺,SiC功率模块的设计与新装联工艺,SiC功率器件应用的新拓扑结构,栅极驱动电路与抑制寄生效应的新技术等。分析和评价了SiC电力电子学产业化的发展态势。; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; Keywords SiC single crystal SiC diode SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET) SiC insulate gate bipolar transistor(IGBT) SiC gate turn-off thyristor(GTO) SiC power module; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC电力电子学产业化技术的创新发展被引量：3: 5; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期161-178,共18页; 文摘进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸SiC单晶,低成本SiC功率器件制造,SiC二极管、SiC MOSFET、SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和SiC门极关断晶闸管(GTO)等功率器件,SiC封装和模块,以及高开关频率SiC器件的应用创新等产业化技术方面的最新进展。其中包含了大尺寸SiC单晶生长技术,基于商用Si CMOS生产线的SiC功率器件制备新工艺,SiC二极管的新结构与新工艺,SiC MOSFET的超级结结构、FinFET结构、高k介质栅与可靠性技术,SiC IGBT和SiC GTO的n沟道新器件及载流子寿命增强新工艺,SiC功率模块的设计与新装联工艺,SiC功率器件应用的新拓扑结构,栅极驱动电路与抑制寄生效应的新技术等。分析和评价了SiC电力电子学产业化的发展态势。; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; Keywords SiC single crystal SiC diode SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET) SiC insulate gate bipolar transistor(IGBT) SiC gate turn-off thyristor(GTO) SiC power module; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能	周晓敏马后成高大威	《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	考虑异质器件混用与输出电平倍增的混合型MMC及其调控方法	任鹏涂春鸣侯玉超郭祺刘海军王鑫	《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心	2024	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响	高秀秀柯攀戴小平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续)	赵正平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiC电力电子学产业化技术的创新发展	赵正平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料