TN241 99020837半导体Ⅱ—一类量子阱中法诺态的结构和自发辐射对无粒子数反转光增益过程的作用=Effects of structureof Fano states and spontaneous emissionon optical gain without inversion in type—Ⅱsemiconductor quantum we...TN241 99020837半导体Ⅱ—一类量子阱中法诺态的结构和自发辐射对无粒子数反转光增益过程的作用=Effects of structureof Fano states and spontaneous emissionon optical gain without inversion in type—Ⅱsemiconductor quantum wells[刊,中]/郭长志,郭九苓,王舒民(北京大学物理系.北京(100871)),陈水莲(清华大学应用数学系.北京(100084))∥半导体学报.—1998,19(2).—81-91从全量子理论出发,分析了在Ⅱ类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制,量子阱层导带г—能谷和势垒层导带X能谷混合形成的量子相干法诺态的能谱结构,及其对光吸收几率的法诺量子干涉效应。展开更多
文摘TN241 99020837半导体Ⅱ—一类量子阱中法诺态的结构和自发辐射对无粒子数反转光增益过程的作用=Effects of structureof Fano states and spontaneous emissionon optical gain without inversion in type—Ⅱsemiconductor quantum wells[刊,中]/郭长志,郭九苓,王舒民(北京大学物理系.北京(100871)),陈水莲(清华大学应用数学系.北京(100084))∥半导体学报.—1998,19(2).—81-91从全量子理论出发,分析了在Ⅱ类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制,量子阱层导带г—能谷和势垒层导带X能谷混合形成的量子相干法诺态的能谱结构,及其对光吸收几率的法诺量子干涉效应。
