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双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的孔隙率研究被引量：5: 1; 作者房振乾胡明窦雁巍《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第2期230-232,236,共4页; 采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究了腐蚀条件及硅基体掺杂浓度对多孔硅孔隙率的影响,并且结合原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)技术对所制备的多孔硅的表面形貌和断面形貌进行了分析表征。研究发现,通过合理的选择工艺参... 展开更多; 关键词多孔硅双槽电化学腐蚀法腐蚀条件掺杂浓度孔隙率; 在线阅读下载PDF 职称材料

双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的研究: 2; 作者张萍娄利飞 +1 位作者柴常春杨银堂《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期740-742,共3页; 论述了多孔硅的特点和制备方法,简单介绍双槽电化学腐蚀法的特点,并采用双槽电化学腐蚀法成功制备了多孔硅。多孔硅的扫描电镜(SEM)照片表明,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀结构规则。实验结果表明,衬底导电类型影响着多孔硅的制备条件。; 关键词牺牲层多孔硅双槽电化学腐蚀法; 在线阅读下载PDF 职称材料

多孔硅电学特性研究被引量：3: 3; 作者房振乾胡明 +1 位作者刘博宋阳《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期9-13,17,共6页; 采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多孔硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构。主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响。结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流... 展开更多; 关键词多孔硅双槽电化学腐蚀法 I-V特性欧姆接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

n型多孔硅的制备及其光致发光性能被引量：1: 4; 作者宋晓岚喻振兴 +3 位作者程蕾吴长荣张泰隆邓大宝《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期1229-1233,共5页; 采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅（n-PS）;在室温下,采用500~700 nm范围内荧光光谱和扫描电镜（SEM）测试系统研究光照、腐蚀时间、电解液含量、腐蚀电流密度及单晶硅掺杂含量等对n-PS的形成、结构形貌... 展开更多; 关键词 n型多孔硅双槽电化学腐蚀法光照条件光致发光性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

微传感器制备中多孔硅牺牲层技术的研究: 5; 作者娄利飞李跃进 +1 位作者杨银堂汪家友《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期187-189,共3页; 采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅,从多孔硅的SEM照片中发现,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀深度大(超过100μm),在极稀的弱碱溶液中就可以得到去除,然后对双槽化学腐蚀法中腐蚀时间及电流对腐蚀速率的影响进行了研究,最后进一步探讨... 展开更多; 关键词多孔硅牺牲层 MEMS 双槽电化学腐蚀法; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的孔隙率研究被引量：5: 1; 作者房振乾胡明窦雁巍; 机构天津大学电子信息工程学院; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第2期230-232,236,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60371030 60071027) 天津市自然科学基金资助项目(023603811); 文摘采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究了腐蚀条件及硅基体掺杂浓度对多孔硅孔隙率的影响,并且结合原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)技术对所制备的多孔硅的表面形貌和断面形貌进行了分析表征。研究发现,通过合理的选择工艺参数,可以制备具有特定孔隙率的多孔硅薄膜,可广泛的应用于微电子机械系统(MEMS)技术中。; 关键词多孔硅双槽电化学腐蚀法腐蚀条件掺杂浓度孔隙率; Keywords porous silicon double-tank electrochemical corrosion method etching conditions doping concentration porosity; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的研究: 2; 作者张萍娄利飞柴常春杨银堂; 机构西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期740-742,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(90207022); 文摘论述了多孔硅的特点和制备方法,简单介绍双槽电化学腐蚀法的特点,并采用双槽电化学腐蚀法成功制备了多孔硅。多孔硅的扫描电镜(SEM)照片表明,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀结构规则。实验结果表明,衬底导电类型影响着多孔硅的制备条件。; 关键词牺牲层多孔硅双槽电化学腐蚀法; Keywords sacrifice porous silicon double-cell electrochemical etching; 分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多孔硅电学特性研究被引量：3: 3; 作者房振乾胡明刘博宋阳; 机构天津大学电子信息工程学院; 出处《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期9-13,17,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(6037103060771019); 文摘采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多孔硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构。主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响。结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性。; 关键词多孔硅双槽电化学腐蚀法 I-V特性欧姆接触; Keywords porous silicon double-tank electrochemical corrosion method LV characteristics ohmiccontact; 分类号 O472 [理学—半导体物理] O478 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名n型多孔硅的制备及其光致发光性能被引量：1: 4; 作者宋晓岚喻振兴程蕾吴长荣张泰隆邓大宝; 机构中南大学资源加工与生物工程学院; 出处《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期1229-1233,共5页; 基金科技部国际科技合作项目(2005DFBA028) 国家大学生创新性实验计划项目(LA09062); 文摘采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅（n-PS）;在室温下,采用500~700 nm范围内荧光光谱和扫描电镜（SEM）测试系统研究光照、腐蚀时间、电解液含量、腐蚀电流密度及单晶硅掺杂含量等对n-PS的形成、结构形貌和光致发光性能（PL）的影响。研究结果表明,通过光照,能获得具有均匀孔分布和良好发光特性的n-PS,在约600 nm处产生较强荧光峰;随腐蚀时间、HF含量和电流密度增加,PL峰位先发生蓝移,而后又出现红移;PL发光性能呈先增强后减弱变化趋势,分别在腐蚀时间为20 min、HF含量为6%和电流密度为60 mA/cm2时峰强出现极大值;而提高掺杂含量,PL性能降低。; 关键词 n型多孔硅双槽电化学腐蚀法光照条件光致发光性能; Keywords porous silicon double-tank electrochemical corrosion method illumination photoluminescence property; 分类号 TN304.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微传感器制备中多孔硅牺牲层技术的研究: 5; 作者娄利飞李跃进杨银堂汪家友; 机构西安电子科技大学微电子所; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期187-189,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(90207022) 武器装备预研基金资助项目(51411040105DZ0141); 文摘采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅,从多孔硅的SEM照片中发现,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀深度大(超过100μm),在极稀的弱碱溶液中就可以得到去除,然后对双槽化学腐蚀法中腐蚀时间及电流对腐蚀速率的影响进行了研究,最后进一步探讨了多孔硅外貌与硅衬底晶向之间的关系。; 关键词多孔硅牺牲层 MEMS 双槽电化学腐蚀法; Keywords porous silicon sacrifice layer micro-electro-mechanical systems double-cell electrochemical etching; 分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的孔隙率研究	房振乾胡明窦雁巍	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2007	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的研究	张萍娄利飞柴常春杨银堂	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	多孔硅电学特性研究	房振乾胡明刘博宋阳	《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	n型多孔硅的制备及其光致发光性能	宋晓岚喻振兴程蕾吴长荣张泰隆邓大宝	《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	微传感器制备中多孔硅牺牲层技术的研究	娄利飞李跃进杨银堂汪家友	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料