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1
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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应 |
李勇
谢海燕
杨志强
宣春
夏洪富
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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2
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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 |
刁文豪
江伟华
王新新
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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3
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用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路 |
张新
高勇
刘善喜
安涛
徐春叶
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《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
0 |
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4
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高压抗辐射横向扩散金属氧化物半导体的设计与研究 |
初飞
陈洪转
彭领
王瑛
宁静怡
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《辐射研究与辐射工艺学报》
CAS
CSCD
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2022 |
1
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5
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部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型 |
李尊朝
罗诚
王闯
苗治聪
张莉丽
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《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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6
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超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展 |
赵正平
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2019 |
4
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7
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大功率半导体技术现状及其进展 |
刘国友
王彦刚
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
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《机车电传动》
北大核心
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2021 |
14
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8
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复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究 |
王栋
周爱榕
高珊
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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9
|
纳米双栅MOS器件的二维量子模拟 |
王豪
王高峰
常胜
黄启俊
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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10
|
短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型 |
王睿
赵青云
朱兆旻
顾晓峰
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
3
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11
|
双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型 |
王睿
赵青云
朱兆旻
顾晓峰
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
1
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12
|
短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析 |
朱兆旻
王睿
赵青云
顾晓峰
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2014 |
3
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13
|
纵向对称双硅栅薄膜MOSFET的等电位近似模型 |
沈寅华
李伟华
叶晖
陈炜
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《固体电子学研究与进展》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2002 |
0 |
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14
|
类钙钛矿结构的稀土锰氧化物中的导电机制 |
刘新典
刘金伟
李志青
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《河北工业大学学报》
CAS
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2001 |
0 |
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15
|
三栅FET的总剂量辐射效应研究 |
刘诗尧
贺威
曹建明
黄思文
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2013 |
1
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16
|
双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型 |
李尚君
高珊
储晓磊
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2015 |
1
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17
|
用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷 |
贾高升
许铭真
谭长华
段小蓉
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
0 |
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18
|
基于45 nm CMOS SOI工艺的毫米波双频段低相噪压控振荡器设计 |
陈喆
王品清
周培根
陈继新
洪伟
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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19
|
沟槽栅功率器件栅氧化膜特性的工艺研究 |
雷海波
王飞
肖胜安
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《集成电路应用》
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2013 |
0 |
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20
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功率VDMOSFET单粒子效应研究 |
段雪
郎秀兰
刘英坤
董四华
崔占东
刘忠山
孙艳玲
胡顺欣
冯彬
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《微纳电子技术》
CAS
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2008 |
4
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