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简化DG OTFT结构对模拟精度的影响
1
作者
姚阳
王昭
钟传杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期522-525,539,共5页
使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的...
使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的增加而加大,而模拟中常采用的简化结构由于忽略了电极位置对载流子注入面积及有源层内电势分布的影响,从而低估了实际器件的输出电流大小。
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关键词
双栅有机薄膜晶体管
器件模拟
电极
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职称材料
题名
简化DG OTFT结构对模拟精度的影响
1
作者
姚阳
王昭
钟传杰
机构
江南大学物联网工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期522-525,539,共5页
基金
国家自然基金资助项目(60776056)
文摘
使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的增加而加大,而模拟中常采用的简化结构由于忽略了电极位置对载流子注入面积及有源层内电势分布的影响,从而低估了实际器件的输出电流大小。
关键词
双栅有机薄膜晶体管
器件模拟
电极
Keywords
dual-gate organic thin film transistor （DG OTFT）
device simulation
electrode
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
简化DG OTFT结构对模拟精度的影响
姚阳
王昭
钟传杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
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