检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型被引量：1: 1; 作者李尚君高珊储晓磊《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期424-428,共5页; 采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同... 展开更多; 关键词双栅内嵌绝缘柱金属氧化物半导体场效应晶体管沟道侧壁绝缘柱表面势电荷分享漏感应势垒降低效应短; 在线阅读下载PDF 职称材料

大功率半导体技术现状及其进展被引量：14: 2; 作者刘国友王彦刚 +3 位作者李想 Arthur SU 李孔竞杨松霖《机车电传动》北大核心 2021年第5期1-11,共11页; 介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的... 展开更多; 关键词功率半导体器件硅材料晶闸管门极可关断晶闸管集成门极换流晶闸管绝缘栅双极晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管宽禁带; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能被引量：3: 3; 作者周晓敏马后成高大威《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD 2017年第1期79-86,共8页; 为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流-直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件。基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器... 展开更多; 关键词燃料电池汽车直流-直流(DC-DC)变换器交错式双Boost电路 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电路损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率集成器件及其兼容技术的发展被引量：4: 4; 作者乔明袁柳《电子与封装》 2021年第4期71-86,共16页; 功率集成器件在交流转直流(AC/DC)电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用。介绍了典型的可集成功率高压器件,包括不同电压等级的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)以及基于硅和SOI材料的横向绝缘栅... 展开更多; 关键词功率集成器件横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管横向绝缘栅双极型晶体管 BCD工艺兼容技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC电力电子学产业化技术的创新发展被引量：2: 5; 作者赵正平《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期161-178,共18页; 进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸... 展开更多; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续) 被引量：1: 6; 作者赵正平《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期249-265,287,共18页; 进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸... 展开更多; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; 在线阅读下载PDF 职称材料

中国功率器件市场MOSFET成亮点: 7; 《世界电子元器件》 2008年第12期116-116,共1页; 在中国功率器件市场中，电源管理IC仍旧占据市场首要位置，MOSFET（金属－氧化物－半导体场效应晶体管）位于第二位，大功率晶体管位于第三位，此三大产品销售额占整体市场的80％以上。IGBT（绝缘栅双极晶体管）销售额虽然不大，但随着... 展开更多; 关键词市场销售额 MOSFET 功率器件金属-氧化物-半导体场效应晶体管中国绝缘栅双极晶体管电源管理功率晶体; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型被引量：1: 1; 作者李尚君高珊储晓磊; 机构安徽大学电子信息工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期424-428,共5页; 基金国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004); 文摘采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同沟道长度下,分析了DPDG MOSFET器件的阈值电压(Vth),亚阈值斜率(SS)以及漏感应势垒降低效应(DIBL),并与DG MOSFET作对比。结果表明,添加绝缘柱DP后,不仅减小了源漏端电荷分享,而且增强了栅对电荷控制,从而改善了器件的DIBL效应,并有效提高了器件的可靠性。; 关键词双栅内嵌绝缘柱金属氧化物半导体场效应晶体管沟道侧壁绝缘柱表面势电荷分享漏感应势垒降低效应短; Keywords double gate MOSFET incorporating dielectric pocket(DPDG MOSFET) the chan-nel wall incorporating dielectric pocket(DP) surface potential charge sharing drain induced bar-rier lowering(DIBL) short channel effect; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大功率半导体技术现状及其进展被引量：14: 2; 作者刘国友王彦刚李想 Arthur SU 李孔竞杨松霖; 机构新型功率半导体器件国家重点实验室丹尼克斯半导体有限公司功率半导体研发中心; 出处《机车电传动》北大核心 2021年第5期1-11,共11页; 文摘介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的技术挑战和发展趋势。; 关键词功率半导体器件硅材料晶闸管门极可关断晶闸管集成门极换流晶闸管绝缘栅双极晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管宽禁带; Keywords power semiconductor device Si material thyristor GTO IGCT IGBT MOSFET wide bandgap; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能被引量：3: 3; 作者周晓敏马后成高大威; 机构北京科技大学机械工程学院清华大学汽车安全与节能国家重点实验室; 出处《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD 2017年第1期79-86,共8页; 基金国家科技支掌计划项目(2015BAG06B01) 汽车安全与节能国家重点实验室开放基金(KF14132); 文摘为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流-直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件。基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件、SiC二极管]、SiC MOSFET和Si二极管的混合器件和全硅Si[绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件、Si二极管]的变换器在电路损耗。结果表明:Si IGBT的开通和关断损耗约是SiC MOSFET的3倍和10倍,在不同工况下,全SiC变换器的转换效率比全Si变换器高1%~3.1%。因而,SiC功率器件在大功率DC-DC变换器的应用中,能够提高功率密度、可靠性和动力系统工作效率。; 关键词燃料电池汽车直流-直流(DC-DC)变换器交错式双Boost电路 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电路损耗; Keywords fuel cell vehicles DC-DC converter interleaved dual Boost circuit SiC MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor） Si IGBT（insulated gate bipolar transistor） circuit loss; 分类号 TM131.3 [电气工程—电工理论与新技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率集成器件及其兼容技术的发展被引量：4: 4; 作者乔明袁柳; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《电子与封装》 2021年第4期71-86,共16页; 基金国家自然科学基金(61674027) 四川省应用基础研究项目(18YYJC0482)。; 文摘功率集成器件在交流转直流(AC/DC)电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用。介绍了典型的可集成功率高压器件,包括不同电压等级的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)以及基于硅和SOI材料的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),此外还介绍了高低压器件集成的BCD工艺和其他的功率集成关键技术,包括隔离技术、高压互连技术、dV/dt技术、di/dt技术、抗闩锁技术等,最后讨论了功率集成器件及其兼容技术的发展趋势。; 关键词功率集成器件横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管横向绝缘栅双极型晶体管 BCD工艺兼容技术; Keywords integrated power device lateral double-diffusion MOSFET lateral insulated gate bipolar transistor BCD process compatible technology; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC电力电子学产业化技术的创新发展被引量：2: 5; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期161-178,共18页; 文摘进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸SiC单晶,低成本SiC功率器件制造,SiC二极管、SiC MOSFET、SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和SiC门极关断晶闸管(GTO)等功率器件,SiC封装和模块,以及高开关频率SiC器件的应用创新等产业化技术方面的最新进展。其中包含了大尺寸SiC单晶生长技术,基于商用Si CMOS生产线的SiC功率器件制备新工艺,SiC二极管的新结构与新工艺,SiC MOSFET的超级结结构、FinFET结构、高k介质栅与可靠性技术,SiC IGBT和SiC GTO的n沟道新器件及载流子寿命增强新工艺,SiC功率模块的设计与新装联工艺,SiC功率器件应用的新拓扑结构,栅极驱动电路与抑制寄生效应的新技术等。分析和评价了SiC电力电子学产业化的发展态势。; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; Keywords SiC single crystal SiC diode SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET) SiC insulate gate bipolar transistor(IGBT) SiC gate turn-off thyristor(GTO) SiC power module; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续) 被引量：1: 6; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期249-265,287,共18页; 文摘进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸SiC单晶,低成本SiC功率器件制造,SiC二极管、SiC MOSFET、SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和SiC门极关断晶闸管(GTO)等功率器件,SiC封装和模块,以及高开关频率SiC器件的应用创新等产业化技术方面的最新进展。其中包含了大尺寸SiC单晶生长技术,基于商用Si CMOS生产线的SiC功率器件制备新工艺,SiC二极管的新结构与新工艺,SiC MOSFET的超级结结构、FinFET结构、高k介质栅与可靠性技术,SiC IGBT和SiC GTO的n沟道新器件及载流子寿命增强新工艺,SiC功率模块的设计与新装联工艺,SiC功率器件应用的新拓扑结构,栅极驱动电路与抑制寄生效应的新技术等。分析和评价了SiC电力电子学产业化的发展态势。; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; Keywords SiC single crystal SiC diode SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET) SiC insulate gate bipolar transistor(IGBT) SiC gate turn-off thyristor(GTO) SiC power module; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名中国功率器件市场MOSFET成亮点: 7; 出处《世界电子元器件》 2008年第12期116-116,共1页; 文摘在中国功率器件市场中，电源管理IC仍旧占据市场首要位置，MOSFET（金属－氧化物－半导体场效应晶体管）位于第二位，大功率晶体管位于第三位，此三大产品销售额占整体市场的80％以上。IGBT（绝缘栅双极晶体管）销售额虽然不大，但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多，其市场销售额保持着较快的增长，是中国功率器件市场中的新兴产品。; 关键词市场销售额 MOSFET 功率器件金属-氧化物-半导体场效应晶体管中国绝缘栅双极晶体管电源管理功率晶体; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型	李尚君高珊储晓磊	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	大功率半导体技术现状及其进展	刘国友王彦刚李想 Arthur SU 李孔竞杨松霖	《机车电传动》北大核心	2021	14	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能	周晓敏马后成高大威	《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	功率集成器件及其兼容技术的发展	乔明袁柳	《电子与封装》	2021	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiC电力电子学产业化技术的创新发展	赵正平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续)	赵正平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	中国功率器件市场MOSFET成亮点		《世界电子元器件》	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料