具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2/SiO_2场效应晶体管（英文）

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作者 刘强 蔡剑辉 +7 位作者 何佳铸 王翼泽 张栋梁 刘畅 任伟 俞文杰 刘新科 赵清太 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期543-549,共7页

在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态... 在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10^(-13)A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS_2器件的表现,基于薄层SiO_2栅氧的MoS_2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景. 展开更多

关键词 mos2场效应晶体管 良好的亚阈值斜率 SIO2栅介质 界面态密度

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一种新型隧穿场效应晶体管

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作者 卜建辉 许高博 +4 位作者 李多力 蔡小五 王林飞 韩郑生 罗家俊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第3期185-188,共4页

提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件... 提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件泄漏电流的目的。利用TCAD仿真工具对基于部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的TFET和新型TFET结构进行了仿真与对比。仿真结果表明,当隔离区宽度为2 nm,高度大于10 nm时,可阻断PDSOI TFET的BTBT,其泄漏电流下降了4个数量级;而基于FDSOI的TFET无法彻底消除BTBT和双极效应,其泄漏电流下降了2个数量级。因此新型结构更适合于PDSOI TFET。 展开更多

关键词 隧穿场效应晶体管(TFET) 绝缘体上硅(SOI) 泄漏电流 带带隧穿(BTBT) 双极效应

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MOSFET低温热载流子效应

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作者 刘卫东 魏同立 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1994年第2期15-21,共7页

与常温下相比，低温工作ＭＯＳ器件具有许多优点，但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强。本文简要研究了这种效应，包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响，最后，从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低... 与常温下相比，低温工作ＭＯＳ器件具有许多优点，但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强。本文简要研究了这种效应，包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响，最后，从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低温热载流子效应的设计考虑。 展开更多

关键词 低温 热载流子 mos 场效应晶体管

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MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法

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作者 朱建纲 张卫东 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期32-35,共4页

采用线性近似的方法，对ＭＯＳ器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究，给出了一种较精确的简便计算方法．在该电场模型的基础上，建立了整个热载流子效应的模型框架．

关键词 mos 场效应晶体管 IC 沟道水平电场

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BJMOSFET频率特性的模拟分析 被引量：2

5

作者 曾云 尚玉全 +3 位作者 晏敏 盛霞 滕涛 高云 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期33-36,共4页

提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法... 提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性. 展开更多

关键词 双极mos场效应晶体管 频率特性 模拟分析

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SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟 被引量：2

6

作者 王煜 张鹏飞 +2 位作者 侯东彦 钱佩信 罗台秦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期30-34,共5页

本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速... 本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。 展开更多

关键词 计算机模拟 SOI/mos器件 I-V特性 场效应晶体管

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利用背面Ar^+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性 被引量：1

7

作者 黄美浅 陈平 +1 位作者 李旭 李观启 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期65-69,共5页

研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管 (n_MOSFET)线性区的特性 .用低能量 (5 5 0eV)的Ar+轰击n MOSFET芯片的背面 ,能有效地改善其线性区的直流特性 ,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪... 研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管 (n_MOSFET)线性区的特性 .用低能量 (5 5 0eV)的Ar+轰击n MOSFET芯片的背面 ,能有效地改善其线性区的直流特性 ,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪声等 .实验结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,跨导、沟道电导和表面有效迁移率先增大 ,然后减小 ;阈值电压先减小 ,随后变大 ;而低频噪声在轰击后明显减小 .实验证明 ,上述参数的变化是硅 展开更多

关键词 背面Ar^+轰击 n沟mosFET 线性区 mos场效应晶体管 跨导 迁移率 噪声 直流特性

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使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数

8

作者 赵宇航 卢意飞 刘强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期125-130,159,共7页

利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两... 利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的。此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质电荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致。这表明在分析MoS_2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。 展开更多

关键词 mos2场效应晶体管(FET) Y函数方法 寄生电阻 杂质电荷 回滞特性

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MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究

9

作者 陈勇 于奇 杨漠华 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期666-669,共4页

在分析热电子效应与辐射效应在ＭＯＳＦＥＴ产生界面态关系的基础上，给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对ＭＯＳ器件热电子退化效应进行研究的方法和采用该方法对１μｍ工艺Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行热电子退化效应的研究结果，并对... 在分析热电子效应与辐射效应在ＭＯＳＦＥＴ产生界面态关系的基础上，给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对ＭＯＳ器件热电子退化效应进行研究的方法和采用该方法对１μｍ工艺Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行热电子退化效应的研究结果，并对热电子退化与偏置的关系进行了讨论，得到了确定热电子退化寿命的快速而简便的方法。 展开更多

关键词 mos 场效应晶体管 热电子效应 辐射 界面态

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高压VDMOS的一种高精度静态物理模型

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作者 鲍嘉明 孙伟锋 +1 位作者 赵野 陆生礼 《中国工程科学》 2008年第2期72-78,共7页

提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中,基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压;通过深入研究VDMOS内部的物理特性,给出了一个关于漂移区电场的微分方程,并在整个漂移区都用解析... 提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中,基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压;通过深入研究VDMOS内部的物理特性,给出了一个关于漂移区电场的微分方程,并在整个漂移区都用解析方法求解了该微分方程,由此求得了漂移区的电压降。计算结果表明,该模型在漏端电流接近饱和处的稳定性有较大提高,具有较高的计算精度,特别是在栅电压与漏电压都比较大的情况下,其计算精度有较大程度的提高。 展开更多

关键词 垂直双扩散mos场效应晶体管 静态物理模型 解析方法

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1000VMOSFET用常规低压工艺的实现

11

作者 卢豫曾 方健 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期441-448,共8页

采用常规低压集成电路工艺实现了耐压达１０００Ｖ的高压横向ＭＯＳＦＥＴ，详细介绍了该高压横向ＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、工艺技术及测试结果。文中从实验和分析的角度上首次探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅长度对该高压横... 采用常规低压集成电路工艺实现了耐压达１０００Ｖ的高压横向ＭＯＳＦＥＴ，详细介绍了该高压横向ＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、工艺技术及测试结果。文中从实验和分析的角度上首次探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅长度对该高压横向ＭＯＳＦＴ击穿电压的影响。 展开更多

关键词 场效应晶体管 工艺 mos器件

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1GHz微波功率MOSFET的研究 被引量：5

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作者 祁斌 刘英坤 王长河 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期22-24,共3页

分析了影响VDMOS器件频率性能的一些关键参数,研制出1GHz输出功率10W,增益8dB的VDMOS器件。验证了VDMOS器件在这一频段的工作性能。测试结果与设计指标和理论计算基本符合,说明理论分析准确。

关键词 微波 功率 mos 场效应晶体管

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VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析

13

作者 刘晓梅 胡蓉香 +1 位作者 罗晋生 李中江 《电子科学学刊》 EI CSCD 1991年第6期618-624,共7页

本文编制了功率MOSFET二维稳态分析软件TDSPM程序基于漂移扩散模型,特别考虑了功率器件高压工作状态下的速场特性和强场产生机制,因此可以对器件各工作区(包括击穿区)进行模拟。用全耦合法求解联立方程,用截断法修正迭代结果,大大改善... 本文编制了功率MOSFET二维稳态分析软件TDSPM程序基于漂移扩散模型,特别考虑了功率器件高压工作状态下的速场特性和强场产生机制,因此可以对器件各工作区(包括击穿区)进行模拟。用全耦合法求解联立方程,用截断法修正迭代结果,大大改善了程序求解的收敛性和稳定性,使求解加压步长可取得很大(饱和区漏压可取100—200V)。用TDSPM模拟VDMOS,得到器件的外部特性曲线和内部物理量分布;着重分析了击穿过程的内部机制;最后用TDSPM对器件进行了优化分析。 展开更多

关键词 mos器件 场效应晶体管 数值模拟

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集成MOSFET跨导结构非线性的谐波分析法

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作者 巫志媛 邱关源 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期99-110,共12页

MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管跨导结构是全集成 MOSFET-C连续时间滤波器的基本电阻结构.本文根据导出的 MOSFET 伏安特性的傅里叶公式,提出了失配情况下 MOSFET 跨导结构非线性的谐波分析法,并给出了详细表格以供应用时参考.

关键词 mos 场效应晶体管 集成滤波器

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新型全集成MOSFET-C有源元件

15

作者 奚柏清 郑书铭 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期102-105,共4页

本文介绍用MOS场效应管,电容和运算放大器构成的全集成有源元件,包括GIC、模拟电感和频变负阻(FDNR)等元件电路。这些元件以双运算放大器的Riordan电路为基础,并使用四个匹配晶体管组达到特性的线性化。结果将导致以这类元件为基本单元... 本文介绍用MOS场效应管,电容和运算放大器构成的全集成有源元件,包括GIC、模拟电感和频变负阻(FDNR)等元件电路。这些元件以双运算放大器的Riordan电路为基础,并使用四个匹配晶体管组达到特性的线性化。结果将导致以这类元件为基本单元的新型全集成MOS FET-C连续时间滤波器的诞生。 展开更多

关键词 mos 场效应晶体管 有源元件

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VMOS管小型固体激光器电源

16

作者 梁国忠 王世贵 《激光杂志》 CAS 1988年第5期285-287,共3页

VMOS场效应晶体管有许多超过双极晶体管的优点,特别适合于功率电子学应用。我们使用VMOS管、光隔离器等器件研制的小型激光器电源,性能良好。本文给出了实际电路及实验结果。

关键词 激光器电源 Vmos管 mos场效应晶体管 固体 双极晶体管 功率电子学 光隔离器 器件

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一种新型固态静电传感器的设计与模拟 被引量：2

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作者 陈新安 黄庆安 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2009年第B11期131-133,166,共4页

电场测量系统广泛应用于航空、航天、国防、气象、电力等多个领域。根据电场传感器工作原理,电场传感器可以分为光学(光纤)式和电荷感应式两大类。电荷感应式电场传感器有旋片结构、双球结构、火箭结构和MEMS结构。文中给出了一种新型的... 电场测量系统广泛应用于航空、航天、国防、气象、电力等多个领域。根据电场传感器工作原理,电场传感器可以分为光学(光纤)式和电荷感应式两大类。电荷感应式电场传感器有旋片结构、双球结构、火箭结构和MEMS结构。文中给出了一种新型的MOSFET感应式电场传感器,并用MEDICI软件进行了模拟。模拟结果表明MOSFET感应式电场传感器的感应电流I_E和电场强度E有良好的线性关系。 展开更多

关键词 静电场传感器 电荷感应 mos场效应晶体管

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硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究 被引量：1

18

作者 孟令琴 费元春 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期78-81,共4页

本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的... 本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力。硅互补型金属氧化物半导体 (SiCMOS)工艺因其低廉的成本 ,较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础 ,而硅锗互补型金属氧化物半导体 /硅锗双极互补型金属氧化物半导体 (SiGeCMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的优点 ,又有良好的高频性能 ,特别是SiGeHBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段 ,而其成本和噪声性能是砷化镓 (GaAs)材料无法比拟的。随着对SiGeHBT ,硅锗场效应晶体管 (SiGeFET)的研究 ,SiGe器件的高频性能 ,低噪声性能 ,功率和线性性能将得到展现 ,为进一步降低收发信机的成本 ,提高其集成度打下了基础 。 展开更多

关键词 硅锗技术 无线射频 半导体技术 异质结双极晶体管 砷化镓场效应管

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一种使用改进力敏差放的压力传感器设计

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作者 李晶晶 岳瑞峰 刘理天 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z2期595-596,共2页

设计了一种使用力敏差分放大器作为力敏元件的压力传感器。通过将差分放大器的输入对管和负载对管同时放在应力膜片上,可以在不增加电路面积、功耗与复杂度的情况下进一步增加传感器的灵敏度。

关键词 压力传感器 力敏差分放大器 压阻效应 mos场效应晶体管

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