一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器

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作者 张斌 蒋颖丹 +4 位作者 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 《现代电子技术》 北大核心 2025年第2期14-20,共7页

为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦... 为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦,同时基于0.18μm SiGe BiCMOS高性能异质结双极晶体管工艺进行设计。电磁仿真结果显示,在8~16 GHz的频带范围内,放大器的增益>26 dB,输出1 dB功率压缩点≥10 dBm,饱和输出功率≥13 dBm,端口回波损耗≤-10 dB,-40~125℃范围内同频点增益浮动≤1.5 dB。所设计的驱动放大器电路性能稳定,2.8 V电源工作电流为45 mA,尺寸仅为0.50 mm×0.58 mm,实现了SiGe放大器高性能、小型化的设计要求。 展开更多

关键词 驱动放大器 宽带射频 SIGE工艺 温度补偿 共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦 异质结双极晶体管

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多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟 被引量：4

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作者 刘其贵 吴金 +2 位作者 郑娥 魏同立 何林 《电子器件》 CAS 2002年第1期97-100,共4页

在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上 ,根据国内现有的双极工艺水平 ,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程 ,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图 ,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。

关键词 多晶硅 发射极 双极晶体管 工艺设计 计算机模拟

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SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究

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作者 贾素梅 杨瑞霞 +2 位作者 刘英坤 邓建国 高渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期276-279,304,共5页

介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧... 介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。 展开更多

关键词 SIGE/SI异质结双极晶体管 能带工程 掺杂工程 台面结构 关键工艺

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双极关键工艺的在线统计分析

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作者 何野 蔡世俊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期233-237,共5页

采用了双极晶体管作为双极工艺的测试结构,将在线工艺的统计分析理论应用于双极工艺,研制了双极工艺的统计分析软件。最后给出了双极工艺的某些分析结果。

关键词 集成电路 双极工艺 测试 统计分析

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一种新型电阻补偿双极工艺带隙基准电压源 被引量：2

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作者 吴越 尹勇生 陈红梅 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2017年第5期716-720,共5页

文章分析了带隙基准电压源中电阻补偿的原理,使用2种不同温度系数的电阻设计了一个低温度系数新型双极工艺带隙电压源电路,并基于CSMC 2μm36V双极工艺对电路进行仿真,实现了对基极发射极电压的三阶补偿。仿真结果表明,在10~30V输入电... 文章分析了带隙基准电压源中电阻补偿的原理,使用2种不同温度系数的电阻设计了一个低温度系数新型双极工艺带隙电压源电路,并基于CSMC 2μm36V双极工艺对电路进行仿真,实现了对基极发射极电压的三阶补偿。仿真结果表明,在10~30V输入电压范围内,该带隙电压源输出电压为2.12V;电源抑制比为120.2dB的频率点为14.85Hz;温度变化范围在-40~125℃时,温度系数为2.17×10^(-6)/℃。 展开更多

关键词 电阻补偿 带隙基准源 双极工艺 温度系数 线性调制率 电源抑制比

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小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟 被引量：1

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作者 赵守磊 李惠军 +1 位作者 吴胜龙 刘岩 《微纳电子技术》 CAS 2008年第4期193-197,共5页

基于通信系统中射频电路设计的特殊要求,对小尺寸(基区宽度低于100nm)、超高频(特征频率高于15GHz)双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟,为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现,在对小尺寸、超高频双极... 基于通信系统中射频电路设计的特殊要求,对小尺寸(基区宽度低于100nm)、超高频(特征频率高于15GHz)双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟,为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现,在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上,实现了该器件工艺级(Sentaurus Process)及器件物理特性级(Sentaurus Device)的仿真,提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明,在高频指标参数17GHz下,所得β值接近于80,满足设计要求。 展开更多

关键词 小尺寸 双极器件 频率特性 工艺仿真 特性模拟

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双极大功率晶体管背面工艺优化 被引量：1

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作者 霍彩红 潘宏菽 +1 位作者 刘相伍 程春红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期605-608,632,共5页

针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的... 针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。 展开更多

关键词 双极大功率晶体管 背面减薄工艺 背面金属化前清洗工艺 BC正向压降 非均匀性

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典型国产双极工艺宇航用稳压器单粒子闩锁效应研究 被引量：2

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作者 汪波 罗宇华 +5 位作者 刘伟鑫 孔泽斌 楼建设 彭克武 付晓君 韦锡峰 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期245-250,共6页

通过对某国产双极工艺宇航用稳压器进行不同LET值重离子辐照试验,实时监测器件输出电压的变化幅度和器件供电管脚电流,准确评估了器件抗单粒子效应性能。研究结果表明器件发生单粒子瞬态效应阈值小于5 MeV·cm2·mg-1,当辐照重... 通过对某国产双极工艺宇航用稳压器进行不同LET值重离子辐照试验,实时监测器件输出电压的变化幅度和器件供电管脚电流,准确评估了器件抗单粒子效应性能。研究结果表明器件发生单粒子瞬态效应阈值小于5 MeV·cm2·mg-1,当辐照重离子LET值增加至37.37 MeV·cm2·mg-1时,诱发器件产生单粒子闩锁效应,器件供电管脚电流由6 mA陡增至24 mA。在分析重离子试验数据的基础上,借助脉冲激光获得了器件内部单粒子效应敏感区域位置和结构特征。分析认为由于芯片内部多个功能模块共用一个隔离岛,同一个隔离岛内的器件之间形成的寄生PNP管与隔离岛内NPN管形成了PNPN可控硅结构,当入射重离子LET值足够大时将诱发寄生PNPN结构导通,进入闩锁状态。采用模拟软件Spectre实现了电参数级的瞬态故障注入模拟,复现了该双极工艺结构下单粒子闩锁效应现象。 展开更多

关键词 双极工艺 宇航用稳压器 重离子辐照 单粒子闩锁效应 损伤机理

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一种采用双极工艺设计的过温保护电路 被引量：2

9

作者 易峰 何颖 +1 位作者 郭海平 吴旭 《电子与封装》 2011年第6期11-13,共3页

在设计开关电源的时候通常会加入过温保护电路,一旦开关电源内部的温度超过其允许的最高温度时,将停止内部电路的供电,为整个开关电源提供自身的保护,同时也保护了开关电源所供电的整机电路免遭破坏。文章提出了一种基于2μm双极工艺设... 在设计开关电源的时候通常会加入过温保护电路,一旦开关电源内部的温度超过其允许的最高温度时,将停止内部电路的供电,为整个开关电源提供自身的保护,同时也保护了开关电源所供电的整机电路免遭破坏。文章提出了一种基于2μm双极工艺设计的过温保护电路,并通过Cadence Spectre仿真工具对电路的工作状态进行仿真。结果表明该电路不但功能良好,敏感度高,而且结构简单,便于集成。该过温保护电路通常集成在DC/DC转换器的控制芯片中,设计温度在130℃左右时翻转电压。 展开更多

关键词 双极工艺 过温保护 翻转电压

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一种使用双极工艺的温度检测电路 被引量：1

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作者 易峰 张又丹 +1 位作者 郭海平 何颖 《电子与封装》 2011年第4期35-38,共4页

温度检测是芯片和系统中经常需要的功能,温度检测电路的应用非常广泛。文章详细分析了与温度成正比（PTAT）电压的产生原理,并以此原理为基础设计了一种基于双极工艺的温度检测电路,电路的设计输出电压与温度成正比。通过使用Cadence Sp... 温度检测是芯片和系统中经常需要的功能,温度检测电路的应用非常广泛。文章详细分析了与温度成正比（PTAT）电压的产生原理,并以此原理为基础设计了一种基于双极工艺的温度检测电路,电路的设计输出电压与温度成正比。通过使用Cadence Spectre仿真工具对电路的功能进行仿真,结果表明该电路在-40℃~120℃内能正常工作,输出的检测电压与温度呈比较精确的正比关系,偏差仅为0.01V。 展开更多

关键词 双极工艺 温度检测 PTAT

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一种高性能双极工艺带隙基准电压源的设计 被引量：4

11

作者 易峰 吴旭 +1 位作者 张又丹 何颖 《电子与封装》 2011年第5期28-30,共3页

模拟电路一般包含电压基准和电流基准,这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是密切的。产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流。文章提出了一种基于2μm双极工艺设计... 模拟电路一般包含电压基准和电流基准,这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是密切的。产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流。文章提出了一种基于2μm双极工艺设计的高性能的带隙基准参考源。该电路结构简单、性能好。用模拟软件进行仿真,其温度系数为30×10-6/℃、电源抑制比(PSRR)为-56dB、电压拉偏特性为384×10-6/V。 展开更多

关键词 基准电压 带隙基准 电源抑制比 双极工艺

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一种采用双极工艺设计的过流过压保护电路

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作者 易峰 吴旭 郭海平 《电子与封装》 2011年第2期15-17,共3页

文章提出了一种基于2μm双极型工艺设计的过流过压保护电路,本电路采用一个带迟滞比较器电路结构思想实现其保护功能的,本电路的结构新颖、电路简洁、性能优良。通过Cadence Spectre仿真工具对电路的工作状态进行仿真,结果表明该电路功... 文章提出了一种基于2μm双极型工艺设计的过流过压保护电路,本电路采用一个带迟滞比较器电路结构思想实现其保护功能的,本电路的结构新颖、电路简洁、性能优良。通过Cadence Spectre仿真工具对电路的工作状态进行仿真,结果表明该电路功能良好、敏感度高、便于集成。本过流过压保护电路通常用于集成在DC/DC转换器的控制芯片中,为芯片提供输入端和输出端的电压电流保护,电源模块设计的工作电压为48V,过压保护电压值为58V左右,过流保护电流值为380mA。使芯片能满足模块功能的同时,更加高效安全稳定的工作。 展开更多

关键词 双极工艺 过流过压保护 DC/DC

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本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响

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作者 葛超洋 杨强 +2 位作者 李燕妃 孙家林 谢儒彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页

基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。 展开更多

关键词 双极器件 总电离剂量(TID)辐射 本征基区 0.18μm BCD工艺

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上海新进1.5μm/15V双极集成电路生产工艺技术开发

14

《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期40-41,共2页

关键词 双极集成电路 生产工艺 上海新进半导体公司 制造技术

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互补双极工艺技术的重大突破

15

作者 Mike Maida 《电子产品世界》 2001年第12期49-50,共2页

关键词 互补双极工艺技术 双极晶体管 寄生电阻 功率比

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一种基于双极工艺的大电流高输出电阻恒流源

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作者 李政 周文质 +1 位作者 包磊 陈旺云 《电子与封装》 2023年第12期34-38,共5页

基于双极工艺,设计了一种同时具备大电流和高输出电阻特性的恒流源电路。该恒流源采用发射极输出的结构,使恒流源的输出电阻对输出电流不敏感,从而在大电流情况下保持较大的输出电阻。该结构适用于需要提供稳定大电流的集成电路,例如功... 基于双极工艺,设计了一种同时具备大电流和高输出电阻特性的恒流源电路。该恒流源采用发射极输出的结构,使恒流源的输出电阻对输出电流不敏感,从而在大电流情况下保持较大的输出电阻。该结构适用于需要提供稳定大电流的集成电路,例如功率运算放大器的驱动级前级恒流源有源负载等。 展开更多

关键词 双极工艺 大电流 高输出电阻 恒流源

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MOCVD制备GaAs/AlGaAs异质结和异质结双极晶体管(HBT)的研究 被引量：2

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作者 黄柏标 刘士文 +3 位作者 任红文 刘立强 蒋民华 徐现刚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期230-234,共5页

本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15～40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振... 本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15～40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振荡频率为5.5GHz. 展开更多

关键词 双极晶体管 异质结 工艺 MOCVD

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双极膜电渗析法处理钨冶炼碱性废水的研究 被引量：6

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作者 彭雪娇 牛建国 周勇 《东华理工大学学报（自然科学版）》 CAS 2008年第3期283-286,共4页

钨冶炼时,在中低品位的钨原料碱浸取液中,总含有相当量的游离碱。为满足后续生产工艺对溶液pH值的要求,一般采用无机酸中和,这不仅耗费大量的酸,而且增加了高含盐废液的排放量,造成环境污染。企业对碱性废水的处理多采用无机酸中和,而... 钨冶炼时,在中低品位的钨原料碱浸取液中,总含有相当量的游离碱。为满足后续生产工艺对溶液pH值的要求,一般采用无机酸中和,这不仅耗费大量的酸,而且增加了高含盐废液的排放量,造成环境污染。企业对碱性废水的处理多采用无机酸中和,而这种废水处理方法只有负的经济效益。采用膜分离技术处理钨冶炼厂含碱废水,实验结果表明,初步确定膜电解工艺参数,制订钨冶炼厂含碱废水处理方法及可行性。由于膜技术无二次污染,可实现废水零排放,甚至是可以重复使用,本研究成果有较大的应用前景。 展开更多

关键词 双极膜 碱性废水 电解 工艺参数

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用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM 被引量：4

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作者 董素玲 成立 +1 位作者 王振宇 高平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期44-48,共5页

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成... 设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。 展开更多

关键词 0.8μm工艺技术 静态随机存取存储器 BICMOS SRAM 双极互补金属氧化物半导体器件 输入/输出电路 地址译码器

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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ) 被引量：1

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作者 齐志华 李献杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期821-827,共7页

关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 技术发展现状 欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺

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