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双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验
被引量：
5
1
作者
刘敏波
陈伟
+5 位作者
姚志斌
黄绍艳
何宝平
盛江坤
肖志刚
王祖军
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期214-218,共5页
选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存...
选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存在最佳辐照温度,最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂移,随剂量率的增大向高温区漂移,在相同剂量率和总剂量下,输入级为NPN晶体管的双极集成电路比输入级为PNP晶体管的最佳辐照温度低。
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关键词
双极集成电路
低剂量率
高温辐照
界面态
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职称材料
上海新进1.5μm/15V双极集成电路生产工艺技术开发
2
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期40-41,共2页
关键词
双极集成电路
生产工艺
上海新进半导体公司
制造技术
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职称材料
上海新进1.5μ/12V双极集成电路工艺技术
3
《中国集成电路》
2003年第50期82-83,共2页
上海新进半导体制造有限公司为双极集成电路代工公司(foundry),成立两年多来,已成功地开发出2.0μm 18V/36V 及4μm 20V/40V 工艺,并正在生产出由20多个来自美、日、台湾及中国内地客户的60多种产品。
关键词
上海
新进半导体制造有限公司
双极集成电路
制造技术
MNOS
NPN晶体管
电阻器
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职称材料
高性能双极型集成电路晶体管
被引量：
1
4
作者
傅兴华
陈军宁
童勤义
《电子科学学刊》
CSCD
1993年第6期631-642,共12页
本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。
关键词
双极集成电路
异质结
双极
型晶体管
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职称材料
双极性集成电路的ESD保护
5
作者
John Dolese
《电子产品世界》
2007年第5期82-82,84,86,共3页
描述了IC的ESD保护方案。
关键词
ESD保护
双极集成电路
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职称材料
美国超高速集成电路(VHSIC)的技术现状及其在电子战系统中的应用
6
作者
田培梅
《航天电子对抗》
1990年第4期7-17,共11页
美国VHSIC计划从提出、技术实施到1989年9月结束已有十多年了,十年来VHSIC技术所带来的变化,予示着由于创造超级硅片技术的突破,正推动计算机革命进入新领域。高速运算一直是计算专家和军子电子系统设计师追求的目标。今天,由于有了VHS...
美国VHSIC计划从提出、技术实施到1989年9月结束已有十多年了,十年来VHSIC技术所带来的变化,予示着由于创造超级硅片技术的突破,正推动计算机革命进入新领域。高速运算一直是计算专家和军子电子系统设计师追求的目标。今天,由于有了VHSIC,这一目标正在实现。这项技术的核心,就是有能力以数字形式而不是象模拟系统中的不准确的连续波形式来准确表达闪电般的现象。几乎是实时的信号数字处理技术,使VHSIC具有广泛的用途,给未来的军事电子系统带来巨大的变化,对将来的武器系统产生重大影响。本文简介VHSIC计划的提出,指标,技术实施,研制概况,及其在电子战系统中的应用,十年来的实施小结和今后发展前景。
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关键词
超大规模
集成电路
超高速数字
集成电路
互补MOS
集成电路
双极集成电路
电子对抗
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职称材料
双极型IC核辐射下的瞬时损坏
7
作者
夏培邦
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期97-100,共4页
本文从连续性方程和粒子通量方程出发,导出了矩形y辐射脉冲作用下双极器件中光电流的数学模型;论述了扩散电阻的光电流效应和电导调制效应,以及扩散电阻随γ剂量率变化的模型。最后给出了集成稳压电源的模拟数值与现场辐射结果的比较,...
本文从连续性方程和粒子通量方程出发,导出了矩形y辐射脉冲作用下双极器件中光电流的数学模型;论述了扩散电阻的光电流效应和电导调制效应,以及扩散电阻随γ剂量率变化的模型。最后给出了集成稳压电源的模拟数值与现场辐射结果的比较,并据此提出了双极型IC抗γ辐射的加固建议。
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关键词
核辐射
光电流效应
双极集成电路
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职称材料
互补输出压控脉宽电路KW9712
8
作者
甄竹
甄广国
《世界电子元器件》
2000年第1期54-55,共2页
关键词
空脉宽
电路
双极集成电路
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职称材料
亚ns高速双极ICU型槽隔离多晶硅填槽工艺
9
作者
谢明纲
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第1期11-12,15,共3页
双极集成电路要实现超大规模集成化和高速化,一方面要缩小元件尺寸,另一方面必须改进元件之间的隔离方法.用U型槽隔离技术不仅缩小了实际晶体管的尺寸,而且使寄生电容减小到最低限度,从而提高了电路的性能.基区-发射区(顶部n^+区)面积...
双极集成电路要实现超大规模集成化和高速化,一方面要缩小元件尺寸,另一方面必须改进元件之间的隔离方法.用U型槽隔离技术不仅缩小了实际晶体管的尺寸,而且使寄生电容减小到最低限度,从而提高了电路的性能.基区-发射区(顶部n^+区)面积比已经减小到2,而标准pn结隔离,典型的比值为10,氧化层隔离结构,此比值为5.
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关键词
双极集成电路
U型槽
隔离技术
全文增补中
一种芯片内部稳压电源的实现
被引量：
2
10
作者
邓云飞
吴玉广
《电子器件》
CAS
2004年第1期94-97,共4页
介绍和分析了一种用于PWM控制器内部的稳压电路,采用双极线路结构和4 μm工艺。经过PSPICE仿真,它具有0.176 mV/V的稳压系数和60 dB的纹波抑制比和较低温度系数。
关键词
双极集成电路
专用
集成电路
控制器
稳压器
在线阅读
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职称材料
题名
双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验
被引量：
5
1
作者
刘敏波
陈伟
姚志斌
黄绍艳
何宝平
盛江坤
肖志刚
王祖军
机构
西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期214-218,共5页
文摘
选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存在最佳辐照温度,最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂移,随剂量率的增大向高温区漂移,在相同剂量率和总剂量下,输入级为NPN晶体管的双极集成电路比输入级为PNP晶体管的最佳辐照温度低。
关键词
双极集成电路
低剂量率
高温辐照
界面态
Keywords
bipolar integrated circuit
low dose rate
elevated temperature irradiation
interface state
分类号
TN132 [电子电信—物理电子学]
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
上海新进1.5μm/15V双极集成电路生产工艺技术开发
2
机构
上海新进半导体制造有限公司 上海
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期40-41,共2页
关键词
双极集成电路
生产工艺
上海新进半导体公司
制造技术
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
上海新进1.5μ/12V双极集成电路工艺技术
3
机构
上海新进半导体制造有限公司
出处
《中国集成电路》
2003年第50期82-83,共2页
文摘
上海新进半导体制造有限公司为双极集成电路代工公司(foundry),成立两年多来,已成功地开发出2.0μm 18V/36V 及4μm 20V/40V 工艺,并正在生产出由20多个来自美、日、台湾及中国内地客户的60多种产品。
关键词
上海
新进半导体制造有限公司
双极集成电路
制造技术
MNOS
NPN晶体管
电阻器
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
高性能双极型集成电路晶体管
被引量：
1
4
作者
傅兴华
陈军宁
童勤义
机构
贵州大学电子科学系
东南大学微电子中心
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1993年第6期631-642,共12页
文摘
本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。
关键词
双极集成电路
异质结
双极
型晶体管
Keywords
Silicon bipolar integrated circuit
SOI
SiGe/Si heterostruccure
HBT
Isolation technology
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
双极性集成电路的ESD保护
5
作者
John Dolese
机构
Maxim公司
出处
《电子产品世界》
2007年第5期82-82,84,86,共3页
文摘
描述了IC的ESD保护方案。
关键词
ESD保护
双极集成电路
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
美国超高速集成电路(VHSIC)的技术现状及其在电子战系统中的应用
6
作者
田培梅
出处
《航天电子对抗》
1990年第4期7-17,共11页
文摘
美国VHSIC计划从提出、技术实施到1989年9月结束已有十多年了,十年来VHSIC技术所带来的变化,予示着由于创造超级硅片技术的突破,正推动计算机革命进入新领域。高速运算一直是计算专家和军子电子系统设计师追求的目标。今天,由于有了VHSIC,这一目标正在实现。这项技术的核心,就是有能力以数字形式而不是象模拟系统中的不准确的连续波形式来准确表达闪电般的现象。几乎是实时的信号数字处理技术,使VHSIC具有广泛的用途,给未来的军事电子系统带来巨大的变化,对将来的武器系统产生重大影响。本文简介VHSIC计划的提出,指标,技术实施,研制概况,及其在电子战系统中的应用,十年来的实施小结和今后发展前景。
关键词
超大规模
集成电路
超高速数字
集成电路
互补MOS
集成电路
双极集成电路
电子对抗
分类号
V443 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
TN97 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
双极型IC核辐射下的瞬时损坏
7
作者
夏培邦
机构
机电部第
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期97-100,共4页
文摘
本文从连续性方程和粒子通量方程出发,导出了矩形y辐射脉冲作用下双极器件中光电流的数学模型;论述了扩散电阻的光电流效应和电导调制效应,以及扩散电阻随γ剂量率变化的模型。最后给出了集成稳压电源的模拟数值与现场辐射结果的比较,并据此提出了双极型IC抗γ辐射的加固建议。
关键词
核辐射
光电流效应
双极集成电路
Keywords
Computer simulation, Nuclear radiation, Conductivity modulation effect, Photocurret effect
分类号
TN431.02 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
互补输出压控脉宽电路KW9712
8
作者
甄竹
甄广国
机构
南京三埃测控有限公司
通化市百工电子研究所
出处
《世界电子元器件》
2000年第1期54-55,共2页
关键词
空脉宽
电路
双极集成电路
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN78 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
亚ns高速双极ICU型槽隔离多晶硅填槽工艺
9
作者
谢明纲
机构
中国科学院上海冶金研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第1期11-12,15,共3页
文摘
双极集成电路要实现超大规模集成化和高速化,一方面要缩小元件尺寸,另一方面必须改进元件之间的隔离方法.用U型槽隔离技术不仅缩小了实际晶体管的尺寸,而且使寄生电容减小到最低限度,从而提高了电路的性能.基区-发射区(顶部n^+区)面积比已经减小到2,而标准pn结隔离,典型的比值为10,氧化层隔离结构,此比值为5.
关键词
双极集成电路
U型槽
隔离技术
分类号
TN405.95 [电子电信—微电子学与固体电子学]
全文增补中
题名
一种芯片内部稳压电源的实现
被引量：
2
10
作者
邓云飞
吴玉广
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《电子器件》
CAS
2004年第1期94-97,共4页
文摘
介绍和分析了一种用于PWM控制器内部的稳压电路,采用双极线路结构和4 μm工艺。经过PSPICE仿真,它具有0.176 mV/V的稳压系数和60 dB的纹波抑制比和较低温度系数。
关键词
双极集成电路
专用
集成电路
控制器
稳压器
Keywords
bipolar IC
ASIC
controller IC
regulator
分类号
TP36 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验
刘敏波
陈伟
姚志斌
黄绍艳
何宝平
盛江坤
肖志刚
王祖军
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
5
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职称材料
2
上海新进1.5μm/15V双极集成电路生产工艺技术开发
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
3
上海新进1.5μ/12V双极集成电路工艺技术
《中国集成电路》
2003
0
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职称材料
4
高性能双极型集成电路晶体管
傅兴华
陈军宁
童勤义
《电子科学学刊》
CSCD
1993
1
在线阅读
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职称材料
5
双极性集成电路的ESD保护
John Dolese
《电子产品世界》
2007
0
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职称材料
6
美国超高速集成电路(VHSIC)的技术现状及其在电子战系统中的应用
田培梅
《航天电子对抗》
1990
0
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职称材料
7
双极型IC核辐射下的瞬时损坏
夏培邦
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
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职称材料
8
互补输出压控脉宽电路KW9712
甄竹
甄广国
《世界电子元器件》
2000
0
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职称材料
9
亚ns高速双极ICU型槽隔离多晶硅填槽工艺
谢明纲
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989
0
全文增补中
10
一种芯片内部稳压电源的实现
邓云飞
吴玉广
《电子器件》
CAS
2004
2
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职称材料
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