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基于互补金属氧化物半导体的高精度地沟油检测计 被引量:1
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作者 杨洁 黄海深 李阳军 《食品与机械》 CSCD 北大核心 2016年第9期44-48,153,共6页
利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更... 利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更高。在脉冲计数的作用下,电阻分压通过与参考电压相比较可以得到不同的高电平数,不仅可以区分地沟油与正常食用油,还可以得出正常油掺入地沟油的质量分数。在检测计核心电路设计方面,由于采用CMOS工艺设计,所以可以实现低面积和低功耗的检测。 展开更多
关键词 地沟油 互补金属氧化物半导体 电导率 电阻分压
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用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路
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作者 张新 高勇 +2 位作者 刘善喜 安涛 徐春叶 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期278-281,共4页
在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电... 在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电路。测试结果表明 :1.2 μm器件 10 1级环振单门延迟为 2 5 2 ps ,总延迟为 5 4.2ns .电路静态功耗约为 3mW ,动态功耗为 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 绝缘硅 SOI 氧化 动态功耗 电路 静态功耗 延迟 CMOS 集成技术
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双组装互补金属氧化半导体运算放大器
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《电子产品世界》 1998年第11期92-92,共1页
关键词 美国国家半导体公司 组装 互补金属氧化半导体 运算放大器
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半导体照明光源恒流驱动芯片的研究 被引量:8
4
作者 沈慧 朱大中 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期238-241,共4页
介绍了一种半导体照明光源恒流驱动芯片的设计。该芯片采用0.6μm CM O S标准工艺制造,包含有大功率M O SFET、带隙基准源电路、输出缓冲电路和取样反馈控制电路几个主要功能模块,在标准工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。... 介绍了一种半导体照明光源恒流驱动芯片的设计。该芯片采用0.6μm CM O S标准工艺制造,包含有大功率M O SFET、带隙基准源电路、输出缓冲电路和取样反馈控制电路几个主要功能模块,在标准工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。该芯片可为工作电压为3.5 V,工作电流为350 mA的单个半导体照明光源提供恒定的驱动电流。在5 V电源电压有10%跳变的情况下,半导体照明光源的驱动电流的变化可被控制在1.71%以内,而距离光源10 cm处的照度变化仅为1.28%。当环境温度由25°C升高至85°C时,半导体照明光源的驱动电流减小1.14%,而距离光源10 cm处的照度仅减小1.09%。该恒流驱动芯片的电源效率可达63.4%。 展开更多
关键词 半导体照明 互补金属氧化物半导体集成电路 功率集成 恒流驱动
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大功率半导体技术现状及其进展 被引量:14
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作者 刘国友 王彦刚 +3 位作者 李想 Arthur SU 李孔竞 杨松霖 《机车电传动》 北大核心 2021年第5期1-11,共11页
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的... 介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的技术挑战和发展趋势。 展开更多
关键词 功率半导体器件 硅材料 晶闸管 门极可关断晶闸管 集成门极换流晶闸管 绝缘栅极晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 宽禁带
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安森美半导体针对网络和消费应用推出抖动性能一流的可编程时钟乘法器
6
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期960-960,共1页
关键词 可编程时钟 安森美半导体 抖动性能 乘法器 互补金属氧化物半导体 应用 消费 网络
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掌控半导体物理特性的变异
7
作者 Laura Peters 《集成电路应用》 2008年第1期35-35,共1页
“一些电学参数的许容范围无法和它们的正常值那样共同缩减的问题已经凸现出来了,毫无疑问,这将严重地制约新工艺提升芯片的性能以及降低电源的消耗。”IBM研究中心和该公司的Sani Nassif和他的同事们说。事实上,互补型金属氧化物半... “一些电学参数的许容范围无法和它们的正常值那样共同缩减的问题已经凸现出来了,毫无疑问,这将严重地制约新工艺提升芯片的性能以及降低电源的消耗。”IBM研究中心和该公司的Sani Nassif和他的同事们说。事实上,互补型金属氧化物半导体(CMOS)电学特性的变异已经成为了一个必须被认真对待的主要设计问题。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 物理特性 变异 电学参数 设计问题 电学特性 正常值 IBM
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诺基亚西门子通信投资半导体创新公司ClariPhyInc.
8
《中国集成电路》 2011年第7期12-12,共1页
诺基亚西门子通信的投资将支持ClariPhy开发高集成度单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路(IC),用于高性能光网络数字信息处理(DSP)。高容量传输网络是交付固定和移动宽带的关键。IPTV、按需视频、云计算和服务所需的数据... 诺基亚西门子通信的投资将支持ClariPhy开发高集成度单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路(IC),用于高性能光网络数字信息处理(DSP)。高容量传输网络是交付固定和移动宽带的关键。IPTV、按需视频、云计算和服务所需的数据量每年以60%的速度增长。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 西门子 诺基亚 创新公司 投资 通信 数字信息处理 集成电路
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类钙钛矿结构的稀土锰氧化物中的导电机制
9
作者 刘新典 刘金伟 李志青 《河北工业大学学报》 CAS 2001年第5期85-88,共4页
1951年 Zener提出“双交换作用模型”以解释钙钛矿型锰氧化物中在居里温度处同时发生的铁磁相到顺磁相及金属-半导体转变,近年来,在这类材料中发现了所谓的庞磁电阻效应,对其中的导电机制的研究有了新的进展.本文综述了... 1951年 Zener提出“双交换作用模型”以解释钙钛矿型锰氧化物中在居里温度处同时发生的铁磁相到顺磁相及金属-半导体转变,近年来,在这类材料中发现了所谓的庞磁电阻效应,对其中的导电机制的研究有了新的进展.本文综述了类钙钛矿结构的稀土锰氧化物中导电机制的研究进展. 展开更多
关键词 交换作用 小极化子 庞磁电阻 金属-半导体转变 导电机制 居里温度 稀土锰氧化物 钙钛矿结构
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复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究
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作者 王栋 周爱榕 高珊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期10-15,51,共7页
通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通... 通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通过仿真可知:在复合型结构中,随着介电常数差值的增大,薄膜双栅器件的短沟道效应和热载流子效应得到更有效的抑制,同时击穿特性也得到改善。此外在亚阈值区中,亚阈值斜率也可以通过栅氧化层设计进行优化,复合型结构器件的亚阈值斜率更小,性能更优越。 展开更多
关键词 复合型栅氧化 复合型栅氧化层薄膜金属氧化物半导体场效应晶体管 介电常数 阈值电压 电流模型 亚阈值斜率 短沟道效应
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基于45 nm CMOS SOI工艺的毫米波双频段低相噪压控振荡器设计
11
作者 陈喆 王品清 +2 位作者 周培根 陈继新 洪伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2161-2169,共9页
本文基于45 nm互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor Silicon On Insulator,CMOS SOI)设计了一款支持5G毫米波24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz双频段的低相位噪声压控振荡器(Voltage Controlled Os... 本文基于45 nm互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor Silicon On Insulator,CMOS SOI)设计了一款支持5G毫米波24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz双频段的低相位噪声压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).基于CMOS SOI工艺良好的晶体管开关特性,结合开关电容阵列及开关电感方案,提高宽带调谐电容、电感Q值,扩展VCO工作频段,降低相位噪声.同时,输出匹配网络也采用开关电容切换方式,实现了5G毫米波双频段良好阻抗匹配及稳定功率输出.流片测试结果表明该VCO可以完整覆盖5G毫米波双频段24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz,低频段输出功率-4.8~0 dBm,高频段输出功率-6.4~-2.3 dBm.在24.482 GHz载频,1 MHz频偏处的相位噪声为-105.1 dBc/Hz;在43.308 GHz载频,1 MHz频偏处的相位噪声为-95.3 dBc/Hz.VCO核心直流功耗15.3~18.5 mW,电路核心面积为0.198 mm^(2).低频段(高频段)的FoM(Figure of Merit)及FoMT优值分别达到-181.3 dBc/Hz(-175.4 dBc/Hz)、-194.3 dBc/Hz(-188.3 dBc/Hz). 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺 压控振荡器 5G毫米波 频段
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CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
12
作者 徐雷钧 马宇杰 +2 位作者 黄磊 白雪 陈建锋 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期296-303,共8页
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差... 为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱动的自混频功率探测电路将辐射信号耦合至场效应管的栅极和源极,实现高响应度。通过电压缓冲级降低总体噪声,通过运算放大器有效放大探测信号。探测器线阵电路面积为0.8 mm^(2)。测试结果表明,当偏置电压为0.5 V时,该探测系统对0.37 THz辐射信号的电压响应度最大可达441 kV/W,对应的最小噪声等效功率为48 pW/Hz^(1/2)。相比单像素探测器,该探测器阵列可有效提升探测成像速度;相比传统的探测器阵列,该探测器阵列具有更优的性能参数。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声
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一种双向、数字式微型无线内窥镜系统设计 被引量:6
13
作者 谢翔 李国林 +1 位作者 张春 王志华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期123-129,共7页
通过分析目前消化道无线内窥镜的发展状况,提出了一种全新的双向、数字化的微型无线内窥镜系统方案设计,该系统具有实时观察病人图像、全消化道检查以及提供三维深度图像数据等功能,并对方案中各硬件模块及其关键技术进行了详细的论述,... 通过分析目前消化道无线内窥镜的发展状况,提出了一种全新的双向、数字化的微型无线内窥镜系统方案设计,该系统具有实时观察病人图像、全消化道检查以及提供三维深度图像数据等功能,并对方案中各硬件模块及其关键技术进行了详细的论述,设计了该系统的FPGA验证环境,验证了整个方案的正确性。系统胶囊内的数模混合芯片已采用0.18μm CMOS工艺流片。 展开更多
关键词 无线内窥镜 常规内窥镜 三维深度图像 FPGA验证 数模混合芯片 互补金属氧化物半导体工艺
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用于PON的低成本CMOS BM-TIA设计
14
作者 赵婉青 夏翼飞 +5 位作者 李佳 徐颂秦 马帅哲 杨睿煊 耿莉 李丹 《光通信研究》 北大核心 2025年第1期52-58,共7页
【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立... 【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立低噪声BM-TIA,其可兼容12.5、10.0和2.5 Gbit/s 3种信号速率。【方法】为突破CMOS工艺的带宽和噪声瓶颈,TIA通过多级放大、输入电感均衡网络及提高电源电压的方法实现了要求的低噪声。采用前向放大器与反馈电阻共同调节的增益调节方式,实现了3档位的增益变化和速率变化。针对突发模式信号采用快速直流(DC)消除环路(AOC)来精准消除雪崩击穿二极管(APD)输入的DC电流,运用电荷分享技术加速失调消除环路的建立,并通过转换AOC环路时间常数的方法来抑制基线漂移。【结果】芯片采用40 nm CMOS工艺设计制造,裸片尺寸为945μm×945μm。芯片搭配商用10 Gbit/s APD进行同轴罐(TO-CAN)封装测试。测试结果表明,在12.5、10.0以及2.5 Gbit/s速率下,芯片的灵敏度分别为-29.7,-33.0和-37.6 dBm。在不同速率下,饱和输入光电流均可达2.5 mA,实现了24.7、28.2和32.8 dB的大输入动态范围。芯片的静态功耗为82.5 mW,在整个输入光功率范围内,突发模式下AOC的建立时间均小于23 ns。【结论】将文章所提芯片应用于XGS-PON,不但为基于CMOS工艺的低成本低噪声BM-TIA设计提供了借鉴,也对更高速率PON场景下的芯片设计具有指导意义。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体工艺 10吉比特对称无源光网络 突发模式跨阻放大器 多速率兼容 快速建立
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新型高线性度双平衡CMOS混频器芯片的设计 被引量:2
15
作者 赵明剑 李斌 吴朝晖 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期28-33,共6页
设计了一款用于无线通信射频系统的新型双平衡混频器芯片,该混频器的输出信号中不存在与射频输入信号相关的二次非理想项,具有高线性度.该混频器基于新型乘法器结构,在两个工作于线性区的对称金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源、漏两极... 设计了一款用于无线通信射频系统的新型双平衡混频器芯片,该混频器的输出信号中不存在与射频输入信号相关的二次非理想项,具有高线性度.该混频器基于新型乘法器结构,在两个工作于线性区的对称金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源、漏两极加入差分射频信号,在其栅极加入差分本振信号,从而以低复杂度方式实现射频信号与本振信号的双平衡混频或相乘;采用差分推挽放大器及源随器作为芯片的输出缓冲接口,改善了芯片与片外电路之间的隔离度,提高了功率增益和输出匹配性能.芯片采用0.18μm射频(RF)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流片,实现超宽频带范围内的信号混频或相乘,1dB压缩点2.9dBm,三阶交调16 dBm,总功耗25 mW,芯片性能良好,可以满足高性能、超宽带、高速无线通信系统的要求. 展开更多
关键词 混频器 乘法器 平衡 线性度 互补金属氧化物半导体
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短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析 被引量:3
16
作者 朱兆旻 王睿 +1 位作者 赵青云 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期101-105,共5页
基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。... 基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。通过对物理模型和数值模拟结果进行比较,发现在不同的器件结构参数下,亚阈值摆幅之间的误差均小于5%。 展开更多
关键词 金属-氧化物-半导体场效应管 亚阈值特性 摆幅 短沟道效应
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GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响 被引量:1
17
作者 梁海莲 董树荣 +2 位作者 顾晓峰 李明亮 韩雁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页
栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar... 栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计并制备了一系列GGNMOS待测器件;其次,通过传输线脉冲测试,分析了叉指宽度与叉指数对GGNMOS器件ESD失效电流(It2)的影响,结果表明,在固定总宽度下适当减小叉指宽度有利于提高It2;最后,比较了平行式与交错式两种金属布线方案对It2的影响,结果表明,平行式金属布线下GGNMOS器件的ESD鲁棒性更好。 展开更多
关键词 栅接地N型金属氧化物半导体场效应晶体管 静电放电 极型-互补金属氧化物半导体-扩散金属氧化物半导体工艺 叉指 金属布线 失效电流
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高性能双模前置分频器设计 被引量:1
18
作者 曾健平 谢海情 +2 位作者 晏敏 曾云 章兢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期65-67,73,共4页
提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D触发器进行分频,以满足高速要求;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频。这种结构的D触发器不但具有锁存功能,而且所需的管子比主从式D触发器要少,以... 提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D触发器进行分频,以满足高速要求;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频。这种结构的D触发器不但具有锁存功能,而且所需的管子比主从式D触发器要少,以满足低功耗和低噪声要求。从而使总体电路实现高速、低功耗、低噪声要求。基于TSMC的0.18μmCMOS工艺,利用Cadence Spectre工具进行仿真。该分频器最高工作频率可达到5 GHz,在27℃、电源电压为1.8 V、工作频率为5 GHz时,电路的功耗仅4.32 mW。 展开更多
关键词 分频器 源耦合逻辑 D触发器 互补金属氧化物半导体
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纳米双栅MOS器件的二维量子模拟 被引量:2
19
作者 王豪 王高峰 +1 位作者 常胜 黄启俊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期174-179,共6页
利用非平衡格林函数法处理开放边界条件的薛定谔方程,与泊松方程自洽求解,在实空间实现了对纳米量级双栅MOS器件的二维量子模拟。与模空间法的仿真效率及模拟结果进行了比较,对栅极漏电流受栅介质、栅与源漏交叠、栅氧层厚度的影响进行... 利用非平衡格林函数法处理开放边界条件的薛定谔方程,与泊松方程自洽求解,在实空间实现了对纳米量级双栅MOS器件的二维量子模拟。与模空间法的仿真效率及模拟结果进行了比较,对栅极漏电流受栅介质、栅与源漏交叠、栅氧层厚度的影响进行了研究。 展开更多
关键词 非平衡格林函数 金属氧化物半导体场效应管 量子力学效应 实空间 数值模拟 栅极漏电流
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基于双匹配的高效大功率Doherty功率放大器 被引量:2
20
作者 曾荣 周劼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期352-354,372,共4页
针对Doherty功率放大器传统设计方法的不足,提出了一种双匹配设计技术,并给出了实现方法。基于LDMOS器件,用该方法设计了一款饱和功率为55 dBm的Doherty放大器。仿真结果显示,与未采用双匹配法相比,该Doherty放大器的效率改善更好。功... 针对Doherty功率放大器传统设计方法的不足,提出了一种双匹配设计技术,并给出了实现方法。基于LDMOS器件,用该方法设计了一款饱和功率为55 dBm的Doherty放大器。仿真结果显示,与未采用双匹配法相比,该Doherty放大器的效率改善更好。功率附加效率在6 dB回退点比平衡式放大器改善15%,在回退约8 dB的区间上,整体效率都在40%以上。实测结果表明,该放大器增益约12 dB,在输出回退6 dB的区间上,功率附加效率改善10%。 展开更多
关键词 DOHERTY 匹配 功率附加效率 功率放大器 横向扩散金属氧化物半导体器件
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