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ESD对双极型硅器件的损伤机理研究
被引量：
1
1
作者
刘进
陈永光
+1 位作者
谭志良
谢鹏浩
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期1147-1151,共5页
通过理论分析,建立了双极型硅器件的ESD损伤模型,表明ESD对该类器件的损伤主要是过热失效模式。ESD电压较高时,静电放电电流引起局部过热导致PN结峰值温度达到硅的熔融温度(1 413℃)而使器件击穿烧毁;ESD电压较低时,电触点的峰值温度超...
通过理论分析,建立了双极型硅器件的ESD损伤模型,表明ESD对该类器件的损伤主要是过热失效模式。ESD电压较高时,静电放电电流引起局部过热导致PN结峰值温度达到硅的熔融温度(1 413℃)而使器件击穿烧毁;ESD电压较低时,电触点的峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度(577℃),使器件参数退化从而发生潜在性失效。将实验结果与模型分析比较,结果吻合良好。因此,在知道器件生产工艺参数的情况下,就可计算出器件的ESD损伤阈值,为双极型硅器件的设计、参数优化提供了理论依据。
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关键词
静电放电
损伤机理
双极型硅器件
模型
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职称材料
题名
ESD对双极型硅器件的损伤机理研究
被引量：
1
1
作者
刘进
陈永光
谭志良
谢鹏浩
机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期1147-1151,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60971042)
国防科技重点实验室基金项目(9140C87020410JB3403)
文摘
通过理论分析,建立了双极型硅器件的ESD损伤模型,表明ESD对该类器件的损伤主要是过热失效模式。ESD电压较高时,静电放电电流引起局部过热导致PN结峰值温度达到硅的熔融温度(1 413℃)而使器件击穿烧毁;ESD电压较低时,电触点的峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度(577℃),使器件参数退化从而发生潜在性失效。将实验结果与模型分析比较,结果吻合良好。因此,在知道器件生产工艺参数的情况下,就可计算出器件的ESD损伤阈值,为双极型硅器件的设计、参数优化提供了理论依据。
关键词
静电放电
损伤机理
双极型硅器件
模型
Keywords
ESD
Failure Mechanism
Bipolar Silicon Device
modeling
分类号
O441.1 [理学—电磁学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ESD对双极型硅器件的损伤机理研究
刘进
陈永光
谭志良
谢鹏浩
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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