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双极型器件的总剂量辐射效应与损伤机理被引量：1: 1; 作者张婷刘远 +3 位作者李斌恩云飞何玉娟杨元政《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1557-1562,共6页; 随着空间技术的发展,双极型器件和线性电路被广泛应用于辐射环境。从钝化层辐射损伤机理出发,介绍辐射诱生钝化层固定电荷与界面态的产生机理与计算模型,结合基极电流模型探讨双极型器件与电路的总剂量辐射效应,并针对双极型器件的低剂... 展开更多; 关键词双极型器件总剂量辐射效应低剂量率; 在线阅读下载PDF 职称材料

双极型器件制做工艺的发展综述: 2; 作者何晓阳陈学良《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期5-10,21,共7页; 本文通过对双极型器件缩小规则的讨论,总述了双极型器件纵向、横向尺寸缩小所引起的工艺发展,并着重介绍了隔离、多晶发射极和自对准这三方面工艺的演变,从而引出Si高速双极型器件的发展趋势。此外,本文还简述了Si异质结双极型器件的优点。; 关键词双极型器件工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

ESD对双极型硅器件的损伤机理研究被引量：1: 3; 作者刘进陈永光 +1 位作者谭志良谢鹏浩《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1147-1151,共5页; 通过理论分析,建立了双极型硅器件的ESD损伤模型,表明ESD对该类器件的损伤主要是过热失效模式。ESD电压较高时,静电放电电流引起局部过热导致PN结峰值温度达到硅的熔融温度(1 413℃)而使器件击穿烧毁;ESD电压较低时,电触点的峰值温度超... 展开更多; 关键词静电放电损伤机理双极型硅器件模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

双极型功率器件热仿真器的研制及实现: 4; 作者孙文伟邓超 +3 位作者曾文彬唐柳生张西应高超《电子质量》 2022年第2期104-107,共4页; 概述了双极型功率器件的结构特点,给出了界面化热仿真器的器件温升理论方程,通过三维模型热仿真结果及试验实测结温数据对比分析,对仿真器的理论模型、仿真结果进行修正,最终验证了其仿真结果的准确性,该仿真器具有极好的工程应用价值。; 关键词双极型功率器件界面仿真器结温温升; 在线阅读下载PDF 职称材料

双极型模拟IC总剂量效应仿真验证研究被引量：1: 5; 作者罗俊《电子产品可靠性与环境试验》 2020年第1期18-23,共6页; 为了解决航天用双极型模拟集成电路的电离总剂量效应评估问题,结合基于失效物理的半导体器件仿真方法,提出了基于失效物理的双极型模拟集成电路电离总剂量效应仿真验证方法。在此基础上,以某型高性能固定频率电流型控制器芯片为研究对象... 展开更多; 关键词双极型器件模拟集成电路总剂量效应失效物理仿真验证; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体器件辐射效应及抗辐射加固被引量：8: 6; 作者李致远《现代电子技术》 2006年第19期138-141,共4页; 随着空间技术、核技术和战略武器技术的发展,各种电子设备已经广泛用于人造卫星、宇宙飞船、运载火箭、远程导弹和核武器控制系统中。构成电子设备的电子元器件不可避免地要处于空间辐射和核辐射等强辐射应用环境之中,辐射作用会对元器... 展开更多; 关键词双极型器件 MOS器件辐射效应辐射加固; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双极型器件的总剂量辐射效应与损伤机理被引量：1: 1; 作者张婷刘远李斌恩云飞何玉娟杨元政; 机构华南理工大学电子与信息学院工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东工业大学材料与能源学院; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1557-1562,共6页; 基金国家自然科学基金(61204112) 中国博士后科学基金(2012M521628); 文摘随着空间技术的发展,双极型器件和线性电路被广泛应用于辐射环境。从钝化层辐射损伤机理出发,介绍辐射诱生钝化层固定电荷与界面态的产生机理与计算模型,结合基极电流模型探讨双极型器件与电路的总剂量辐射效应,并针对双极型器件的低剂量率辐射损伤机理与模型展开讨论。; 关键词双极型器件总剂量辐射效应低剂量率; Keywords bipolar device total dose effect low dose rate; 分类号 TN322 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双极型器件制做工艺的发展综述: 2; 作者何晓阳陈学良; 机构中国科学院上海冶金研究所微电子学分部; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期5-10,21,共7页; 文摘本文通过对双极型器件缩小规则的讨论,总述了双极型器件纵向、横向尺寸缩小所引起的工艺发展,并着重介绍了隔离、多晶发射极和自对准这三方面工艺的演变,从而引出Si高速双极型器件的发展趋势。此外,本文还简述了Si异质结双极型器件的优点。; 关键词双极型器件工艺; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ESD对双极型硅器件的损伤机理研究被引量：1: 3; 作者刘进陈永光谭志良谢鹏浩; 机构军械工程学院静电与电磁防护研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1147-1151,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60971042) 国防科技重点实验室基金项目(9140C87020410JB3403); 文摘通过理论分析,建立了双极型硅器件的ESD损伤模型,表明ESD对该类器件的损伤主要是过热失效模式。ESD电压较高时,静电放电电流引起局部过热导致PN结峰值温度达到硅的熔融温度(1 413℃)而使器件击穿烧毁;ESD电压较低时,电触点的峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度(577℃),使器件参数退化从而发生潜在性失效。将实验结果与模型分析比较,结果吻合良好。因此,在知道器件生产工艺参数的情况下,就可计算出器件的ESD损伤阈值,为双极型硅器件的设计、参数优化提供了理论依据。; 关键词静电放电损伤机理双极型硅器件模型; Keywords ESD Failure Mechanism Bipolar Silicon Device modeling; 分类号 O441.1 [理学—电磁学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双极型功率器件热仿真器的研制及实现: 4; 作者孙文伟邓超曾文彬唐柳生张西应高超; 机构株洲中车时代半导体有限公司; 出处《电子质量》 2022年第2期104-107,共4页; 文摘概述了双极型功率器件的结构特点,给出了界面化热仿真器的器件温升理论方程,通过三维模型热仿真结果及试验实测结温数据对比分析,对仿真器的理论模型、仿真结果进行修正,最终验证了其仿真结果的准确性,该仿真器具有极好的工程应用价值。; 关键词双极型功率器件界面仿真器结温温升; Keywords Bipolar power devices Interface simulator Junction temperature Temperature rise; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双极型模拟IC总剂量效应仿真验证研究被引量：1: 5; 作者罗俊; 机构中国电子科技集团公司第二十四研究所; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2020年第1期18-23,共6页; 文摘为了解决航天用双极型模拟集成电路的电离总剂量效应评估问题,结合基于失效物理的半导体器件仿真方法,提出了基于失效物理的双极型模拟集成电路电离总剂量效应仿真验证方法。在此基础上,以某型高性能固定频率电流型控制器芯片为研究对象,通过对双极型晶体管单元器件的抗总剂量能力进行仿真研究,可以确定该芯片的抗总剂量能力在剂量率为0.1 rad(Si)/s时高于100 krad(Si),与实际的试验结果一致,为双极型模拟集成电路抗总剂量能力评估提供了一种新思路。; 关键词双极型器件模拟集成电路总剂量效应失效物理仿真验证; Keywords bipolar device analog IC total dose effect failure physics simulation verification; 分类号 TP391.99 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体器件辐射效应及抗辐射加固被引量：8: 6; 作者李致远; 机构西安卫光半导体有限公司; 出处《现代电子技术》 2006年第19期138-141,共4页; 文摘随着空间技术、核技术和战略武器技术的发展,各种电子设备已经广泛用于人造卫星、宇宙飞船、运载火箭、远程导弹和核武器控制系统中。构成电子设备的电子元器件不可避免地要处于空间辐射和核辐射等强辐射应用环境之中,辐射作用会对元器件性能造成不同程度的破坏,进而使整个电子设备发生故障。介绍了微电子器件应用中可能遇到的两类辐射环境,着重分析了辐射对半导体材料与器件的作用机理和不同类型器件的辐射诱生失效模式,分别介绍了对双极型器件和MOS器件进行辐射加固的主要方法。; 关键词双极型器件 MOS器件辐射效应辐射加固; Keywords bipolar device MOS device radiation effect radiation reinforce; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双极型器件的总剂量辐射效应与损伤机理	张婷刘远李斌恩云飞何玉娟杨元政	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	双极型器件制做工艺的发展综述	何晓阳陈学良	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	ESD对双极型硅器件的损伤机理研究	刘进陈永光谭志良谢鹏浩	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	双极型功率器件热仿真器的研制及实现	孙文伟邓超曾文彬唐柳生张西应高超	《电子质量》	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	双极型模拟IC总剂量效应仿真验证研究	罗俊	《电子产品可靠性与环境试验》	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	半导体器件辐射效应及抗辐射加固	李致远	《现代电子技术》	2006	8	在线阅读下载PDF 职称材料