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Diodes双极型三极管采用微型PowerDI5封装大幅节省占板空间
1
《电子与电脑》
2010年第4期62-62,共1页
Diodes推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。 PowerD15的占板空间仅有26mm^2...
Diodes推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。 PowerD15的占板空间仅有26mm^2,比SOT223小47%,比DPA小60%;板外高度仅为1.1mm,远薄于165mm高的SOT223和2.3mm高的DPAK封装。
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关键词
表面贴装封装
双极型三极管
空间
微型
板
PNP晶体管
晶体
三极管
高功率密度
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职称材料
Diodes双极型三极管采用新型PowerDI5封装
2
《中国新通信》
2010年第5期56-56,共1页
Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。
关键词
双极型三极管
表面贴装封装
PNP晶体管
晶体
三极管
高功率密度
设计人员
第五代
NPN
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职称材料
特斯拉Model S驱动系统的结构与工作原理解析(四)
3
作者
蔡元兵
《汽车维修与保养》
2024年第3期55-57,共3页
(接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的...
(接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
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关键词
绝缘栅
双极型
晶体管
功率半导体器件
饱和压降
开关速度
场效应管
双极型三极管
GTR
高输入阻抗
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职称材料
题名
Diodes双极型三极管采用微型PowerDI5封装大幅节省占板空间
1
出处
《电子与电脑》
2010年第4期62-62,共1页
文摘
Diodes推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。 PowerD15的占板空间仅有26mm^2,比SOT223小47%,比DPA小60%;板外高度仅为1.1mm,远薄于165mm高的SOT223和2.3mm高的DPAK封装。
关键词
表面贴装封装
双极型三极管
空间
微型
板
PNP晶体管
晶体
三极管
高功率密度
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Diodes双极型三极管采用新型PowerDI5封装
2
出处
《中国新通信》
2010年第5期56-56,共1页
文摘
Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。
关键词
双极型三极管
表面贴装封装
PNP晶体管
晶体
三极管
高功率密度
设计人员
第五代
NPN
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
特斯拉Model S驱动系统的结构与工作原理解析(四)
3
作者
蔡元兵
机构
惠州城市职业学院
出处
《汽车维修与保养》
2024年第3期55-57,共3页
文摘
(接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
关键词
绝缘栅
双极型
晶体管
功率半导体器件
饱和压降
开关速度
场效应管
双极型三极管
GTR
高输入阻抗
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Diodes双极型三极管采用微型PowerDI5封装大幅节省占板空间
《电子与电脑》
2010
0
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职称材料
2
Diodes双极型三极管采用新型PowerDI5封装
《中国新通信》
2010
0
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职称材料
3
特斯拉Model S驱动系统的结构与工作原理解析(四)
蔡元兵
《汽车维修与保养》
2024
0
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职称材料
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