本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响

1

作者 葛超洋 杨强 +2 位作者 李燕妃 孙家林 谢儒彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页

基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。 展开更多

关键词 双极器件 总电离剂量(TID)辐射 本征基区 0.18μm BCD工艺

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硅异质结和赝异质结双极器件研究进展

2

作者 郑茳 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期144-147,共4页

本文作者结合自己的工作，综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展，指出ＧｅＳｉＨＢＴ将成为双极结构的主流技术，硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。

关键词 硅 异质结 赝异质结 双极器件 双极晶体管

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硅双极器件及电路电离总剂量辐照损伤研究 被引量：4

3

作者 王鹏 崔占东 +1 位作者 邹学锋 杨筱莉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期58-63,共6页

针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和... 针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和电参数变化。通过选取几种典型的双极晶体管和电路进行地面辐照模拟试验和测试,证明了双极器件及电路的关键参数受辐照影响较大,特别是对低剂量率辐照损伤增强效应敏感,低剂量率辐照损伤增强因子基本都大于1.5,不同双极器件和电路的低剂量率辐照损伤增强效应有着明显的不同,与器件类型、加工工艺(如氧化层厚度)等密切相关。 展开更多

关键词 双极器件 总剂量辐照 低剂量率 低剂量率辐照损伤增强效应 增强因子

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宇航用双极器件和光电耦合器位移损伤试验研究 被引量：7

4

作者 李铮 于庆奎 +3 位作者 罗磊 孙毅 梅博 唐民 《航天器环境工程》 2017年第1期86-90,共5页

文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦合器的电流传输比(CTR)和硅晶体管电流增益hFE的退化率随等效剂量的变化规律。研究结果表明,在质子70 Me... 文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦合器的电流传输比(CTR)和硅晶体管电流增益hFE的退化率随等效剂量的变化规律。研究结果表明,在质子70 MeV以上高能量范围,对于硅器件适用的位移损伤等效原理对于GaAs化合物器件则不再适用,需要修正。根据试验数据,给出了经验的修正系数。 展开更多

关键词 双极器件 光电耦合器 辐射效应 位移损伤 等效剂量 试验研究

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硅双极器件ELDRS效应机理的研究进展 被引量：2

5

作者 张修瑜 代刚 宋宇 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期481-488,共8页

低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)的发现引起了国际航天领域的关注。本文介绍了双极器件的辐照响应,综述了自1991年发现双极器件具有ELDRS效应二十多年以来ELDRS效应机理研究取得的主要成果,分析了未来可能的研究方向。调研发现,机理研... 低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)的发现引起了国际航天领域的关注。本文介绍了双极器件的辐照响应,综述了自1991年发现双极器件具有ELDRS效应二十多年以来ELDRS效应机理研究取得的主要成果,分析了未来可能的研究方向。调研发现,机理研究主要聚焦在Si/SiO2界面处,建立工艺与界面特性的关联对于抑制ELDRS效应极具参考价值。 展开更多

关键词 双极器件 低剂量率辐射损伤增强效应 界面 机理模型 工艺

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H_(2)和H_(2)O对双极器件抗辐射性能的影响规律和机制 被引量：1

6

作者 马武英 缑石龙 +4 位作者 郭红霞 姚志斌 何宝平 王祖军 盛江坤 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第9期897-902,共6页

为了深入研究H_(2)和H_(2)O进入氧化层后对双极器件辐射效应的影响机制,以栅控双极晶体管为研究载体,分别开展了不同浓度H_(2)浸泡中的辐照试验和温湿度试验后的总剂量辐照试验。试验结果表明,随着氢气浸泡浓度的增加,器件的抗辐射能力... 为了深入研究H_(2)和H_(2)O进入氧化层后对双极器件辐射效应的影响机制,以栅控双极晶体管为研究载体,分别开展了不同浓度H_(2)浸泡中的辐照试验和温湿度试验后的总剂量辐照试验。试验结果表明,随着氢气浸泡浓度的增加,器件的抗辐射能力逐渐降低;而温湿度试验后,由于水汽的进入,器件在随后的辐照试验过程中辐射损伤呈增大趋势。在此基础上,利用栅控栅扫描法进行氧化层辐射感生缺陷的定量分离,发现H_(2)和H_(2)O进入器件氧化层后,均会造成辐射感生界面陷阱电荷Nit的增加,并在一定程度上降低辐射感生氧化物陷阱电荷Not的量,结合理论分析进一步给出了H_(2)和H_(2)O造成器件损伤增强的潜在机制。研究成果对于辐射环境用电子系统的抗辐射性能评价和应用具有参考意义。 展开更多

关键词 双极器件 电离总剂量 湿度 氢 Γ射线

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高压蒸汽对塑封双极器件电参数的影响

7

作者 韩兆芳 梁琦 黄峥嵘 《电子与封装》 2013年第12期20-22,38,共4页

塑封双极晶体管采用EIA/JESD22-A102-C规定的121℃、100%RH、29.7 psi压力的条件试验96 h后,测试发现直流增益HFE会有明显的下降,击穿电压BV CEO会略有上升。开封芯片检查和理论分析表明,高压水汽可以穿透封装,造成芯片内部微缺陷增加,... 塑封双极晶体管采用EIA/JESD22-A102-C规定的121℃、100%RH、29.7 psi压力的条件试验96 h后,测试发现直流增益HFE会有明显的下降,击穿电压BV CEO会略有上升。开封芯片检查和理论分析表明,高压水汽可以穿透封装,造成芯片内部微缺陷增加,导致器件HFE下降,BV CEO略有上升。通过优化封装材料及工艺,可以改善HFE漂移,增强器件抗潮湿性能。 展开更多

关键词 塑封 双极器件 HFE 高压蒸汽

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低温氧化技术优化双极器件结构及工艺的研究

8

作者 范伟宏 闫建新 +1 位作者 冯荣杰 韩建 《中国集成电路》 2021年第6期89-93,共5页

双极集成电路需要在不影响器件特性的前提下通过缩小基区面积提高电路密度。利用LTO淀积SiO_(2)薄膜替代热氧化SiO_(2)薄膜,用LTO较低淀积温度进行发射区退火替代氧化退火工艺,双极器件的基区和发射区消除了"分凝"和"鸟... 双极集成电路需要在不影响器件特性的前提下通过缩小基区面积提高电路密度。利用LTO淀积SiO_(2)薄膜替代热氧化SiO_(2)薄膜,用LTO较低淀积温度进行发射区退火替代氧化退火工艺,双极器件的基区和发射区消除了"分凝"和"鸟嘴"现象,具有自然扩散的形貌特征,缩小了基区面积,优化了器件结构,可以有效提高器件集成密度。在基区和发射区工艺控制方面,LTO工艺减少了高温工序,有效节约能源和掺杂材料消耗;该工艺流程比较简短紧凑,有利于实现工艺标准化,减少由于不确定工艺因素造成产品的质量波动。 展开更多

关键词 LTO淀积 双极器件 基区 发射区 结构优化

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双极器件和光电器件辐射效应飞行验证分析 被引量：2

9

作者 郭征新 瞿华 周东方 《空间电子技术》 2017年第6期33-38,共6页

为验证元器件在空间综合环境特别是真实辐射环境下的可用性,需要开展在轨飞行验证。文中就双极器件和光电器件辐射效应的在轨飞行验证进行了分析,重点分析研究了器件特征参数选择、特征参数测试电路、飞行验证测试系统模块设计等基本思... 为验证元器件在空间综合环境特别是真实辐射环境下的可用性,需要开展在轨飞行验证。文中就双极器件和光电器件辐射效应的在轨飞行验证进行了分析,重点分析研究了器件特征参数选择、特征参数测试电路、飞行验证测试系统模块设计等基本思路,并就关键技术难点提出了初步解决建议,为国产元器件飞行验证提供一种参考。 展开更多

关键词 双极器件 光电器件 飞行验证 测试系统

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高增益低噪声超低温硅双极器件系列

10

《电子器件》 CAS 1992年第4期255-255,共1页

东南大学微电子中心在国家自然科学基金委、机电部电子科学研究院和江苏省科委的资助和支持下,在国内率先研制成功了可在液氮温度下正常工作的高增益低噪声超低温硅双极器件系列,通过了江苏省科委主持的技术鉴定,器件主要电参数性能指标为:

关键词 双极器件 高增益 低噪声 低温

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硅片直接键合技术在双极功率器件中的应用

11

作者 茅盘松 《电子器件》 CAS 1995年第2期86-89,共4页

本文介绍了利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术代替三重扩散，生产ＤＫ５５双极功率器件。实验说明，ＳＤＢ片代替三重扩散无需高温长时间的扩散，由于衬底质量好，器件特性得到提高，工艺过程中碎片率减少，生产效率提高。

关键词 双极功率器件 硅片直接键合 应用

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用于射频电路的CMOS器件设计

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作者 甘学温 程伟 张兴 《中国集成电路》 2002年第9期21-24,共4页

CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯片(SOC)的实现,也使CMOS技术进入射频(RF)领域。

关键词 射频电路 双极晶体管 截止频率 有效沟道长度 深亚微米 最小噪声系数 双极器件 工作频率 电流比 比例缩小

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小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟 被引量：1

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作者 赵守磊 李惠军 +1 位作者 吴胜龙 刘岩 《微纳电子技术》 CAS 2008年第4期193-197,共5页

基于通信系统中射频电路设计的特殊要求,对小尺寸(基区宽度低于100nm)、超高频(特征频率高于15GHz)双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟,为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现,在对小尺寸、超高频双极... 基于通信系统中射频电路设计的特殊要求,对小尺寸(基区宽度低于100nm)、超高频(特征频率高于15GHz)双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟,为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现,在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上,实现了该器件工艺级(Sentaurus Process)及器件物理特性级(Sentaurus Device)的仿真,提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明,在高频指标参数17GHz下,所得β值接近于80,满足设计要求。 展开更多

关键词 小尺寸 双极器件 频率特性 工艺仿真 特性模拟

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钝化层对高压蒸汽试验中器件参数漂移的影响

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作者 韩兆芳 黄峥嵘 《电子与封装》 2018年第A01期60-63,共4页

采用Si02钝化层的塑封双极晶体管在EIA／JESD22-A102-C规定的121℃、100％RH、29．7 psi压力的条件试验96 h后，直流增益HFE测试值会有明显的下降，击穿电压BVCEO会略有上升。分析表明高压水汽可以穿透封装和钝化层，造成芯片内部微缺... 采用Si02钝化层的塑封双极晶体管在EIA／JESD22-A102-C规定的121℃、100％RH、29．7 psi压力的条件试验96 h后，直流增益HFE测试值会有明显的下降，击穿电压BVCEO会略有上升。分析表明高压水汽可以穿透封装和钝化层，造成芯片内部微缺陷增加，导致器件HFE下降，BVCEO略有上升。通过优化钝化层工艺并对比试验验证，采用SiO2加Si。N4的复合钝化层，可以避免器件参数漂移，改善器件抗潮湿性能。 展开更多

关键词 钝化层 双极器件 HFE 高压蒸汽

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BiCMOS器件应用前景及其发展趋势 被引量：8

15

作者 王振宇 成立 +1 位作者 高平 史宜巧 《电讯技术》 北大核心 2003年第4期9-14,共6页

为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。

关键词 BiCMOS器件 发展趋势 混合微电子技术 双极互补金属氧化物半导体器件 混合微电子技术 工艺结构

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基于神经网络的GaAs HBT器件模型研究

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作者 徐坤 张金灿 +2 位作者 王金婵 刘敏 李娜 《雷达科学与技术》 北大核心 2022年第2期165-172,共8页

建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)... 建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)神经网络算法和反向传播(BP)神经网络算法分别建立GaAs异质结双极晶体管器件的大信号模型。这些模型的训练和测试数据分别来自于测试的双端口散射参数,以及测试的直流特性和功率特性数据。然后将模型数据与实测结果进行对比,结果发现,基于神经网络的器件模型能够精确地模拟器件特性,而且RBF神经网络模型相比BP神经网络模型,误差更小,预测更精确。 展开更多

关键词 砷化镓异质结双极晶体管器件 径向基函数神经网络 反向传播神经网络 器件模型

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金刚石场效应管的研究与展望 被引量：1

17

作者 孙再吉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期8-11,29,共5页

介绍了金刚石器件的发展现状与技术，对金刚石双极器件和金刚石场效应管进行了分析。同时讨论了该领域未来的研究趋向。

关键词 宽带隙器件 双极器件 场效应管 金刚石

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砷化镓HBT的VBIC模型研究 被引量：1

18

作者 黄风义 孔晓明 +1 位作者 蒋俊洁 姜楠 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期188-191,共4页

利用国际先进的 2μmInGaP/GaAsHBT工艺加工生产线进行了晶体管芯片的加工,并在器件测试的基础上开展了模型参数的提取.所研究的模型主要是针对异质结双极晶体管器件HBT特别是砷化镓异质结双极晶体管器件,在对常用的几种器件模型,如EM... 利用国际先进的 2μmInGaP/GaAsHBT工艺加工生产线进行了晶体管芯片的加工,并在器件测试的基础上开展了模型参数的提取.所研究的模型主要是针对异质结双极晶体管器件HBT特别是砷化镓异质结双极晶体管器件,在对常用的几种器件模型,如EM模型、GP模型和VBIC模型的特点做比较的基础上,详细介绍了一种基于IC-CAP系统的准确提取VBIC模型的方法.利用提取的VBIC模型对所制备器件进行了模拟仿真,仿真结果与测试结果相比较二者可以很好吻合至 20GHz. 展开更多

关键词 异质结双极晶体管器件 VBIC模型 参数提取

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低压高速大驱动电流BiCMOS模拟开关单元 被引量：3

19

作者 成立 王振宇 +1 位作者 祝俊 张荣标 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期597-601,共5页

从改善速度和电流驱动能力出发,设计了4种BiCMOS模拟开关电路。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),而在电路的主体部分则设置CMOS器件。推导出电路的传延时间估算式,优选了元器件参数,并采取提速和增大驱动电流的... 从改善速度和电流驱动能力出发,设计了4种BiCMOS模拟开关电路。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),而在电路的主体部分则设置CMOS器件。推导出电路的传延时间估算式,优选了元器件参数,并采取提速和增大驱动电流的措施。实验结果表明,所设计的BiCMOS开关电路在低电源电压2.6V≤VDD≤4.0V的范围内,综合性能指标——延迟-功耗积DP比CMOS开关电路平均降低了36.52pJ,输出级BJT的驱动电流可达1.40mA以上,因而特别适用于低压、高速、大驱动电流的数字通信系统中。 展开更多

关键词 双极互补金属氧化物半导体器件 模拟开关单元 低压 高速度 大驱动电流 数宇通信系统

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新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器 被引量：4

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作者 成立 高平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期281-287,共7页

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型... 从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。 展开更多

关键词 芯片互连 CMOS/BiCMOS驱动器 双极互补金属氧化物半导体器件 低功耗 双极型电路

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