本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响 被引量：2

1

作者 葛超洋 杨强 +2 位作者 李燕妃 孙家林 谢儒彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页

基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。 展开更多

关键词 双极器件 总电离剂量(TID)辐射 本征基区 0.18μm BCD工艺

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硅异质结和赝异质结双极器件研究进展

2

作者 郑茳 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期144-147,共4页

本文作者结合自己的工作，综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展，指出ＧｅＳｉＨＢＴ将成为双极结构的主流技术，硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。

关键词 硅 异质结 赝异质结 双极器件 双极晶体管

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硅双极器件及电路电离总剂量辐照损伤研究 被引量：4

3

作者 王鹏 崔占东 +1 位作者 邹学锋 杨筱莉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期58-63,共6页

针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和... 针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和电参数变化。通过选取几种典型的双极晶体管和电路进行地面辐照模拟试验和测试,证明了双极器件及电路的关键参数受辐照影响较大,特别是对低剂量率辐照损伤增强效应敏感,低剂量率辐照损伤增强因子基本都大于1.5,不同双极器件和电路的低剂量率辐照损伤增强效应有着明显的不同,与器件类型、加工工艺(如氧化层厚度)等密切相关。 展开更多

关键词 双极器件 总剂量辐照 低剂量率 低剂量率辐照损伤增强效应 增强因子

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双极功率集成器件的优化

4

作者 吴郁 王浩 +1 位作者 程序 亢宝位 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1168-1174,共7页

以400 V双极功率集成器件(由BJT与p-i-n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像,阐明了集成功率器件中横向寄生晶体管所带来的影响,以及主晶体管与内二极管的不同间距又如何影响... 以400 V双极功率集成器件(由BJT与p-i-n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像,阐明了集成功率器件中横向寄生晶体管所带来的影响,以及主晶体管与内二极管的不同间距又如何影响寄生晶体管所起作用等问题.最后给出了主晶体管与内二极管间距的优化设计值.这些为理解问题进而设计出主晶体管与内二极管之间新的隔离措施奠定了理论基础. 展开更多

关键词 双极功率集成器件 主晶体管 内二极管 漏电流 反向恢复时间

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BiCMOS器件应用前景及其发展趋势 被引量：8

5

作者 王振宇 成立 +1 位作者 高平 史宜巧 《电讯技术》 北大核心 2003年第4期9-14,共6页

为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。

关键词 BiCMOS器件 发展趋势 混合微电子技术 双极互补金属氧化物半导体器件 混合微电子技术 工艺结构

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基于神经网络的GaAs HBT器件模型研究

6

作者 徐坤 张金灿 +2 位作者 王金婵 刘敏 李娜 《雷达科学与技术》 北大核心 2022年第2期165-172,共8页

建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)... 建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)神经网络算法和反向传播(BP)神经网络算法分别建立GaAs异质结双极晶体管器件的大信号模型。这些模型的训练和测试数据分别来自于测试的双端口散射参数,以及测试的直流特性和功率特性数据。然后将模型数据与实测结果进行对比,结果发现,基于神经网络的器件模型能够精确地模拟器件特性,而且RBF神经网络模型相比BP神经网络模型,误差更小,预测更精确。 展开更多

关键词 砷化镓异质结双极晶体管器件 径向基函数神经网络 反向传播神经网络 器件模型

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金刚石场效应管的研究与展望 被引量：1

7

作者 孙再吉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期8-11,29,共5页

介绍了金刚石器件的发展现状与技术，对金刚石双极器件和金刚石场效应管进行了分析。同时讨论了该领域未来的研究趋向。

关键词 宽带隙器件 双极器件 场效应管 金刚石

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砷化镓HBT的VBIC模型研究 被引量：1

8

作者 黄风义 孔晓明 +1 位作者 蒋俊洁 姜楠 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期188-191,共4页

利用国际先进的 2μmInGaP/GaAsHBT工艺加工生产线进行了晶体管芯片的加工,并在器件测试的基础上开展了模型参数的提取.所研究的模型主要是针对异质结双极晶体管器件HBT特别是砷化镓异质结双极晶体管器件,在对常用的几种器件模型,如EM... 利用国际先进的 2μmInGaP/GaAsHBT工艺加工生产线进行了晶体管芯片的加工,并在器件测试的基础上开展了模型参数的提取.所研究的模型主要是针对异质结双极晶体管器件HBT特别是砷化镓异质结双极晶体管器件,在对常用的几种器件模型,如EM模型、GP模型和VBIC模型的特点做比较的基础上,详细介绍了一种基于IC-CAP系统的准确提取VBIC模型的方法.利用提取的VBIC模型对所制备器件进行了模拟仿真,仿真结果与测试结果相比较二者可以很好吻合至 20GHz. 展开更多

关键词 异质结双极晶体管器件 VBIC模型 参数提取

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用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM 被引量：4

9

作者 董素玲 成立 +1 位作者 王振宇 高平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期44-48,共5页

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成... 设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。 展开更多

关键词 0.8μm工艺技术 静态随机存取存储器 BICMOS SRAM 双极互补金属氧化物半导体器件 输入/输出电路 地址译码器

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非线性Boltzmann-Poisson方程组的整体光滑解

10

作者 崔国忠 王元明 《数学年刊（A辑）》 CSCD 北大核心 2000年第1期89-94,共6页

本文研究双极半导体器件的古典Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ－Ｐｏｉｓｓｏｎ模型，在考虑碰撞及产生复合项的条件下， 证明了其Ｃａｕｃｈｙ问题的整体光滑解的存在唯一性．

关键词 B-P方程组 整体光滑解 非线性 双极半导体器件

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全差分BiCMOS采样/保持电路仿真设计

11

作者 王改 成立 +2 位作者 杨宁 吴衍 王鹏程 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期478-481,494,共5页

在全差分折叠式共栅-共源运放的基础上,设计了一款BiCMOS采样/保持电路。该款电路采用输入自举开关来提高线性度,同时设计的高速、高精度运放,其建立时间tS只有1.37 ns,提升了电路的速度和精度。所设计的运放中的双通道共模反馈电路使... 在全差分折叠式共栅-共源运放的基础上,设计了一款BiCMOS采样/保持电路。该款电路采用输入自举开关来提高线性度,同时设计的高速、高精度运放,其建立时间tS只有1.37 ns,提升了电路的速度和精度。所设计的运放中的双通道共模反馈电路使共模电压稳定输出时间tW约达1.5 ns。采用SMIC公司的0.25μmBiCMOS工艺参数,在Cadence Spectre环境下进行了仿真实验,结果表明,当输入正弦电压频率fI为10 MHz、峰-峰值UP-P为1 V,且电源电压VDD为3 V、采样频率fS为250 MHz时,所设计的采样/保持电路的无杂散动态范围SFDR约为-61 dB,信噪比SNR约为62 dB,整个电路的功耗PD约为10.85 mW,适用于10位低压、高速A/D转换器的设计。 展开更多

关键词 采样/保持电路 双极互补金属氧化物半导体器件 全差分 仿真

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