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BiCMOS器件应用前景及其发展趋势被引量：8: 1; 作者王振宇成立 +1 位作者高平史宜巧《电讯技术》北大核心 2003年第4期9-14,共6页; 为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。; 关键词 BiCMOS器件发展趋势混合微电子技术双极互补金属氧化物半导体器件混合微电子技术工艺结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM 被引量：4: 2; 作者董素玲成立 +1 位作者王振宇高平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期44-48,共5页; 设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成... 展开更多; 关键词 0.8μm工艺技术静态随机存取存储器 BICMOS SRAM 双极互补金属氧化物半导体器件输入/输出电路地址译码器; 在线阅读下载PDF 职称材料

非线性Boltzmann-Poisson方程组的整体光滑解: 3; 作者崔国忠王元明《数学年刊（A辑）》 CSCD 北大核心 2000年第1期89-94,共6页; 本文研究双极半导体器件的古典Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ－Ｐｏｉｓｓｏｎ模型，在考虑碰撞及产生复合项的条件下，证明了其Ｃａｕｃｈｙ问题的整体光滑解的存在唯一性．; 关键词 B-P方程组整体光滑解非线性双极半导体器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

全差分BiCMOS采样/保持电路仿真设计: 4; 作者王改成立 +2 位作者杨宁吴衍王鹏程《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期478-481,494,共5页; 在全差分折叠式共栅-共源运放的基础上,设计了一款BiCMOS采样/保持电路。该款电路采用输入自举开关来提高线性度,同时设计的高速、高精度运放,其建立时间tS只有1.37 ns,提升了电路的速度和精度。所设计的运放中的双通道共模反馈电路使... 展开更多; 关键词采样/保持电路双极互补金属氧化物半导体器件全差分仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名BiCMOS器件应用前景及其发展趋势被引量：8: 1; 作者王振宇成立高平史宜巧; 机构江苏大学电气与信息工程学院; 出处《电讯技术》北大核心 2003年第4期9-14,共6页; 基金江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005); 文摘为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。; 关键词 BiCMOS器件发展趋势混合微电子技术双极互补金属氧化物半导体器件混合微电子技术工艺结构; Keywords BiCMOS device Mixed microelectronic technology Technical configuration Typical application Development trend; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM 被引量：4: 2; 作者董素玲成立王振宇高平; 机构江苏大学电气与信息工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期44-48,共5页; 基金江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005); 文摘设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。; 关键词 0.8μm工艺技术静态随机存取存储器 BICMOS SRAM 双极互补金属氧化物半导体器件输入/输出电路地址译码器; Keywords BiCMOS device static random access memory(SRAM) memory unit input/output circuit(I/O circuit) address decoder; 分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非线性Boltzmann-Poisson方程组的整体光滑解: 3; 作者崔国忠王元明; 机构信息工程大学信息安全学院应用数学系东南大学应用数学系; 出处《数学年刊（A辑）》 CSCD 北大核心 2000年第1期89-94,共6页; 基金国家自然科学基金东南大学科研基金; 文摘本文研究双极半导体器件的古典Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ－Ｐｏｉｓｓｏｎ模型，在考虑碰撞及产生复合项的条件下，证明了其Ｃａｕｃｈｙ问题的整体光滑解的存在唯一性．; 关键词 B-P方程组整体光滑解非线性双极半导体器件; 分类号 O175 [理学—基础数学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名全差分BiCMOS采样/保持电路仿真设计: 4; 作者王改成立杨宁吴衍王鹏程; 机构江苏大学电气与信息工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期478-481,494,共5页; 基金国家"863"计划引导项目(2006AA10Z258); 文摘在全差分折叠式共栅-共源运放的基础上,设计了一款BiCMOS采样/保持电路。该款电路采用输入自举开关来提高线性度,同时设计的高速、高精度运放,其建立时间tS只有1.37 ns,提升了电路的速度和精度。所设计的运放中的双通道共模反馈电路使共模电压稳定输出时间tW约达1.5 ns。采用SMIC公司的0.25μmBiCMOS工艺参数,在Cadence Spectre环境下进行了仿真实验,结果表明,当输入正弦电压频率fI为10 MHz、峰-峰值UP-P为1 V,且电源电压VDD为3 V、采样频率fS为250 MHz时,所设计的采样/保持电路的无杂散动态范围SFDR约为-61 dB,信噪比SNR约为62 dB,整个电路的功耗PD约为10.85 mW,适用于10位低压、高速A/D转换器的设计。; 关键词采样/保持电路双极互补金属氧化物半导体器件全差分仿真; Keywords sample/hold circuit BiCMOS devices fully differential simulation; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	BiCMOS器件应用前景及其发展趋势	王振宇成立高平史宜巧	《电讯技术》北大核心	2003	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM	董素玲成立王振宇高平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2003	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非线性Boltzmann-Poisson方程组的整体光滑解	崔国忠王元明	《数学年刊（A辑）》 CSCD 北大核心	2000	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	全差分BiCMOS采样/保持电路仿真设计	王改成立杨宁吴衍王鹏程	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料