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双极功率集成器件的优化
1
作者
吴郁
王浩
+1 位作者
程序
亢宝位
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期1168-1174,共7页
以400 V双极功率集成器件(由BJT与p-i-n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像,阐明了集成功率器件中横向寄生晶体管所带来的影响,以及主晶体管与内二极管的不同间距又如何影响...
以400 V双极功率集成器件(由BJT与p-i-n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像,阐明了集成功率器件中横向寄生晶体管所带来的影响,以及主晶体管与内二极管的不同间距又如何影响寄生晶体管所起作用等问题.最后给出了主晶体管与内二极管间距的优化设计值.这些为理解问题进而设计出主晶体管与内二极管之间新的隔离措施奠定了理论基础.
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关键词
双极功率集成器件
主晶体管
内二极管
漏电流
反向恢复时间
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职称材料
题名
双极功率集成器件的优化
1
作者
吴郁
王浩
程序
亢宝位
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期1168-1174,共7页
基金
北京市教育委员会科技发展计划面上项目(KM200510005022)
文摘
以400 V双极功率集成器件(由BJT与p-i-n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像,阐明了集成功率器件中横向寄生晶体管所带来的影响,以及主晶体管与内二极管的不同间距又如何影响寄生晶体管所起作用等问题.最后给出了主晶体管与内二极管间距的优化设计值.这些为理解问题进而设计出主晶体管与内二极管之间新的隔离措施奠定了理论基础.
关键词
双极功率集成器件
主晶体管
内二极管
漏电流
反向恢复时间
Keywords
power bipolar integrated device
main transistor
internal diode
leakage current
reverse recovery time
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双极功率集成器件的优化
吴郁
王浩
程序
亢宝位
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
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