BiCMOS器件应用前景及其发展趋势 被引量：8

1

作者 王振宇 成立 +1 位作者 高平 史宜巧 《电讯技术》 北大核心 2003年第4期9-14,共6页

为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。

关键词 BiCMOS器件 发展趋势 混合微电子技术 双极互补金属氧化物半导体器件 混合微电子技术 工艺结构

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用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM 被引量：4

2

作者 董素玲 成立 +1 位作者 王振宇 高平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期44-48,共5页

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成... 设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。 展开更多

关键词 0.8μm工艺技术 静态随机存取存储器 BICMOS SRAM 双极互补金属氧化物半导体器件 输入/输出电路 地址译码器

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BiCMOS三态输出门电路的设计、制备及应用 被引量：10

3

作者 成立 李彦旭 +2 位作者 董素玲 汪洋 唐平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期50-54,共5页

设计了几种BiCMOS三态输出门电路,提出了采用先进的0.5mm BiCMOS工艺,制备所设计的三态输出门的技术要点和器件参数,并分析了它们既具有双极型(Bipolar)门电路快速、大电流驱动能力,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗和高集成度的特性,因而... 设计了几种BiCMOS三态输出门电路,提出了采用先进的0.5mm BiCMOS工艺,制备所设计的三态输出门的技术要点和器件参数,并分析了它们既具有双极型(Bipolar)门电路快速、大电流驱动能力,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它便携式数字设备中。 展开更多

关键词 BICMOS 数字信息系统 双极互补金属氧化物半导体 三态输出门电路

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全差分BiCMOS采样/保持电路仿真设计

4

作者 王改 成立 +2 位作者 杨宁 吴衍 王鹏程 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期478-481,494,共5页

在全差分折叠式共栅-共源运放的基础上,设计了一款BiCMOS采样/保持电路。该款电路采用输入自举开关来提高线性度,同时设计的高速、高精度运放,其建立时间tS只有1.37 ns,提升了电路的速度和精度。所设计的运放中的双通道共模反馈电路使... 在全差分折叠式共栅-共源运放的基础上,设计了一款BiCMOS采样/保持电路。该款电路采用输入自举开关来提高线性度,同时设计的高速、高精度运放,其建立时间tS只有1.37 ns,提升了电路的速度和精度。所设计的运放中的双通道共模反馈电路使共模电压稳定输出时间tW约达1.5 ns。采用SMIC公司的0.25μmBiCMOS工艺参数,在Cadence Spectre环境下进行了仿真实验,结果表明,当输入正弦电压频率fI为10 MHz、峰-峰值UP-P为1 V,且电源电压VDD为3 V、采样频率fS为250 MHz时,所设计的采样/保持电路的无杂散动态范围SFDR约为-61 dB,信噪比SNR约为62 dB,整个电路的功耗PD约为10.85 mW,适用于10位低压、高速A/D转换器的设计。 展开更多

关键词 采样/保持电路 双极互补金属氧化物半导体器件 全差分 仿真

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高速低耗BiCMOS OC门及其线与逻辑系统 被引量：7

5

作者 成立 朱漪云 +2 位作者 王振宇 刘星桥 祝俊 《江苏大学学报（自然科学版）》 EI CAS 北大核心 2007年第2期156-159,共4页

为了满足高速度、低功耗数字逻辑系统的应用需求,运用改进电路内部结构和优化选取器件参数的方法,设计了4种双极互补金属氧化物半导体集电极开路(BiCMOS OC)门,并且用它们构成了线与逻辑系统;藉助两个BiCMOS OC门线与系统推导出其上拉电... 为了满足高速度、低功耗数字逻辑系统的应用需求,运用改进电路内部结构和优化选取器件参数的方法,设计了4种双极互补金属氧化物半导体集电极开路(BiCMOS OC)门,并且用它们构成了线与逻辑系统;藉助两个BiCMOS OC门线与系统推导出其上拉电阻RL的计算式;对所设计的4种BiCMOS OC门和一种传统的TTL OC门线与系统进行了仿真试验和硬件电路试验.长工验数据和分析结果表明,所设计的BiCMOS OC门线与系统的电源电压均可为2.6-4.0V,工作速度与TTL OC门线与系统相接近,在60 MHz测试条件下它们的功耗比TTL OC门减少4.77-5.68 mW,且它们的延迟-功耗积平均降低了45.5%. 展开更多

关键词 数字系统 双极互补金属氧化物半导体 开集门 线与逻辑系统 延迟-功耗积

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几种用于高速数字通信系统中的锁存比较器 被引量：7

6

作者 李彦旭 成立 董素玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期37-41,共5页

在分析、比较了高速数字系统中常用的几种低耗锁存比较器电路的基础上,重新提出了三种新颖的高速、低耗锁存比较器,其中有两种是BiCMOS锁存比较电路。经过仿真试验后,说明了这几种锁存比较器完全满足于高速数字通信系统的性能要求。

关键词 双极互补金属氧化物半导体 BICMOS 高速数字通信系统 电流型比较器 锁存比较器

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8 bit 800 Msps高速采样保持电路的设计 被引量：2

7

作者 潘星 王永禄 张正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1044-1047,共4页

为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究。提出的高速采样保持电路(SH)采用SiGe BiCMOS工艺设计,该工艺提供了0.35μm的CMOS和46 GHzfT的SiG... 为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究。提出的高速采样保持电路(SH)采用SiGe BiCMOS工艺设计,该工艺提供了0.35μm的CMOS和46 GHzfT的SiGe HBT。基于BiCMOS开关射极跟随器(SEF)的SH,旨在比二极管桥SH消耗更少的电流和面积。在SH核心,电源电压3.3 V,功耗44 mW。在相干采样模式下,时钟频率为800 MHz时,其无杂波动态范围(SFDR)为-52.8 dB,总谐波失真(THD)为-50.4 dB,满足8 bit精度要求。结果显示设计的电路可以用于中精度、高速A/D转换器。 展开更多

关键词 采样保持电路 高速 开关射极跟随器 双极互补金属氧化物半导体

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压电传感器信号调理及输出芯片设计 被引量：2

8

作者 王远 周怡妃 +1 位作者 王小龙 吴付岗 《传感器与微系统》 CSCD 2017年第11期99-102,共4页

为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流... 为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流输出电路。仿真结果表明:芯片具有输入阻抗高,单位增益带宽大,总增益可调范围广等特点,在12~24 V宽供电范围下可正常工作,耗电仅为3.1 m A。 展开更多

关键词 压电传感器 集成电路设计 高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体工艺 可调增益放大电路 电流型输出

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基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片 被引量：1

9

作者 黄伟 胡南中 +1 位作者 李海鸥 于宗光 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1858-1862,共5页

本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺... 本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO(P型隔离结构)传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDNMOS/LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI(微光显微镜)等寄生现象出现. 展开更多

关键词 BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体) 场致发光 自提取结终端 高低 侧全桥驱动

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恒流-恒压模式控制的锂电池充电器的设计 被引量：8

10

作者 徐静萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期291-295,共5页

设计了一款恒流-恒压充电模式控制的锂离子电池充电器,当电池电压低于2.9 V时,充电器提供涓流充电模式;当电池电压高于2.9 V时,充电器提供恒流充电模式;当电池电压达到4.2 V时,实现恒压充电模式对充电器的控制,充电电流减小。对主要子... 设计了一款恒流-恒压充电模式控制的锂离子电池充电器,当电池电压低于2.9 V时,充电器提供涓流充电模式;当电池电压高于2.9 V时,充电器提供恒流充电模式;当电池电压达到4.2 V时,实现恒压充电模式对充电器的控制,充电电流减小。对主要子模块的电路进行了详细的设计与仿真并进行了稳定性分析,均能够在不采用任何补偿的情况下保持稳定。电路采用CSMC公司的0.6μm B iCMOS工艺模型,基于Cadence仿真平台对电路进行了前仿真,仿真结果表明,在5 V电源电压下,涓流充电电流为50 mA,恒流充电电流为502 mA,最终电池电压为4.202 V。 展开更多

关键词 恒流 恒压 涓流 锂电池充电器 双极互补金属氧化物半导体

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低压低耗共源-共栅BiCMOS电荷放大器

11

作者 朱漪云 成立 +2 位作者 祝俊 李岚 王振宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期315-318,286,共5页

提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器。该放大器采用BiCMOS共源-共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大减小了噪声,并在电路中运用电流镜解决了集成高阻值电阻的问题,从而降低了集成难度和电源电压等级。测试... 提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器。该放大器采用BiCMOS共源-共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大减小了噪声,并在电路中运用电流镜解决了集成高阻值电阻的问题,从而降低了集成难度和电源电压等级。测试结果表明,放大器功耗降为230μW／ch,电源电压降低0．7V左右,等效噪声电荷(ENC)小于600电子电荷。 展开更多

关键词 双极互补金属氧化物半导体 共源 共栅放大器 电荷放大器 电流镜

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可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器设计

12

作者 李彦旭 崔占忠 +1 位作者 徐立新 陈曦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期67-69,共3页

在对传统CMOS锁存比较器分析的基础上,设计了一种可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器,它既具有双极型电路快速、输入失调电压低和大电流驱动能力,又具备CMOS电路低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它... 在对传统CMOS锁存比较器分析的基础上,设计了一种可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器,它既具有双极型电路快速、输入失调电压低和大电流驱动能力,又具备CMOS电路低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它便携式数字设备。 展开更多

关键词 双极互补金属氧化物半导体 输入失调电压 锁存比较器

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基于SiGe工艺的X波段多功能芯片设计

13

作者 张浩 万川川 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2020年第6期80-84,共5页

采用锗硅工艺设计了一款X波段多功能芯片,该芯片包括开关、低噪声放大器、驱动放大器、移相器和衰减器等功能电路。传统的微波多功能芯片通常采用砷化镓(GaAs)工艺实现,具有成本高、集成度低等缺点,该设计采用Si基工艺来实现,大大降低... 采用锗硅工艺设计了一款X波段多功能芯片,该芯片包括开关、低噪声放大器、驱动放大器、移相器和衰减器等功能电路。传统的微波多功能芯片通常采用砷化镓(GaAs)工艺实现,具有成本高、集成度低等缺点,该设计采用Si基工艺来实现,大大降低了芯片成本,同时提高了集成度。通过采用片内温度补偿、相位补偿和并联峰化等一系列技术,使其达到较好的温度特性、较小的衰减附加相移和宽带特性。测试结果表明:该多功能芯片工作频率8 GHz^12 GHz,均方根相位误差3°,衰减附加相移小于2.5°,接收增益10 dB,发射增益3 dB。芯片包含焊盘的尺寸约为12.6 mm^2。在性能和GaAs工艺多功能芯片相当的前提下,面积减小30%以上,成本可以大幅降低。 展开更多

关键词 多功能芯片 移相器 衰减器 双极互补金属氧化物半导体 相控阵 收发组件

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高速BiCMOS运算跨导放大器的设计 被引量：1

14

作者 车红瑞 王海柱 +1 位作者 杨建红 金璐 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期41-44,共4页

基于全差分结构提出一种高速BiCMOS运算跨导放大器,该放大器采用两级放大结构实现,可用于8位250 Msps流水线结构模数转换器的采样/保持电路中。电路使用0.35μmBiCMOS工艺实现,由3.3 V单电源供电,经优化设计后,实现了2.1 GHz的单位增益... 基于全差分结构提出一种高速BiCMOS运算跨导放大器,该放大器采用两级放大结构实现,可用于8位250 Msps流水线结构模数转换器的采样/保持电路中。电路使用0.35μmBiCMOS工艺实现,由3.3 V单电源供电,经优化设计后,实现了2.1 GHz的单位增益带宽,直流开环增益61 dB,相位裕度50°,功耗16 mW,输出摆幅达到2 V;在2 pF的负载电容下,建立时间小于0.6 ns,转换速率1 200 V/μs。该放大器完全符合设计要求的性能指标。 展开更多

关键词 双极互补金属氧化物半导体 模拟电路 跨导运算放大器 流水线

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锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计

15

作者 刘冬华 胡君 +3 位作者 钱文生 陈帆 陈雄斌 段文婷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期271-275,共5页

介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入... 介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入用于对i区进行轻掺杂。借助半导体工艺与器件仿真软件,得到了有源区尺寸、赝埋层到有源区的距离、p-i-n注入条件等关键工艺参数对p-i-n性能的影响。最后优化设计的p-i-n二极管,其在2.4 GHz频率下的指标参数,如插入损耗为-0.56 dB,隔离度为-22.26 dB,击穿电压大于15 V,它达到了WiFi电路中的开关器件的性能要求。 展开更多

关键词 P-I-N二极管 锗硅异质结双极型晶体管 双极互补金属氧化物半导体 赝埋层 工艺和器件仿真

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