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利用电子全息术测量掺锰钛酸锶双晶界面的势场分布
被引量：
1
1
作者
王岩国
张泽
阎光辉
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期121-126,共6页
用电子全息方法测量了掺锰钛酸锶 2 4°[0 0 1]倾转晶界面的电势场分布。该势场分布特征是以界面为中心的双Schottky势垒。利用Poisson方程由势场分布导出了电荷在界面处的分布。特征是界面中心处有负电荷集聚 ,相邻空间分布着等量...
用电子全息方法测量了掺锰钛酸锶 2 4°[0 0 1]倾转晶界面的电势场分布。该势场分布特征是以界面为中心的双Schottky势垒。利用Poisson方程由势场分布导出了电荷在界面处的分布。特征是界面中心处有负电荷集聚 ,相邻空间分布着等量的正电荷使得该界面在整体上保持电中性。势场分布的宽度约为 3nm。导致Schottky势垒产生的原因是界面上发生了Mn+2 及Mn+3 离子与Ti+4 离子间的替代反应 ,使得电子在界面处聚集 ,Ti+4
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关键词
电子全息
钛酸锶
铁电材料
掺杂
双晶界面
势场分布
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职称材料
题名
利用电子全息术测量掺锰钛酸锶双晶界面的势场分布
被引量：
1
1
作者
王岩国
张泽
阎光辉
机构
中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室
辽宁大学物理系
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期121-126,共6页
基金
中国科学院北京物质科学基地资助项目
文摘
用电子全息方法测量了掺锰钛酸锶 2 4°[0 0 1]倾转晶界面的电势场分布。该势场分布特征是以界面为中心的双Schottky势垒。利用Poisson方程由势场分布导出了电荷在界面处的分布。特征是界面中心处有负电荷集聚 ,相邻空间分布着等量的正电荷使得该界面在整体上保持电中性。势场分布的宽度约为 3nm。导致Schottky势垒产生的原因是界面上发生了Mn+2 及Mn+3 离子与Ti+4 离子间的替代反应 ,使得电子在界面处聚集 ,Ti+4
关键词
电子全息
钛酸锶
铁电材料
掺杂
双晶界面
势场分布
Keywords
interface
electron holography
potential distribution
strontium titanate
分类号
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用电子全息术测量掺锰钛酸锶双晶界面的势场分布
王岩国
张泽
阎光辉
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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