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合成孔径雷达实时成像转置存储器的两页式结构与实现 被引量:9
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作者 卢世祥 韩松 王岩飞 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第8期1226-1228,共3页
该文介绍了合成孔径雷达实时成像处理器转置存储器的基本工作原理,讨论了转置存储器的两种主要结构:三页式结构和两页式结构,并指出了这两种结构各自的优缺点。重点介绍了两页式转置存储器结构的典型应用,给出了以双数据率同步动态内存(... 该文介绍了合成孔径雷达实时成像处理器转置存储器的基本工作原理,讨论了转置存储器的两种主要结构:三页式结构和两页式结构,并指出了这两种结构各自的优缺点。重点介绍了两页式转置存储器结构的典型应用,给出了以双数据率同步动态内存(DDRSDRAM)作为主存储器构成的两页式转置存储器的电路结构和实现结果。 展开更多
关键词 合成孔径雷达 转置存储器 三页式 两页式 双数据率同步动态内存
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一种DDR SDRAM控制器设计 被引量:5
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作者 蔡钟 吴皓 +1 位作者 刘鹏 王维东 《电视技术》 北大核心 2004年第8期34-36,44,共4页
在分析DDRSDRAM基本操作原理的基础上,提出了一个基于FPGA的DDRSDRAM控制器的设计,实现了DDRSDRAM读写时序控制,并给出实现结果。
关键词 双数据同步动态随机访问存储器 现场可编程门阵列 控制器
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一种适用于DDR SDRAM控制器的DLL新结构 被引量:1
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作者 叶波 罗敏 王紫石 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期299-303,共5页
提出了一种适用于DDR SDRAM控制器的DLL新结构,在不同的工艺、电压和温度(PVT)条件下,DDR SDRAM的数据经过传输线传输后均能被器件采样到正确的数据。采用256M133MHz DDR SDRAM和1.5V、0.16μm CMOS标准单元库,模拟和测试结果都表明了... 提出了一种适用于DDR SDRAM控制器的DLL新结构,在不同的工艺、电压和温度(PVT)条件下,DDR SDRAM的数据经过传输线传输后均能被器件采样到正确的数据。采用256M133MHz DDR SDRAM和1.5V、0.16μm CMOS标准单元库,模拟和测试结果都表明了该结构的正确性。该结构同样可用于其它不同PVT条件下需要固定延迟的电路。 展开更多
关键词 双数据 延迟锁相环 同步动态随机存取存储器 工艺电压温度
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