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垂直导电双扩散型MOS管及其应用: 1; 作者张克善《电测与仪表》北大核心 1997年第9期50-53,39,共5页; 本文分析与介绍了近期迅速崛起的电力电子场控器件──垂直导电双扩散型ＭＳ管的技术特点，发展概况及在电力电子技术、计算机、音响等方面的应用。; 关键词垂直导电双扩散型场效应管 MOS管; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端被引量：3: 2; 作者蒲石杜林张得玺《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期70-74,共5页; 针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N+偏移区场限环和多级场板复合的耐压终端结构.仿真发现,该结构能更有效地改善器件主结的边缘电场分布,从而提高... 展开更多; 关键词 P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管终端结构场限环 N+偏移区多级场板; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型低压功率MOSFET结构分析被引量：6: 3; 作者姚丰何杞鑫方邵华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期53-56,共4页; 介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构——Trench MOSFET。将其与常规VDMOS通过在结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点。; 关键词垂直双扩散型金属氧化物半导体沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件仿真导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化: 4; 作者郭维丁扣宝 +2 位作者韩成功朱大中韩雁《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1038-1042,共5页; 针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided... 展开更多; 关键词横向双扩散N型MOS器件雪崩击穿导通电阻退化电荷泵; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名垂直导电双扩散型MOS管及其应用: 1; 作者张克善; 机构天津职业大学; 出处《电测与仪表》北大核心 1997年第9期50-53,39,共5页; 文摘本文分析与介绍了近期迅速崛起的电力电子场控器件──垂直导电双扩散型ＭＳ管的技术特点，发展概况及在电力电子技术、计算机、音响等方面的应用。; 关键词垂直导电双扩散型场效应管 MOS管; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端被引量：3: 2; 作者蒲石杜林张得玺; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期70-74,共5页; 基金国家重大科技专项资助项目(2008ZX01002-002) 国家自然科学基金资助项目(61106106) +1 种基金 K5051325002); 文摘针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N+偏移区场限环和多级场板复合的耐压终端结构.仿真发现,该结构能更有效地改善器件主结的边缘电场分布,从而提高了器件的整体击穿电压.根据以上理论,将该结构运用在一款大功率P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件上.经流片测试结果表明,该P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件样品的击穿电压为-90V,与仿真结果中主结击穿电压达到-91V有很好的吻合,证明了该结构设计的正确性.; 关键词 P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管终端结构场限环 N+偏移区多级场板; Keywords P-channel vertical double-diffuse MOSFET edge termination field limiting ring N＋ offset region multi-step field plate; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型低压功率MOSFET结构分析被引量：6: 3; 作者姚丰何杞鑫方邵华; 机构浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期53-56,共4页; 基金宁波市工业科研攻关计划项目(2004B100017); 文摘介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构——Trench MOSFET。将其与常规VDMOS通过在结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点。; 关键词垂直双扩散型金属氧化物半导体沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件仿真导通电阻; Keywords VDMOS trench MOSFET device simulation on-resistance; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化: 4; 作者郭维丁扣宝韩成功朱大中韩雁; 机构浙江大学信息与电子工程学系; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1038-1042,共5页; 基金浙江省科学技术厅科技计划资助项目(2006C11007); 文摘针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1)NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.; 关键词横向双扩散N型MOS器件雪崩击穿导通电阻退化电荷泵; Keywords NLDMOS avalanche breakdown on-resistance degradation charge-pumping; 分类号 TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料