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题名双态应力薄膜整合的CMOS开关特性与可靠性研究
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作者
陈险峰
张彬
简维廷
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机构
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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出处
《中国集成电路》
2014年第8期64-69,共6页
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文摘
本文采用优化的多循环离子体增强化学气相薄膜淀积工艺,在不影响器件的热载流子注入(hot-carrier Injection,HCI)和负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)的前提下,改善半导体器件的开关特性。我们以32nm多晶硅(polycrystalline-Si/SiON)栅极制造工艺生产的半导体器件为测试对象,其核心器件(Core Device)工作电压是1.0V,外围器件(I/O device)工作电压是2.5V。实验结果显示,对比原有的基础工艺(Base Line),优化的SiN薄膜淀积工艺可以使NMOS的开关特性提高2-5%。核心NMOS的HCI寿命增加一倍,核心PMOS NBTI、I/O NMOS HCI和I/O PMOS NBTI与基础工艺条件的结果比较没有明显的退化。
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关键词
双态应力氮化硅薄膜
CMOS
开关特性
热载流子注入
负偏压温度不稳定性
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Keywords
Dual Stress Linear
CMOS
Ion/Ioff
HCI
NBTI
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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