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双异质结激光器的Auger复合分析被引量：1: 1; 作者夏瑞东常悦庄蔚华《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期112-115,共4页; 本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的主要因素。; 关键词双异质结激光器漏泄发光带 Auger复合; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs-AlGaAs双异质结激光器的实用化封装: 2; 作者郭占明《四川激光》 1981年第A02期123-123,共1页; 设计、研制了激光器实用化封装管壳,作了光纤耦合封装，利用芯径φ=60μ、数值孔径NA=0．14、球端光纤与条宽为15μ的GaAs-AlGaAs~异质激光器直接藕合，效率η=80％。; 关键词双异质结激光器实用化封装光纤耦合数值孔径管壳芯径; 在线阅读下载PDF 职称材料

光纤通讯用长寿命GaAs-AlGaAs双异质结激光器的研制: 3; 作者廖先炳《四川激光》 1981年第A02期122-123,共2页; 报导了光纤通讯用长寿命GaAs-AlGaAs双异质结激光器研制中的关键工艺，通过这些改进措施使得激光器获得了长寿命，为激光器的实用作出了贡献。; 关键词双异质结激光器光纤通讯长寿命关键工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体激光器热阻的测量: 4; 作者金恩顺石家纬高鼎三《吉林大学学报（理学版）》 CAS 1983年第2期115-118,共4页; 本文用四种方法对氧化物条形双异质结激光器的热阻进行了测量、比较。结果表明,正向压降法简便、易行,数据可靠。; 关键词热阻温度系数热传导双异质结激光器正向压降半导体激光器半导体光激射器; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体超薄膜中量子尺寸效应: 5; 作者高鼎三《发光学报》 EI CAS 1979年第Z1期1-11,共11页; 由于最近三、四年来半导体材料外延生长技术的迅速发展,现已能够获得显示量子效应的超薄膜。本文综述半导体超薄膜中量子尺寸效应的简单理论和多层超薄膜异质结构中隧道效应、光吸收和受激发射的实验和结果。本文内容分:半导体表面和超... 展开更多; 关键词量子尺寸效应超薄膜异质结构 GaAs 共振隧道效应势井双异质结激光器跃迁势垒高度; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧离子注入GaAs的研究: 6; 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1977年第1期34-44,共11页; 本文研究了在160KeV能量下,O^+注入到n-GaAs或P-GaAs中所形成的半绝缘层的物理特性。测量了样品的电阻率、氧补偿后的载流子浓度分布及晶格损伤。在GaAs肖特基势垒场效应管(MESFET)及条形双异质结激光器的研制中,采用这种注氧隔离技术,... 展开更多; 关键词双异质结激光器 MESFET 氧离子场效应管肖特基势垒载流子浓度隔离技术击穿电压退火温度初步效果; 在线阅读下载PDF 职称材料

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