InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性 被引量：2

1

作者 吴永辉 魏洪涛 +3 位作者 刘军 崔雍 樊渝 吴洪江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期537-541,547,共6页

InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试... InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的'正交鉴相'在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz。基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5 V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性。 展开更多

关键词 InP双异质结双极晶体管(dhbt) 附加相位噪声 正交鉴相 压控振荡器(VCO) 单片微波集成电路(MMIC)

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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ) 被引量：1

2

作者 齐志华 李献杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期821-827,共7页

关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 技术发展现状 欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺

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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)

3

作者 齐志华 李献杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-725,共5页

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与... InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。 展开更多

关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管 微空气桥

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SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管直流性能的影响 被引量：2

4

作者 谢俊领 程伟 +3 位作者 王元 常龙 牛斌 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期597-601,共5页

研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气(N_2)和硅... 研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气(N_2)和硅烷(SiH_4)取代常用的氨气(NH_3)和硅烷(SiH_4)作为淀积SiN薄膜的反应气体,显著地减少了器件发射结(B-E)和集电结(B-C)泄漏电流。另外,与未钝化器件的直流性能相比,钝化后器件的电流增益增加,基区表面复合电流大幅减小,这对提高器件的可靠性至关重要。 展开更多

关键词 氮化硅 钝化 磷化铟 双异质结双极性晶体管

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SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响 被引量：1

5

作者 谢俊领 程伟 +3 位作者 王元 常龙 牛斌 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期424-428,共5页

报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件... 报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件在1 000h应力时间时仅下降了1.6%,说明基于SiN介质薄膜的表面钝化工艺有效提高了InP HBT的可靠性,这对于InP基器件和电路的实际应用具有重要意义。 展开更多

关键词 可靠性 热应力 存储加速寿命试验 磷化铟 双异质结双极性晶体管

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双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管的研制

6

作者 端鹏飞 胡永生 +2 位作者 郭晓阳 刘星元 范翊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期480-484,共5页

制备了基于F16CuPc和CuPc的双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管。该器件的载流子迁移率是相同工艺制备的F16CuPc和CuPc双层单异质结有机薄膜晶体管器件的4~5倍。同时,该双异质结结构还能调整载流子的阈值电压,减少双层结构对薄膜厚度... 制备了基于F16CuPc和CuPc的双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管。该器件的载流子迁移率是相同工艺制备的F16CuPc和CuPc双层单异质结有机薄膜晶体管器件的4~5倍。同时,该双异质结结构还能调整载流子的阈值电压,减少双层结构对薄膜厚度等工艺条件的苛刻要求。这种双异质结结构为提升双极型有机薄膜晶体管器件的性能提供了一种有效方法。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 双异质结 载流子迁移率 阈值电压

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InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计 被引量：2

7

作者 刘涛 刘燚 王冯涛 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第3期184-190,219,共8页

应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P... 应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。 展开更多

关键词 双异质结双极晶体管(dhbt) InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP 渐变材料 梯度掺杂

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新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究 被引量：1

8

作者 艾立鹍 徐安怀 +2 位作者 孙浩 朱福英 齐鸣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期23-26,68,共5页

设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质... 设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量外延材料,成功地生长出带有n+-InGaP插入层结构的GaAs基InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料。采用常规的湿法腐蚀工艺,研制出发射极面积为100μm×100μm的新型结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件。直流特性测试的结果表明,所设计的集电结带有n+-InGaP插入层的InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件开启电压约为0.15V,反向击穿电压达到16V,与传统的单异质结InGaP/GaAs HBT相比,反向击穿电压提高了一倍,能够满足低损耗、较高功率器件与电路制作的要求。 展开更多

关键词 双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 砷化镓

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共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性

9

作者 王显泰 金智 +2 位作者 程伟 苏永波 申华军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期759-762,共4页

制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试。在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密度和相应的功率附加效率(PAE)在10GHz下... 制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试。在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密度和相应的功率附加效率(PAE)在10GHz下为1.24W/mm和50%,在18GHz下的数据为0.82W/mm和26%。测试同时表明,共发射极结构相对稳定和易于匹配,共基极模式具有更大的输出功率潜力,但需要进一步解决难于匹配、容易振荡和寄生参量影响等问题。在功放电路设计中,可以根据不同需求选择合适的电路拓扑结构。 展开更多

关键词 功率放大器 磷化铟 双异质结双极型晶体管 负载牵引

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As/P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面的影响研究 被引量：1

10

作者 王伟 高汉超 +3 位作者 于海龙 马奔 尹志军 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第2期145-148,158,共5页

采用分子束外延(MBE)方法,在半绝缘InP(100)衬底上外延InGaAs/InP超晶格结构。通过优化As、P转换时间,研究了As、P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面特性的影响。经原子力显微镜测试和X射线衍射谱分析,样品在关P阀5 s、开As阀5 s的生长条... 采用分子束外延(MBE)方法,在半绝缘InP(100)衬底上外延InGaAs/InP超晶格结构。通过优化As、P转换时间,研究了As、P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面特性的影响。经原子力显微镜测试和X射线衍射谱分析,样品在关P阀5 s、开As阀5 s的生长条件下,表面均方根粗糙度(RMS)为0.205 nm,单边卫星峰达20级,一级卫星峰的半高宽(FWHM)为145.05 arc sec,表明界面控制良好。 展开更多

关键词 分子束外延 双异质结双极型晶体管 INGAAS/INP 界面

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f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT 被引量：2

11

作者 蔡道民 李献杰 +3 位作者 赵永林 刘跳 高向芝 郝跃 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期743-746,共4页

InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐... InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐蚀工艺,降低Rb和Cbc乘积;优化PI钝化工艺和空气桥互联等工艺,实现了发射极面积为2μm×10μm的自对准InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β约为25,击穿电压BVCEO≥7 V@10μA,在VCE=4 V,Ic=10 mA下,截止频率fT=140 GHz,最高振荡频率fmax=200 GHz,优于同一外延片上的非自对准InP DHB器件,该器件将可应用于高速光通信和微波毫米波通信。 展开更多

关键词 双异质结双极晶体管(dhbt) 缓变层 发射极-基极自对准 空气桥 侧向腐蚀

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75GHz 13.92dBm InP DHBT共射共基功率放大器(英文) 被引量：2

12

作者 曹玉雄 苏永波 +3 位作者 吴旦昱 金智 王显泰 刘新宇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期294-297,301,共5页

报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率... 报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率为13.92 dBm.放大器在72.5 GHz处输入为2 dBm时达到最大输出功率14.53 dBm.整个芯片传输连接采用共面波导结构,芯片面积为1.06 mm×0.75 mm. 展开更多

关键词 InP双异质结双极晶体管(dhbt) 微波单片集成 毫米波 功放

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带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究 被引量：1

13

作者 艾立鹍 徐安怀 +2 位作者 孙浩 朱福英 齐鸣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期138-141,148,共5页

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)... 设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。 展开更多

关键词 双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 磷化铟 阶梯缓变集电区

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W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真 被引量：1

14

作者 陈高鹏 葛霁 +4 位作者 程伟 王显泰 苏永波 金智 刘新宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期4-7,共4页

介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHBT器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHBT器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94GHz,采用共发... 介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHBT器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHBT器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94GHz,采用共发射极和共基极的Cascode结构,并且工作在Class A状态,以获得较大的功率增益和线性度。输入和输出匹配网络设计为共轭匹配,并且针对功率放大器的热稳定性和电稳定性进行优化设计。传输线结构采用在InP衬底上的CPW结构,原理图及电磁场仿真结果显示,功率放大器在94GHz工作频率下增益为6.1dB,3dB带宽为DC^103GHz,饱和输出功率大于16dBm,同时输入输出回波损耗小于-20dB,隔离度大于30dB。目前电路正在流片制作当中。 展开更多

关键词 W波段 磷化铟 双异质结双极型晶体管 功率放大器 单片微波集成电路

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InP DHBT技术的最新进展 被引量：1

15

作者 赵小宁 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第7期441-445,共5页

阐述了目前InP DHBT器件技术的研究进展,介绍了I型InP/InGaAs DHBT技术的研究水平和Ⅱ型InP/GaAsSb DHBT技术的开发现状。综述了InP DHBT在功率放大器、分布放大器、静态分频器和压控振荡器领域的应用,指出了其在高速数据传输系统中的... 阐述了目前InP DHBT器件技术的研究进展,介绍了I型InP/InGaAs DHBT技术的研究水平和Ⅱ型InP/GaAsSb DHBT技术的开发现状。综述了InP DHBT在功率放大器、分布放大器、静态分频器和压控振荡器领域的应用,指出了其在高速数据传输系统中的重要性。为了适应高速数据传输系统的飞速发展,满足10/40/100Gbit/s高速系统的技术需求,对我国研发InPDHBT技术提出初步建议。 展开更多

关键词 磷化铟 双异质结双极型晶体管 磷化铟/镓砷锑 放大器 高速数据传输系统

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考虑瞬态效应的缓变结HBT性能分析

16

作者 熊德平 周守利 +2 位作者 罗莉 唐新桂 王银海 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期43-45,共3页

在包含晶格加热和非本地传输的瞬态效应过程下,漂移-扩散模型(DD)不再有效,需采用更精确的非等温能量平衡(NEB)模型。NEB模型的计算结果表明,对于基区厚度处于DD模型向全量子输运模型过渡的缓变结HBT而言,晶格加热和非本地传输所起的作... 在包含晶格加热和非本地传输的瞬态效应过程下,漂移-扩散模型(DD)不再有效,需采用更精确的非等温能量平衡(NEB)模型。NEB模型的计算结果表明,对于基区厚度处于DD模型向全量子输运模型过渡的缓变结HBT而言,晶格加热和非本地传输所起的作用是明显的,而基区重掺杂引起的带阶的扰动对缓变节HBT性能的影响则可以忽略。 展开更多

关键词 缓变结异质结双极晶体管 晶格加热 非本地传输 非等温能量平衡

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基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器

17

作者 李晓鹏 王志功 +4 位作者 张有涛 张敏 程伟 张翼 陈新宇 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期97-101,共5页

介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率... 介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率达32.2 GHz,包含锁存器的全加器整体电路功耗为350 mW。 展开更多

关键词 全加器 双异质结双极型晶体管 磷化铟 超高速电路 电流模逻辑

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基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器 被引量：1

18

作者 王伯武 于伟华 +4 位作者 侯彦飞 余芹 孙岩 程伟 周明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期197-200,共4页

基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测... 基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。 展开更多

关键词 磷化铟双异质结双极晶体管(InP dhbt) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器 宽带

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基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响

19

作者 周星宝 周守利 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期119-123,共5页

基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件... 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件内部温度也随之升高。直流增益和温度增加的速率随As组分缓变范围增大而增大,特征频率增加的速率随As组分缓变范围的增加而迅速减小。基区As组分为0.57至0.45由发射区侧到集电区侧线性分布的器件具有较高的增益和特征频率及较低的器件内部温度,增益、特征频率与器件内部温度得到了优化。 展开更多

关键词 INP INGAP GAASSB INP 双异质结双极晶体管(dhbt) 缓变发射结 缓变基区 热电特性

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基于InP DHBT工艺的6 bit DAC设计与实现

20

作者 王子青 赵子润 龚剑 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期579-583,638,共6页

基于In P双异质结双极晶体管（DHBT）工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器（DAC）芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz。DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结... 基于In P双异质结双极晶体管（DHBT）工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器（DAC）芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz。DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结构,实现输入缓冲及足够高的增益;D触发器单元采用采样/保持两级锁存拓扑结构实现接收数据的时钟同步;采用开关电流源单元及R-2R电阻单元,减小芯片体积,实现高速采样。该DAC最终尺寸为4.5 mm×3.5 mm,功耗为3.5 W。实测结果表明,该DAC可以很好地实现10 GHz采样时钟下的斜坡输出,微分非线性为＋0.4/-0.24 LSB,积分非线性为＋0.61/-0.64 LSB。 展开更多

关键词 数模转换器(DAC) R-2R电阻梯 InP双异质结双极晶体管(dhbt) 电流舵 主从D触发器

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