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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ): 1; 作者齐志华李献杰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-725,共5页; InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与... 展开更多; 关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管微空气桥; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ) 被引量：1: 2; 作者齐志华李献杰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期821-827,共7页; 关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管技术发展现状欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT 被引量：2: 3; 作者蔡道民李献杰 +3 位作者赵永林刘跳高向芝郝跃《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期743-746,共4页; InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐... 展开更多; 关键词双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变层发射极-基极自对准空气桥侧向腐蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响: 4; 作者周星宝周守利《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期119-123,共5页; 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件... 展开更多; 关键词 INP INGAP GAASSB INP 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变发射结缓变基区热电特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ): 1; 作者齐志华李献杰; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-725,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901); 文摘 InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。; 关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管微空气桥; Keywords GaAsSb/InP DHBT SHBT II-type DHBT micro-airbridge; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ) 被引量：1: 2; 作者齐志华李献杰; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期821-827,共7页; 基金国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901); 关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管技术发展现状欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT 被引量：2: 3; 作者蔡道民李献杰赵永林刘跳高向芝郝跃; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所西安电子科技大学微电子学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期743-746,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327603); 文摘 InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐蚀工艺,降低Rb和Cbc乘积;优化PI钝化工艺和空气桥互联等工艺,实现了发射极面积为2μm×10μm的自对准InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β约为25,击穿电压BVCEO≥7 V@10μA,在VCE=4 V,Ic=10 mA下,截止频率fT=140 GHz,最高振荡频率fmax=200 GHz,优于同一外延片上的非自对准InP DHB器件,该器件将可应用于高速光通信和微波毫米波通信。; 关键词双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变层发射极-基极自对准空气桥侧向腐蚀; Keywords double heterojunction bipolar（DHBT） grading layer emitter-base self-aligned air-bridge undercut etching; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响: 4; 作者周星宝周守利; 机构浙江工业大学信息工程学院中国科学院国家空间科学中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期119-123,共5页; 基金浙江省自然科学基金资助项目(LY12F04003) 现代通信与网络系统科技创新自主设计项目(2010R50011-13); 文摘基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件内部温度也随之升高。直流增益和温度增加的速率随As组分缓变范围增大而增大,特征频率增加的速率随As组分缓变范围的增加而迅速减小。基区As组分为0.57至0.45由发射区侧到集电区侧线性分布的器件具有较高的增益和特征频率及较低的器件内部温度,增益、特征频率与器件内部温度得到了优化。; 关键词 INP INGAP GAASSB INP 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变发射结缓变基区热电特性; Keywords InP/InGaP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistor （DHBT） graded emitter junction gradient base thermoelectric characteristic; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)	齐志华李献杰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)	齐志华李献杰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT	蔡道民李献杰赵永林刘跳高向芝郝跃	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响	周星宝周守利	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料