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双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管的研制: 1; 作者端鹏飞胡永生 +2 位作者郭晓阳刘星元范翊《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期480-484,共5页; 制备了基于F16CuPc和CuPc的双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管。该器件的载流子迁移率是相同工艺制备的F16CuPc和CuPc双层单异质结有机薄膜晶体管器件的4~5倍。同时,该双异质结结构还能调整载流子的阈值电压,减少双层结构对薄膜厚度... 展开更多; 关键词有机薄膜晶体管双异质结载流子迁移率阈值电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ) 被引量：1: 2; 作者齐志华李献杰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期821-827,共7页; 关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管技术发展现状欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ): 3; 作者齐志华李献杰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-725,共5页; InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与... 展开更多; 关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管微空气桥; 在线阅读下载PDF 职称材料

共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性: 4; 作者王显泰金智 +2 位作者程伟苏永波申华军《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期759-762,共4页; 制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试。在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密度和相应的功率附加效率(PAE)在10GHz下... 展开更多; 关键词功率放大器磷化铟双异质结双极型晶体管负载牵引; 在线阅读下载PDF 职称材料

W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真被引量：1: 5; 作者陈高鹏葛霁 +4 位作者程伟王显泰苏永波金智刘新宇《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期4-7,共4页; 介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHBT器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHBT器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94GHz,采用共发... 展开更多; 关键词 W波段磷化铟双异质结双极型晶体管功率放大器单片微波集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT 被引量：2: 6; 作者蔡道民李献杰 +3 位作者赵永林刘跳高向芝郝跃《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期743-746,共4页; InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐... 展开更多; 关键词双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变层发射极-基极自对准空气桥侧向腐蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAs SHBT性能的影响: 7; 作者杜鹏搏蔡克理蔡树军《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期213-216,共4页; 利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP/GaAs单异质结双极型晶体管(SHBT),并对不同尺寸有无钝化边沿的器... 展开更多; 关键词侧墙发射极钝化边沿单异质结双极型晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响: 8; 作者周星宝周守利《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期119-123,共5页; 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件... 展开更多; 关键词 INP INGAP GAASSB INP 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变发射结缓变基区热电特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管的研制: 1; 作者端鹏飞胡永生郭晓阳刘星元范翊; 机构发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院大学; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期480-484,共5页; 基金国家自然科学基金(51102228 61106057 +1 种基金 61405195) 吉林省科技厅青年自然基金(20140520119JH)资助项目; 文摘制备了基于F16CuPc和CuPc的双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管。该器件的载流子迁移率是相同工艺制备的F16CuPc和CuPc双层单异质结有机薄膜晶体管器件的4~5倍。同时,该双异质结结构还能调整载流子的阈值电压,减少双层结构对薄膜厚度等工艺条件的苛刻要求。这种双异质结结构为提升双极型有机薄膜晶体管器件的性能提供了一种有效方法。; 关键词有机薄膜晶体管双异质结载流子迁移率阈值电压; Keywords OTFTs double heterojunction carrier mobility threshold voltage; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ) 被引量：1: 2; 作者齐志华李献杰; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期821-827,共7页; 基金国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901); 关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管技术发展现状欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ): 3; 作者齐志华李献杰; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-725,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901); 文摘 InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。; 关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管微空气桥; Keywords GaAsSb/InP DHBT SHBT II-type DHBT micro-airbridge; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性: 4; 作者王显泰金智程伟苏永波申华军; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期759-762,共4页; 文摘制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试。在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密度和相应的功率附加效率(PAE)在10GHz下为1.24W/mm和50%,在18GHz下的数据为0.82W/mm和26%。测试同时表明,共发射极结构相对稳定和易于匹配,共基极模式具有更大的输出功率潜力,但需要进一步解决难于匹配、容易振荡和寄生参量影响等问题。在功放电路设计中,可以根据不同需求选择合适的电路拓扑结构。; 关键词功率放大器磷化铟双异质结双极型晶体管负载牵引; Keywords power amplifier InP DHBT load-pull; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真被引量：1: 5; 作者陈高鹏葛霁程伟王显泰苏永波金智刘新宇; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期4-7,共4页; 文摘介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHBT器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHBT器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94GHz,采用共发射极和共基极的Cascode结构,并且工作在Class A状态,以获得较大的功率增益和线性度。输入和输出匹配网络设计为共轭匹配,并且针对功率放大器的热稳定性和电稳定性进行优化设计。传输线结构采用在InP衬底上的CPW结构,原理图及电磁场仿真结果显示,功率放大器在94GHz工作频率下增益为6.1dB,3dB带宽为DC^103GHz,饱和输出功率大于16dBm,同时输入输出回波损耗小于-20dB,隔离度大于30dB。目前电路正在流片制作当中。; 关键词 W波段磷化铟双异质结双极型晶体管功率放大器单片微波集成电路; Keywords W-band InP DHBT power amplifier MMIC; 分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT 被引量：2: 6; 作者蔡道民李献杰赵永林刘跳高向芝郝跃; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所西安电子科技大学微电子学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期743-746,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327603); 文摘 InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐蚀工艺,降低Rb和Cbc乘积;优化PI钝化工艺和空气桥互联等工艺,实现了发射极面积为2μm×10μm的自对准InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β约为25,击穿电压BVCEO≥7 V@10μA,在VCE=4 V,Ic=10 mA下,截止频率fT=140 GHz,最高振荡频率fmax=200 GHz,优于同一外延片上的非自对准InP DHB器件,该器件将可应用于高速光通信和微波毫米波通信。; 关键词双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变层发射极-基极自对准空气桥侧向腐蚀; Keywords double heterojunction bipolar（DHBT） grading layer emitter-base self-aligned air-bridge undercut etching; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAs SHBT性能的影响: 7; 作者杜鹏搏蔡克理蔡树军; 机构武汉大学物理科学与技术学院中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期213-216,共4页; 基金国家863项目(编号:2005AA123720); 文摘利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP/GaAs单异质结双极型晶体管(SHBT),并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比,结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性,对器件的高频特性无明显影响。; 关键词侧墙发射极钝化边沿单异质结双极型晶体管; Keywords sidewall emitter passivation ledge single-heterojunction bipolar transistor （SHBT）; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响: 8; 作者周星宝周守利; 机构浙江工业大学信息工程学院中国科学院国家空间科学中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期119-123,共5页; 基金浙江省自然科学基金资助项目(LY12F04003) 现代通信与网络系统科技创新自主设计项目(2010R50011-13); 文摘基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件内部温度也随之升高。直流增益和温度增加的速率随As组分缓变范围增大而增大,特征频率增加的速率随As组分缓变范围的增加而迅速减小。基区As组分为0.57至0.45由发射区侧到集电区侧线性分布的器件具有较高的增益和特征频率及较低的器件内部温度,增益、特征频率与器件内部温度得到了优化。; 关键词 INP INGAP GAASSB INP 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变发射结缓变基区热电特性; Keywords InP/InGaP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistor （DHBT） graded emitter junction gradient base thermoelectric characteristic; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管的研制	端鹏飞胡永生郭晓阳刘星元范翊	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)	齐志华李献杰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)	齐志华李献杰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性	王显泰金智程伟苏永波申华军	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真	陈高鹏葛霁程伟王显泰苏永波金智刘新宇	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT	蔡道民李献杰赵永林刘跳高向芝郝跃	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAs SHBT性能的影响	杜鹏搏蔡克理蔡树军	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响	周星宝周守利	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料