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电极对CuPc/C_(60)双层异质结有机太阳能电池光学性能的影响 被引量:2
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作者 李祥 文尚胜 +2 位作者 贺前华 季飞 姚日晖 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期888-894,共7页
采用传输矩阵法的光学模型以及MATLAB软件模拟了电极对CuPc/C60双层异质结有机太阳能电池光学性能的影响。模拟结果表明:当把微腔结构引入到双层异质结电池时,对于入射电极,发现活性层的吸光率主要受其反射相移的影响而非其透射率,并且... 采用传输矩阵法的光学模型以及MATLAB软件模拟了电极对CuPc/C60双层异质结有机太阳能电池光学性能的影响。模拟结果表明:当把微腔结构引入到双层异质结电池时,对于入射电极,发现活性层的吸光率主要受其反射相移的影响而非其透射率,并且通过变化入射电极相移调节层到合适厚度可以使活性层吸光率相比于传统器件增加很多;而当把正负折射率交替的光子晶体引入到电池中作为背电极时,发现活性层的吸光率和背电极反射率、反射相移都有很大关系,在获得高反射率的同时可以通过调节背电极厚度从而使活性层在整个吸收光谱内的吸光率大于传统器件。 展开更多
关键词 双层异质结有机太阳能电池 吸光率 传输矩阵法 电极
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双层异质结碲镉汞甚长波红外焦平面探测器研究进展 被引量:4
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作者 谭振 刘世光 +3 位作者 田震 宋淑芳 吴卿 周立庆 《红外》 CAS 2020年第4期1-7,共7页
报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了p--on--n异质结材料。基于湿法腐蚀、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了第一支台面型碲镉汞甚长波红外焦平面器件。在60 K... 报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了p--on--n异质结材料。基于湿法腐蚀、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了第一支台面型碲镉汞甚长波红外焦平面器件。在60 K的工作温度下,该器件的截止波长为14.28μm,有效像元率为94.5%,平均峰值探测率为8.98×10^10 cm·Hz^1/2·W^-1。 展开更多
关键词 双层异质结 甚长波红外 碲镉汞 红外焦平面探测器
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原位制备聚3-己基噻吩和纳米碳双层异质结构
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作者 屈腊琴 闫翎鹏 +1 位作者 杨永珍 刘旭光 《中北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2015年第2期245-250,共6页
采用射频等离子体方法处理聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜,使P3HT原位形成由碳膜和P3HT组成的双层异质结构型.采用场发射扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计和薄膜X射线衍射仪对产物进行形貌和结构的表征与分析.结果表明:经等离子体处理后,P... 采用射频等离子体方法处理聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜,使P3HT原位形成由碳膜和P3HT组成的双层异质结构型.采用场发射扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计和薄膜X射线衍射仪对产物进行形貌和结构的表征与分析.结果表明:经等离子体处理后,P3HT薄膜的表层出现明显的炭化现象,形成一层致密的碳纳米颗粒组成的碳膜;可以通过调节射频电压调整P3HT薄膜的表层炭化程度,以优化复合膜的性能;等离子处理后,P3HT膜结晶度提高,复合膜光吸收增强.此P3HT/纳米碳层的双层异质复合膜有望用作聚合物太阳能电池的光敏活性层. 展开更多
关键词 射频等离子体 3-己基噻吩 碳膜 双层异质结
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中国电科11所碲镉汞薄膜材料制备技术进展 被引量:3
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作者 折伟林 邢晓帅 +7 位作者 邢伟荣 刘江高 郝斐 杨海燕 王丹 侯晓敏 李振兴 王成刚 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期483-494,共12页
碲镉汞材料具有响应速度快、量子效率高、带隙连续可调等优点,广泛应用于红外探测领域,本文报道了近年来中国电科11所在碲镉汞薄膜材料制备方面的技术进展。在碲锌镉衬底材料制备方面,已突破Φ135mm碲锌镉晶体生长技术,碲锌镉衬底平均... 碲镉汞材料具有响应速度快、量子效率高、带隙连续可调等优点,广泛应用于红外探测领域,本文报道了近年来中国电科11所在碲镉汞薄膜材料制备方面的技术进展。在碲锌镉衬底材料制备方面,已突破Φ135mm碲锌镉晶体生长技术,碲锌镉衬底平均位错腐蚀坑密度(EPD)<1×10^(4)cm^(-2),具备了80mm×80mm规格碲锌镉衬底的批量生产能力。在液相外延碲镉汞薄膜制备方面,富碲水平液相外延碲镉汞薄膜平均位错腐蚀坑密度EPD<4×10^(4)cm^(-2),具备80mm×80mm规格碲镉汞薄膜的制备能力;富汞垂直液相外延实现高质量双层异质结碲镉汞薄膜材料批量化制备,该种材料的半峰宽(FWHM)控制在(20~40)arcsec范围内,碲镉汞薄膜厚度极差≤±06μm。在分子束外延碲镉汞薄膜方面,实现了6 in硅基碲镉汞材料制备,组分标准偏差≤00015,表面宏观缺陷密度≤100cm^(-2);碲锌镉基碲镉汞材料已具备50mm×50mm制备能力,组分标准偏差为0002,厚度标准偏差为0047μm。从探测器验证结果来看,基于富碲水平液相外延碲镉汞薄膜实现了1 k×1 k、2 k×2 k等规格红外焦平面探测器的工程化制备;采用双层异质结碲镉汞薄膜实现了高温工作、长波及甚长波探测器的制备;使用分子束外延制备的碲镉汞薄膜实现了27 k×27 k、54 k×54 k、8 k×8 k等规格红外焦平面探测器研制,在宇航领域有巨大的应用潜力。 展开更多
关键词 碲锌镉 碲镉汞 双层异质结 红外探测 液相外延 分子束外延
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甚长波碲镉汞红外探测器制备研究 被引量:3
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作者 田震 宋淑芳 +2 位作者 邢艳蕾 孙浩 刘世光 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第10期1527-1531,共5页
报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了高质量的p-on-n型双层异质结材料。并通过提高材料质量将双层异质结材料的双晶衍射半峰宽控制在30 arcsec以内。基于台面器... 报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了高质量的p-on-n型双层异质结材料。并通过提高材料质量将双层异质结材料的双晶衍射半峰宽控制在30 arcsec以内。基于台面器件加工、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了640×512,25μm碲镉汞甚长波红外焦平面器件。通过进一步优化了材料生长和芯片制备工艺,在65 K的工作温度下,该器件的截止波长为14.35μm,有效像元率为98.06%,平均峰值探测率为8.09×10^(10)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)。 展开更多
关键词 双层异质结 甚长波红外 碲镉汞 红外焦平面探测器
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