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双层多晶硅FlotoxEEPROM单元的优化设计被引量：3: 1; 作者于宗光许居衍 +1 位作者王鸿宾魏同立《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第1期82-88,共7页; 建立了双层多晶硅ｆｌｏｔｏｘＥＥＰＥＯＭ存储管的阈值电压模型，利用该模型研究了擦／写阈值与擦／写时间、编程电压、隧道孔面积、隧道氧化层厚度的关系，采用１．４μｍＣＭＯＳ工艺设计了双层多晶硅ｆｌｏｔｏｘ单元。模拟结果和... 展开更多; 关键词浮栅隧道氧化物 EEPROM 只读存贮器双层多晶硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究: 2; 作者张志勇海潮和《电子与封装》 2005年第9期29-33,共5页; 本文采用亚微米工艺和自对准技术制作了发射区宽度分别为0.8μm和0.4μm的两种双层多晶硅自对准双极晶体管。其中采用的是深沟和LOCOS两种隔离联合的隔离方法;EB间自对准是通过均匀的高质量的SiNx侧墙实现的,EB结击穿电压高达4.5V;窄的... 展开更多; 关键词亚微米工艺自对准技术双层多晶硅双极晶体管原位掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

宽响应范围的MEMS热电偶真空度传感器被引量：1: 3; 作者雷程毛海央 +5 位作者欧文薛晨阳唐力程杨涛陈大鹏熊继军《微纳电子技术》北大核心 2015年第12期765-769,810,共6页; 报道了一种基于双层多晶硅材料的MEMS热电偶真空度传感器。该器件采用双层热偶排布方式可进一步减小器件横向尺寸,同时采用XeF_2各向同性正面刻蚀技术释放形成微腔结构,该技术避免了湿法腐蚀工艺复杂、不易控制等缺陷。在器件制备的基础... 展开更多; 关键词热电偶真空度双层多晶硅微电子机械系统(MEMS) 灵敏度; 在线阅读下载PDF 职称材料

选择离子注入集电极技术研究被引量：1: 4; 作者金海岩张利春高玉芝《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期130-133,共4页; 为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成... 展开更多; 关键词基区扩展效应选择离子注入集电区双层多晶硅发射极晶体管电流增益; 在线阅读下载PDF 职称材料

一款微波双极晶体管的设计和实现被引量：1: 5; 作者米保良吴国增《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期780-783,共4页; 对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试。介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构。对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿特性模拟、-βIC曲线等关键参数进行了模拟。模拟器件最高特... 展开更多; 关键词双极晶体管特征频率双层多晶硅增益; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiGe HBT器件的研究设计被引量：1: 6; 作者米保良吴国增《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期58-62,共5页; 研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT,并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数,并进行了流片测试,结果表明,在室温下电流增益β大于1500,最大达到3000,Vceo为5V,厄利电压VA大于10V,βVA乘积达到15000... 展开更多; 关键词锗硅异质结双极晶体管多晶发射极特征频率双层多晶硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双层多晶硅FlotoxEEPROM单元的优化设计被引量：3: 1; 作者于宗光许居衍王鸿宾魏同立; 机构华晶集团中央研究所东南大学; 出处《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第1期82-88,共7页; 基金江苏省青年科技基金; 文摘建立了双层多晶硅ｆｌｏｔｏｘＥＥＰＥＯＭ存储管的阈值电压模型，利用该模型研究了擦／写阈值与擦／写时间、编程电压、隧道孔面积、隧道氧化层厚度的关系，采用１．４μｍＣＭＯＳ工艺设计了双层多晶硅ｆｌｏｔｏｘ单元。模拟结果和实验结果基本一致，该阈值电压模型为ＥＥＰＥＯＭ单元的优化设计提供了一种快速、简便、实用的准则。; 关键词浮栅隧道氧化物 EEPROM 只读存贮器双层多晶硅; Keywords floating-gate tunnel oxide, EEPROM, threshold voltage, model; 分类号 TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究: 2; 作者张志勇海潮和; 机构中科院微电子中心; 出处《电子与封装》 2005年第9期29-33,共5页; 文摘本文采用亚微米工艺和自对准技术制作了发射区宽度分别为0.8μm和0.4μm的两种双层多晶硅自对准双极晶体管。其中采用的是深沟和LOCOS两种隔离联合的隔离方法;EB间自对准是通过均匀的高质量的SiNx侧墙实现的,EB结击穿电压高达4.5V;窄的发射区使得发射极多晶硅在发射区窗口严重堆积,引起了双极晶体管的电流增益增大,同时也降低了管子的速度。工艺和器件模拟显示,发射极多晶硅采用原位掺杂技术,双极晶体管的性能得到了很大的改善。; 关键词亚微米工艺自对准技术双层多晶硅双极晶体管原位掺杂; Keywords Polysilicon emitter Double polysilicon self-aligned In-situ doped; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名宽响应范围的MEMS热电偶真空度传感器被引量：1: 3; 作者雷程毛海央欧文薛晨阳唐力程杨涛陈大鹏熊继军; 机构中北大学电子测试技术国防科技重点实验室中国科学院微电子研究所智能感知研发中心江苏物联网研究发展中心智能集成传感器工程中心; 出处《微纳电子技术》北大核心 2015年第12期765-769,810,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61401458 61335008 +3 种基金 61136006 51205373) 河南省科技开放合作项目(132106000073); 文摘报道了一种基于双层多晶硅材料的MEMS热电偶真空度传感器。该器件采用双层热偶排布方式可进一步减小器件横向尺寸,同时采用XeF_2各向同性正面刻蚀技术释放形成微腔结构,该技术避免了湿法腐蚀工艺复杂、不易控制等缺陷。在器件制备的基础上,对该器件在不同真空度条件下的响应特性进行了测试,测试结果表明该器件在常温下的真空响应上限达10-5 Pa。而不同加热功率条件下,该器件的响应灵敏度随着加热功率的增大呈增大趋势。; 关键词热电偶真空度双层多晶硅微电子机械系统(MEMS) 灵敏度; Keywords thermocouple vacuum double-layer polysilicon micro-electromechanical system（MEMS） sensitivity; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TH703 [机械工程—精密仪器及机械]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名选择离子注入集电极技术研究被引量：1: 4; 作者金海岩张利春高玉芝; 机构北京大学北京大学微电子学研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期130-133,共4页; 文摘为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成显著影响。电学特性测量结果表明 ,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管。因此 ,在双层多晶硅晶体管中采用 SIC技术 ,有效地降低了基区的扩展效应 ,提高了器件的电学特性。; 关键词基区扩展效应选择离子注入集电区双层多晶硅发射极晶体管电流增益; Keywords selectively implanted collector double polysilicon emitter transistor Kirk effect; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一款微波双极晶体管的设计和实现被引量：1: 5; 作者米保良吴国增; 机构聊城大学东昌学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期780-783,共4页; 基金聊城大学东昌学院高科技发展项目; 文摘对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试。介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构。对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿特性模拟、-βIC曲线等关键参数进行了模拟。模拟器件最高特征频率为10 GHz,流片测试最高特征频率为9.5 GHz。; 关键词双极晶体管特征频率双层多晶硅增益; Keywords bipolar transistor characteristic frequency double-polysilicon gain; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiGe HBT器件的研究设计被引量：1: 6; 作者米保良吴国增; 机构聊城大学东昌学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期58-62,共5页; 文摘研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT,并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数,并进行了流片测试,结果表明,在室温下电流增益β大于1500,最大达到3000,Vceo为5V,厄利电压VA大于10V,βVA乘积达到15000以上。这种器件对多晶Si发射极As杂质浓度分布十分敏感。; 关键词锗硅异质结双极晶体管多晶发射极特征频率双层多晶硅; Keywords SiGe HBT polycrystalline emitter characteristic frequency double-poly silicon; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双层多晶硅FlotoxEEPROM单元的优化设计	于宗光许居衍王鸿宾魏同立	《应用科学学报》 CAS CSCD	1997	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究	张志勇海潮和	《电子与封装》	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	宽响应范围的MEMS热电偶真空度传感器	雷程毛海央欧文薛晨阳唐力程杨涛陈大鹏熊继军	《微纳电子技术》北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	选择离子注入集电极技术研究	金海岩张利春高玉芝	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一款微波双极晶体管的设计和实现	米保良吴国增	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	SiGe HBT器件的研究设计	米保良吴国增	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料