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4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析
被引量：
3
1
作者
马永强
武一宾
+5 位作者
杨瑞霞
齐国虎
李若凡
商耀辉
陈昊
牛晨亮
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期581-584,共4页
用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)...
用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析。研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响。
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关键词
X射线双晶衍射
摇摆曲线
4H-SIC
双层原子结构
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职称材料
题名
4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析
被引量：
3
1
作者
马永强
武一宾
杨瑞霞
齐国虎
李若凡
商耀辉
陈昊
牛晨亮
机构
河北工业大学
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期581-584,共4页
基金
国家重点实验室基金资助项目(9140C0606020606
51432040204DZ2)
+1 种基金
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(51327020202
51327020201)
文摘
用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析。研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响。
关键词
X射线双晶衍射
摇摆曲线
4H-SIC
双层原子结构
Keywords
double crystal X-ray diffraction
rocking curve
4H-SiC
double-atom-layer structure
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析
马永强
武一宾
杨瑞霞
齐国虎
李若凡
商耀辉
陈昊
牛晨亮
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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