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长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制
被引量：
1
1
作者
齐利芳
李献杰
+6 位作者
赵永林
尹顺政
蔡道民
李宁
甄红楼
熊大元
陆卫
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第7期396-399,共4页
介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23...
介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。
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关键词
量子阱
红外探测器
双
色
双周期光栅
长波
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职称材料
题名
长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制
被引量：
1
1
作者
齐利芳
李献杰
赵永林
尹顺政
蔡道民
李宁
甄红楼
熊大元
陆卫
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第7期396-399,共4页
文摘
介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。
关键词
量子阱
红外探测器
双
色
双周期光栅
长波
Keywords
quantum well
infrared photo-detector
two-color
bi-period grating
long wavelength
分类号
TN362 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制
齐利芳
李献杰
赵永林
尹顺政
蔡道民
李宁
甄红楼
熊大元
陆卫
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009
1
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