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基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件 被引量:3
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作者 张峰 刘畅 +1 位作者 黄鲁 吴宗国 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1676-1680,共5页
针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结... 针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结构,通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析不同结构的电流密度和ESD鲁棒性差异;流片后通过传输线脉冲测试(TLP)方法测试不同结构ESD防护器件特性.仿真和测试结果表明,改进型DDSCR_N+结构在具有和传统DDSCR器件的相同的触发和维持电压前提下,二次击穿电流比传统的DDSCR结构提高了160%,ESD鲁棒性更强,适用范围更广. 展开更多
关键词 静电放电(ESD) 双向可控硅(ddscr) TCAD仿真 传输线脉冲测试 二次击穿电流
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MOC3050系列光电双向可控硅驱动器 被引量:1
2
作者 方佩敏 《电子技术应用》 北大核心 1994年第10期36-37,共2页
MOC3050系列光电双向可控硅驱动器是美国摩托罗拉公司最近推出的光电新器件.它可以用直流低电压、小电流来控制交流高电压、大电流.该系列器件的特点是大大地加强了静态dV/dt能力,保证电感负载稳定的开关性能.由于输入与输出采用光电隔... MOC3050系列光电双向可控硅驱动器是美国摩托罗拉公司最近推出的光电新器件.它可以用直流低电压、小电流来控制交流高电压、大电流.该系列器件的特点是大大地加强了静态dV/dt能力,保证电感负载稳定的开关性能.由于输入与输出采用光电隔离,绝缘电压可达7500V.MOC3050系列有MOC3051及MOC3052,它们的差别仅触发电流不同,前者最大触发电流为15mA,而后者为10mA.MOC3050系列可以用它来驱动工作电压为220V(交流)双向可控硅;当交流负载电流较小时,如200mA以下,也可以用它来带负载.MOC3050系列产品适用于电磁铁及电磁阀控制、马达控制、温度控制等,也用于固态继电器、交流电源开关等场合.由于是光电隔离,并且能用TTL电平驱动,它很容易与微处理器接口,进行各种自动控制设备的实时控制. 展开更多
关键词 驱动器 光电 双向可控硅 光电器件
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双向可控硅在油料化验电器中的应用及其检测
3
作者 郝敬团 孙元宝 +3 位作者 刘广龙 季峰 杨宏伟 孟庆枢 《重庆科技学院学报(自然科学版)》 CAS 2011年第6期157-158,161,共3页
分析双向可控硅的特性、交流调压的电路原理,介绍可控硅在油料化验电器调压电路中的应用、常见故障分析及其质量判断。
关键词 双向可控硅 调压 检测
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双向可控硅器件在片上静电防护中的应用(英文)
4
作者 李亮 朱科翰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1195-1199,共5页
设计了一种用于芯片静电放电(ESD)防护的双向可控硅(DDSCR)器件。该器件具有对称性或非对称性骤回I-V特性,可以用于多种应用场合。器件的最优静电防护性能达到94 V/μm。简洁的器件结构用于输入/输出保护,对内部电路的寄生效应小,人体模... 设计了一种用于芯片静电放电(ESD)防护的双向可控硅(DDSCR)器件。该器件具有对称性或非对称性骤回I-V特性,可以用于多种应用场合。器件的最优静电防护性能达到94 V/μm。简洁的器件结构用于输入/输出保护,对内部电路的寄生效应小,人体模型ESD测试达到耐压等级3(超过4 kV)。在多电源芯片的静电防护中,双向可控硅器件可克服普通器件不能胜任的多模式静电事件的发生。首次提出了双向可控硅器件在高速多媒体接口中静电防护和反向驱动保护的应用。 展开更多
关键词 双向可控硅 静电放电 骤回 人体模型 反向驱动保护
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两线制节能型双向可控硅触发电路
5
作者 刘雨棣 《节能技术》 CAS 1998年第2期26-27,33,共3页
两线制节能型双向可控硅触发电路西安航空技术高等专科学校刘雨棣两线制可控硅控制电路适用于构成各种电子开关,目前已应用较广。但是这种电路无法使用降压变压器为触发电路供电,而必须采用阻容降压形式。因此,在这些阻容元件上势必... 两线制节能型双向可控硅触发电路西安航空技术高等专科学校刘雨棣两线制可控硅控制电路适用于构成各种电子开关,目前已应用较广。但是这种电路无法使用降压变压器为触发电路供电,而必须采用阻容降压形式。因此,在这些阻容元件上势必产生一定的功耗。特别是对于大容量电... 展开更多
关键词 两线制 双向可控硅 节能 电子开关 触发电路
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0.18μm RF CMOS双向可控硅ESD防护器件的研究(英文) 被引量:2
6
作者 柯逸辰 梁海莲 +2 位作者 顾晓峰 朱兆旻 董树荣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期284-288,299,共6页
基于传统双向可控硅(DDSCR)提出了两种静电放电(ESD)保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-well与P-well之间的雪崩击穿来触发,而提出的新器件则通过嵌入的NMOS/PMOS来改变触发机制、降低触发... 基于传统双向可控硅(DDSCR)提出了两种静电放电(ESD)保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-well与P-well之间的雪崩击穿来触发,而提出的新器件则通过嵌入的NMOS/PMOS来改变触发机制、降低触发电压。两种改进结构均在0.18μmRFCMOS下进行流片,并使用传输线脉冲测试系统进行测试。实验数据表明,这两种新器件具有低触发电压、低漏电流(~nA),抗ESD能力均超过人体模型2kV,同时具有较高的维持电压(均超过3.3V),可保证其可靠地用于1.8V、3.3V I/O端口而避免出现闩锁问题。 展开更多
关键词 静电放电 双向可控硅 传输线脉冲测试系统 人体模型
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一种提高双向1A可控硅触发灵敏度的工艺方法 被引量:1
7
作者 耿开远 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期573-576,共4页
为了保证双向可控硅的导通性能,需要其四个导通状态的触发电流IGT1,IGT2,IGT3和IGT4的大小尽可能地接近,尽可能地灵敏。采用目前国内常规工艺在IGT3小于5 mA,IGT4小于7 mA时,器件的VDRM和VRRM会低于600 V甚至400 V,致使产品无法正常使... 为了保证双向可控硅的导通性能,需要其四个导通状态的触发电流IGT1,IGT2,IGT3和IGT4的大小尽可能地接近,尽可能地灵敏。采用目前国内常规工艺在IGT3小于5 mA,IGT4小于7 mA时,器件的VDRM和VRRM会低于600 V甚至400 V,致使产品无法正常使用及满足客户的需求。提出了一种改进工艺,通过采用光刻补B区,局部补适当浓B并且采用P扩后补B的方法,提高了注入电流的有效占比,使相同的P扩条件下IGT减小,触发灵敏度提高。该工艺所生产的产品的触发电流均匀性好,触发灵敏度高,通态压降低,使该产品稳定性好,通用性强,使用过程中发热量小。此工艺技术简单实用,操作方便,效果明显,产品的主要性能参数在同行中处于国际领先水平。 展开更多
关键词 双向可控硅 触发灵敏度 局部补硼 磷扩散
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双向可控硅的过零调功调速调光控制技术探讨 被引量:3
8
作者 陈振成 《科技创新与应用》 2018年第18期137-138,共2页
双向可控硅是一种大功率的电子器件,在工程中的应用范围非常广泛。在交流设备中应用的双向可控硅采取过零触发的方式。文章介绍了双向可控硅的过零调功调速调光原理,并对过零调功调速调光控制技术进行了设计研究。
关键词 双向可控硅 过零调功调速调光 触发电路 程序
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双向可控硅在电动机控制电路中的应用 被引量:4
9
作者 陈振春 《南昌工程学院学报》 CAS 2005年第2期73-76,共4页
针对三相异步电动机正反转控制电路主回路使用交流接触器作为开关器件时出现的火花和拉弧现象,影响器件的使用寿命、工作的可靠性,以及操作者接触器件电压较高、不甚安全等问题,提出了用双向可控硅替代交流接触器以实现电动机控制的无... 针对三相异步电动机正反转控制电路主回路使用交流接触器作为开关器件时出现的火花和拉弧现象,影响器件的使用寿命、工作的可靠性,以及操作者接触器件电压较高、不甚安全等问题,提出了用双向可控硅替代交流接触器以实现电动机控制的无触点开关控制的方法,提高了电路工作的可靠性,保障了操作者的安全. 展开更多
关键词 双向可控硅 电动机正反转 控制电路 交流接触器
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测试双向可控硅输出电压波形对称性的简便方法
10
作者 陆建国 《现代电子技术》 1999年第2期8-9,共2页
重点介绍使用万用表测量双向可控硅输出电压波形对称性的简便方法。
关键词 双向可控硅 快速熔断器 感性负载 触发脉冲
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如何使用交流源和直流双向电源测试TRIAC三端双向可控硅 被引量:2
11
作者 艾德克斯(供稿) 《中国集成电路》 2018年第11期89-91,共3页
TRIAC,又叫三端双向可控硅,实质上是双向晶闸管,它是在普通晶闸管的基础上发展起来的,它不仅能代替两只反极性并联的晶闸管,而且反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等。一般,双向晶闸管(TRIAC)是由... TRIAC,又叫三端双向可控硅,实质上是双向晶闸管,它是在普通晶闸管的基础上发展起来的,它不仅能代替两只反极性并联的晶闸管,而且反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等。一般,双向晶闸管(TRIAC)是由NPNPN五层半导体材料构成的,相当于两只普通晶闸管反相并联,它也有三个电极,分别是主电极T1、主电极T2和栅极G,如图1所示。图2、图3和图4显示了可控硅测试原理图及其应用中被损坏的示意图。 展开更多
关键词 三端双向可控硅 TRIAC 电源测试 双向晶闸管 材料构成 反极性 微秒级 无触点
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正负电源基础知识以及如何符合双向可控硅触发要求 被引量:1
12
作者 Laurent GONTHIER Jan DRESER 《中国集成电路》 2016年第12期45-47,57,共4页
电源电压在某些情况下被视为正电压或者负电压。对于不经常跟双向可控硅开关管打交道的人来说,"负电源"听起来怪怪的,毕竟集成电路从来不使用负电压。在有些情况下,双向可控硅驱动电路优先选用负电压。本文介绍几个简单的双... 电源电压在某些情况下被视为正电压或者负电压。对于不经常跟双向可控硅开关管打交道的人来说,"负电源"听起来怪怪的,毕竟集成电路从来不使用负电压。在有些情况下,双向可控硅驱动电路优先选用负电压。本文介绍几个简单的双向可控硅正电源驱动解决方案。 展开更多
关键词 负电源 可控硅触发 基础知识 双向可控硅 负电压 电源电压 集成电路 驱动电路
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智能双向可控硅岸控环流不断电接岸电
13
作者 林南国 肖乐明 《广州航海学院学报》 2017年第1期24-27,共4页
随着科学技术和国际航运业的发展,世界各国越来越重视节能减排这项工作.因为岸电技术能避免船舶靠港时因柴油发电机发电燃烧燃油而排放的污染物和产生的噪音,所以岸电技术越来越受到重视.目前我国岸电技术正处于研究起始阶段,还不是很成... 随着科学技术和国际航运业的发展,世界各国越来越重视节能减排这项工作.因为岸电技术能避免船舶靠港时因柴油发电机发电燃烧燃油而排放的污染物和产生的噪音,所以岸电技术越来越受到重视.目前我国岸电技术正处于研究起始阶段,还不是很成熟,本文从不断船电接用岸电的角度,提出一种用双向可控硅来控制无缝对接的新的方法来促进岸电技术的发展,以及达到节能减排的目的. 展开更多
关键词 双向可控硅 无缝对接 岸电技术
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浅析双向可控硅在可逆直流调速电路中的应用
14
作者 李世炫 《火控雷达技术》 2002年第3期23-26,32,共5页
双向可控硅可在可逆直流调速电路中代替两个反并联的可控硅 ,可以大大地简化电路 ,由于只有一个门极 ,正、负脉冲都能使它触发导通 。
关键词 双向可控硅 触发电路 可逆直流调速电路
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保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性的影响 被引量:1
15
作者 杨帅康 汪洋 +2 位作者 苏雪冰 张玉叶 杨红娇 《电子产品世界》 2022年第6期74-78,共5页
本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)... 本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)和带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR_GR)器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性,同时利用传输线脉冲(TLP)测试仪分析了它们的静电性能。结果表明,保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响,但在1MHz的频率下,LVDDSCR_GR的寄生电容由LVDDSCR的1135fF增加到1463fF,HVDDSCR_GR的寄生电容由HVDDSCR的810fF增加到1740fF,其根本原因是由于保护环引入了N型隔离环与P型外延层之间的寄生电容。 展开更多
关键词 双向可控硅 保护环 寄生电容 传输线脉冲测试系统
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CS—10—Ⅰ型电视发射机双向可控硅触发电路的改进
16
作者 陈凤武 《电视技术》 北大核心 1996年第5期68-72,共5页
CS—10—Ⅰ型电视发射机双向可控硅触发电路的改进新疆马兰电视台陈凤武CS—10—Ⅰ型10kw彩色电视发射机是70年代末到80年代初的产品。电控系统中的逻辑控制电路,采用分立元件构成,整个电路的直流功耗较大,尤其是双... CS—10—Ⅰ型电视发射机双向可控硅触发电路的改进新疆马兰电视台陈凤武CS—10—Ⅰ型10kw彩色电视发射机是70年代末到80年代初的产品。电控系统中的逻辑控制电路,采用分立元件构成,整个电路的直流功耗较大,尤其是双向可控硅触发电路最为突出。这不仅浪... 展开更多
关键词 电视发射机 双向可控硅 触发电路
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双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究
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作者 张玉叶 汪洋 +2 位作者 杨帅康 苏雪冰 杨红姣 《中国集成电路》 2023年第4期36-39,72,共5页
基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的... 基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的尺寸在高压工艺下对双向对称可控硅性能的影响。测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过高压对称DDSCR器件PW层次的左侧边界位置缩进,所得的DDSCR_PW器件的正向维持电压(Vh)虽然从30.15 V降低到15.63 V,反向维持电压从26.15 V降低到16.85 V,但与高压对称DDSCR器件相比,高压对称DDSCR_PW器件具有提升失效电流的优点,其正向失效电流从6.68 A增加到18.22 A,反向失效电流从7.07 A增加到9.92 A,论文阐述了产生此现象的原因。 展开更多
关键词 双向可控硅(ddscr) 失效电流(It2) 维持电压(Vh) 传输线脉冲测试系统(TLP)
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免缓冲器双向可控硅
18
作者 冯家宁 《电子产品世界》 2001年第3期42-42,68,共2页
关键词 晶闸管 双向可控硅 缓冲器
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飞兆推出双向可控硅开关元件
19
《现代电子技术》 2003年第3期105-105,共1页
关键词 双向可控硅开关元件 飞兆半导体公司 FKPF12N60 FKPF12N80
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双向可控硅交流开关的使用
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作者 张林 崔建民 《山西煤炭》 1990年第4期41-44,共4页
关键词 开关 交流电 可控硅 双向 元件
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