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界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响 被引量:2
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作者 陈雷锋 季振国 +1 位作者 糜裕宏 毛启楠 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期397-400,共4页
以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲... 以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上,从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同,理论上分析了界面势垒对场发射的影响:低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率,界面势垒对场发射不起阻碍作用,场发射遵守F-N规律;高电场下电子在界面势垒的隧穿几率小于在表面势垒的隧穿几率,场发射偏离F-N规律。理论对实验结果进行了合理的解释。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射 绝缘势垒 隧穿几率 双势垒模型 非线性F-N曲线
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电介质材料介电、铁电性能研究的计算机模拟新手段
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作者 刘英 曹晓珑 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2004年第4期31-37,共7页
通过构造双势垒模型以及蒙特卡洛方法的应用,成功地再现了材料的许多介电、铁电性能,这是目前国外研究电介质材料介电、铁电性能的一种有效的计算机模拟方法。将这种方法应用到具体的非晶相绝缘体中,以材料的实际结构来构造双势垒模型,... 通过构造双势垒模型以及蒙特卡洛方法的应用,成功地再现了材料的许多介电、铁电性能,这是目前国外研究电介质材料介电、铁电性能的一种有效的计算机模拟方法。将这种方法应用到具体的非晶相绝缘体中,以材料的实际结构来构造双势垒模型,得到的结果与实验相吻合。此外,该方法预期还能用以模拟界面、缺陷等等,并且极有可能发现某些目前通过试验还未被发现的现象,从而指导试验的方向。 展开更多
关键词 计算机模拟 双势垒模型 蒙特卡洛方法 电介质材料 Or电、铁电性能
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