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基于DICE单元的抗SEU加固SRAM设计被引量：5: 1; 作者孙永节刘必慰《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期158-163,共6页; DICE单元是一种有效的SEU加固方法,但是,基于DICE单元的SRAM在读写过程中发生的SEU失效以及其外围电路中发生的失效,仍然是加固SRAM中的薄弱环节。针对这些问题,提出了分离位线结构以解决DICE单元读写过程中的翻转问题,并采用双模冗余... 展开更多; 关键词 SEU加固 SRAM dice单元; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于Muller_C单元和DICE单元的抗辐照D触发器设计被引量：3: 2; 作者李鹏孙永节 +1 位作者陈建军梁斌《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2012年第3期35-40,共6页; 随着工艺尺寸的缩减,单粒子翻转(SEU)和单粒子瞬态(SET)成为了深亚微米集成电路中备受关注的可靠性问题。本文基于Muller_C单元的静态电路和动态电路,设计了两种时域采样锁存器,并与DICE锁存器相结合,设计出了相应的既抗SEU又抗SET的D... 展开更多; 关键词 Muller_C单元 dice单元抗辐照加固DFF; 在线阅读下载PDF 职称材料

静态随机存储器双向互锁存储单元的抗老化设计被引量：1: 3; 作者刘士兴范对鹏 +3 位作者程龙王世超丁力易茂祥《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1453-1461,共9页; 为了延长抗辐照静态随机存储器双向互锁存储单元(DICE)电路的使用时限,得到偏置温度不稳定性效应(BTI)老化效应对DICE单元性能的具体影响,提出抗老化设计方案.通过SPICE仿真实验,分析DICE单元的老化特性,发现因老化加重的读干扰和半选... 展开更多; 关键词双向互锁存储单元(dice) 偏置温度不稳定性控制晶体管读干扰半选择干扰抗老化; 在线阅读下载PDF 职称材料

DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证被引量：5: 4; 作者张丹丹杨海钢 +3 位作者李威黄志洪高丽江李天文《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期495-500,共6页; 分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMR&DICE型D... 展开更多; 关键词抗单粒子翻转(SEU) 三模冗余(TMR) 双互锁存储单元(dice) 触发器辐照实验; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计被引量：1: 5; 作者张宇飞余超 +2 位作者常永伟单毅董业民《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期335-340,400,共7页; 基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅（SOI）CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库。研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计。提出了一种基于三模冗余（TMR）的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固... 展开更多; 关键词标准单元库单粒子效应(SEE) 双互锁存储单元(dice) 抗辐射加固设计(RHBD) 绝缘体上硅(SOI); 在线阅读下载PDF 职称材料

基于信号跳变时间可调整的容错路由器: 6; 作者张颖江建慧 +1 位作者李华伟李晓维《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期305-311,共7页; 设计了一种基于信号跳变时间可调整(STTA)的片上网路容错路由器.首先,这种路由器能够准确预测总线的串扰故障,并通过错开信号跳变的方法容忍总线的串扰故障.然后,为了容忍寄存器上的单事件翻转(SEU),路由器中所有的寄存器被替换成双内... 展开更多; 关键词容错路由器信号跳变时间可调整(STTA) 总线串扰效应单事件翻转(SEU) 双内锁单元(dice); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于DICE单元的抗SEU加固SRAM设计被引量：5: 1; 作者孙永节刘必慰; 机构国防科技大学计算机学院; 出处《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期158-163,共6页; 基金国家自然科学基金重点项目(60836004) 国家自然科学基金项目(61006070); 文摘 DICE单元是一种有效的SEU加固方法,但是,基于DICE单元的SRAM在读写过程中发生的SEU失效以及其外围电路中发生的失效,仍然是加固SRAM中的薄弱环节。针对这些问题,提出了分离位线结构以解决DICE单元读写过程中的翻转问题,并采用双模冗余的锁存器加固方法解决外围电路的SEU问题。模拟表明本文的方法能够有效弥补传统的基于DICE单元的SRAM的不足。; 关键词 SEU加固 SRAM dice单元; Keywords SEU hardened SRAM dice cell; 分类号 TP331.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Muller_C单元和DICE单元的抗辐照D触发器设计被引量：3: 2; 作者李鹏孙永节陈建军梁斌; 机构国防科学技术大学计算机学院; 出处《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2012年第3期35-40,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61076025 61006070) 教育部长江学者和创新团队发展计划(高性能微处理器创新团队)(IRT0614); 文摘随着工艺尺寸的缩减,单粒子翻转(SEU)和单粒子瞬态(SET)成为了深亚微米集成电路中备受关注的可靠性问题。本文基于Muller_C单元的静态电路和动态电路,设计了两种时域采样锁存器,并与DICE锁存器相结合,设计出了相应的既抗SEU又抗SET的D触发器(Dflip-flops,简称DFF)。通过三维TCAD混合模拟产生的SET,对两种D触发器版图后提取寄生参数的电路网表进行故障注入模拟,Hspice模拟的结果证明:两种DFF在有效抑制SEU的同时,还可以有效地抑制SET。与文献[1]中提出的既抗SEU又抗SET的DFF相比,本文中设计的DFF面积较小,500MHz下动态功耗和静态功耗均有所降低,其中一个DFF的建立时间优于文献[1]中的DFF。; 关键词 Muller_C单元 dice单元抗辐照加固DFF; Keywords Muller_C dice radiation hardened DFF; 分类号 TP331.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名静态随机存储器双向互锁存储单元的抗老化设计被引量：1: 3; 作者刘士兴范对鹏程龙王世超丁力易茂祥; 机构合肥工业大学电子科学与应用物理学院; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1453-1461,共9页; 基金国家自然科学基金面上项目(61371025 61574052 61274036); 文摘为了延长抗辐照静态随机存储器双向互锁存储单元(DICE)电路的使用时限,得到偏置温度不稳定性效应(BTI)老化效应对DICE单元性能的具体影响,提出抗老化设计方案.通过SPICE仿真实验,分析DICE单元的老化特性,发现因老化加重的读干扰和半选择干扰是影响DICE结构的SRAM单元稳定性和寿命的主要原因.针对DICE单元抗辐照结构的特性,提出新的DICE单元读写端口结构.通过在组成读写端口的4个晶体管之间加入额外的控制晶体管,阻断了DICE单元存储节点相连的路径,消除了读干扰和半选择干扰的影响,避免了单元的读故障和半选择故障的出现.改进后的DICE单元在读状态和半选择状态时的抗辐照能力与改进前相比得到了提升.通过仿真实验,验证了改进后DICE单元的功能正确性和抗老化有效性,直接减少了DICE单元经过108 s老化后22.6%的读失效率.; 关键词双向互锁存储单元(dice) 偏置温度不稳定性控制晶体管读干扰半选择干扰抗老化; Keywords dual interlocked cell（dice） bias temperature instability effect（BTI） controlling transistor read disturb half-selected disturb combating aging; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证被引量：5: 4; 作者张丹丹杨海钢李威黄志洪高丽江李天文; 机构中国科学院电子学研究所中国科学院大学中国电子科技集团公司第五十研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期495-500,共6页; 基金国家科技重大专项资助项目(2013ZX03006004) 国家自然科学基金课题资助项目(61271149) +1 种基金中国科学院国家外国专家局创新团队国际合作伙伴计划资助项目; 文摘分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMR&DICE型D触发器抗单粒子翻转的性能,与其他传统类型电路结构的D触发器进行了抗单粒子翻转性能比较,并通过电路仿真和辐照实验进行了验证。仿真结果表明,TMR&DICE型D触发器的抗单粒子翻转性能明显优于传统的普通D触发器、TMR型D触发器和DICE型D触发器。辐照实验结果表明,TMR&DICE型D触发器具有最小的翻转截面。; 关键词抗单粒子翻转(SEU) 三模冗余(TMR) 双互锁存储单元(dice) 触发器辐照实验; Keywords single event upset（SEU） tolerance triple modular redundancy（TMR） dual interlocked storage cell（dice） flip-flop radiation experiment; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计被引量：1: 5; 作者张宇飞余超常永伟单毅董业民; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院大学; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期335-340,400,共7页; 基金中国科学院重点部署项目(KGFZD-135-16-015); 文摘基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅（SOI）CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库。研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计。提出了一种基于三模冗余（TMR）的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固与加固单元的翻转情况并定位翻转单元位置。对双互锁存储单元（DICE）加固、非加固存储单元电路进行了性能及抗辐射能力的测试对比。测试结果显示,应用DICE加固的存储单元电路在99.8 MeV·cm^2·mg^（-1）的线性能量转移（LET）阈值下未发生翻转,非加固存储单元电路在37.6 MeV·cm^2·mg^（-1）和99.8 MeV·cm^2·mg^（-1）两个LET阈值下测试均发生了翻转,试验中两个版本的基本单元均未发生闩锁。结果证明,基于SOI CMOS工艺的抗辐射加固设计（RHBD）可以显著提升存储单元电路的抗单粒子翻转能力。; 关键词标准单元库单粒子效应(SEE) 双互锁存储单元(dice) 抗辐射加固设计(RHBD) 绝缘体上硅(SOI); Keywords standard cell library single event effect （SEE） dual interlocked storage cell （dice） radiation hardened by design （RHBD） silicon on insulator （SOI）; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于信号跳变时间可调整的容错路由器: 6; 作者张颖江建慧李华伟李晓维; 机构同济大学软件学院中国科学院计算技术研究所; 出处《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期305-311,共7页; 基金国家自然科学基金(61432017 61404092) +1 种基金计算机体系结构国家重点实验室开放课题; 文摘设计了一种基于信号跳变时间可调整(STTA)的片上网路容错路由器.首先,这种路由器能够准确预测总线的串扰故障,并通过错开信号跳变的方法容忍总线的串扰故障.然后,为了容忍寄存器上的单事件翻转(SEU),路由器中所有的寄存器被替换成双内锁单元(DICE).结果表明:基于STTA的路由器仅需在普通路由器上增加46%的面积开销和70%的功耗开销,就能容忍总线上串扰导致的故障和寄存器上的SEU.与基于TS-HC-TMR和SCAC-TMR方法的容错路由器相比,基于STTA的路由器至少减少了93%的面积和55%的功耗开销,有效地解决了容错路由器开销过大的问题.; 关键词容错路由器信号跳变时间可调整(STTA) 总线串扰效应单事件翻转(SEU) 双内锁单元(dice); Keywords reliable router selected transtion time adjustment （STTA） crosstalk on interconnect single event upset （SEU） dual interlocked cell （dice）; 分类号 TP303 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于DICE单元的抗SEU加固SRAM设计	孙永节刘必慰	《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于Muller_C单元和DICE单元的抗辐照D触发器设计	李鹏孙永节陈建军梁斌	《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心	2012	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	静态随机存储器双向互锁存储单元的抗老化设计	刘士兴范对鹏程龙王世超丁力易茂祥	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证	张丹丹杨海钢李威黄志洪高丽江李天文	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计	张宇飞余超常永伟单毅董业民	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于信号跳变时间可调整的容错路由器	张颖江建慧李华伟李晓维	《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料