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题名光收发器中光电集成接收芯片的实现
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作者
芦晶
程翔
颜黄苹
李继芳
柯庆福
陈朝
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机构
厦门大学物理与机电工程学院机电工程系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期291-294,共4页
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基金
厦门市科技计划项目(3502Z20063002)
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文摘
针对应用于850nm光通信中的10/100Mbit/s收发器,提出采用0.5μm标准CMOS工艺对其光接收芯片实现Si基单片集成。整体芯片面积为0.6mm2,共集成了一个双光电二极管的(DPD)光电探测器和一个跨阻前置放大电路,功耗为100mW,并给出了具体的测试性能结果。结果表明,在850nm光照下,光接收芯片带宽达到53MHz,工作速率为72Mbit/s。重点介绍了DPD光电探测器的原理和结构,并给出了相应的制造过程和电路等效模型,对整个光接收芯片进行了多种实用性测试,可以满足系统的性能要求。
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关键词
单片集成
互补型金属氧化物晶体管
双光电二极管
光接收芯片
850
nm光通信
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Keywords
OEIC
CMOS
DPD
optical receiver chip
850 nm optical transceivers
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分类号
TN491
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器
被引量：2
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作者
施朝霞
朱大中
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机构
浙江工业大学信息学院
浙江大学信息学院微电子与光电子研究所
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期153-157,共5页
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基金
国家自然科学基金项目(61306090)
浙江省级公益性技术应用研究计划项目(2013C31069)
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文摘
基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/(lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。
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关键词
荧光传感器
双结深光电二极管
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Keywords
CMOS
CTIA
fluorescence sensor
double-junction photodiode
CMOS
CTIA
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分类号
TN491
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TP211
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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